MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ，
MUR820 ， MUR840 ， MUR860
首选设备
SWITCHMODE
电源整流器
该系列是专为使用开关电源，
逆变器和续流二极管，一个国家的最先进的设备，这些
具有以下特点：
特点
http://onsemi.com
超快25 ， 50和75纳秒的恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压600伏
无铅包可用*
超高速整流器
8.0安培
50-600伏
1
4
3
机械特性
4
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运50个单位的塑料管
CASE 221B
TO220AC
塑料
3
1
标记图
AYWW
U8xx
KA
A
Y
WW
U8
xx
KA
=汇编Locarion
=年
=工作周
=器件代码
= 10， 15 ，20，40或60个
=地点代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版5
出版订单号：
MUR820/D
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
最大额定值
MUR
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
总的设备， （额定V
R
), T
C
= 150°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） ，T
C
= 150°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60赫兹）
工作结温
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FM
I
FSM
805
50
810
100
815
150
820
200
840
400
860
600
单位
V
8.0
16
100
A
A
A
T
J
, T
英镑
-65到+175
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
最大热阻，结到外壳
R
QJC
3.0
2.0
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 8.0安培，T
C
= 150°C)
(i
F
= 8.0安培，T
C
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50安培/ MS ）
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0安培，我
REC
= 0.25安培）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
v
F
0.895
0.975
i
R
250
5.0
t
rr
35
25
60
50
500
10
ns
1.00
1.30
1.20
1.50
mA
V
订购信息
设备
MUR805
MUR810
MUR815
MUR815G
MUR820
MUR820G
MUR840
MUR840G
MUR860
MUR860G
包
TO220
TO220
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
100
10
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
1.0
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
10
7.0
5.0
图2.典型的反向电流*
3.0
2.0
T
J
= 175°C
1.0
0.7
0.5
100°C
25°C
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
0.3
0.2
0.1
0.2 0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
v
F,
瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
dc
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
dc
方波
方波
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图4.电流降额，环境
图5.功耗
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3
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR840
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
150°C
10
100°C
25°C
1.0
100
30
I F ，正向电流（安培）
20
0.1
0.01
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450 500
V
R
，反向电压（伏）
10
7.0
5.0
T
J
= 175°C
3.0
100°C
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
25°C
图7.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图9.电流降额，环境
图10.功耗
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4
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR860
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
T
J
= 150°C
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
10
7.0
5.0
0.01
100
1000
100
T
J
= 150°C
10
100°C
1.0
25°C
0.1
200
300
400
500
600
V
R
，反向电压（伏）
图12.典型的反向电流*
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
v
F,
瞬时电压（伏）
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
图11.典型正向电压
图13.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
14
13
12
11
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
方
WAVE
dc
T
J
= 175°C
6.0
7.0
8.0
9.0
10
T
A
，环境温度（ ° C）
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图14.电流降额，环境
图15.功耗
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MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ，
MUR820 ， MUR840 ， MUR860
首选设备
SWITCHMODE
电源整流器
该系列是专为使用开关电源，
逆变器和续流二极管，一个国家的最先进的设备，这些
具有以下特点：
特点
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超快25 ， 50和75纳秒的恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压600伏
无铅包可用*
超高速整流器
8.0安培
50-600伏
1
4
3
机械特性
4
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运50个单位的塑料管
CASE 221B
TO220AC
塑料
3
1
标记图
AYWW
U8xx
KA
A
Y
WW
U8
xx
KA
=汇编Locarion
=年
=工作周
=器件代码
= 10， 15 ，20，40或60个
=地点代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
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首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版5
出版订单号：
MUR820/D
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
最大额定值
MUR
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
总的设备， （额定V
R
), T
C
= 150°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） ，T
C
= 150°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60赫兹）
工作结温
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FM
I
FSM
805
50
810
100
815
150
820
200
840
400
860
600
单位
V
8.0
16
100
A
A
A
T
J
, T
英镑
-65到+175
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
最大热阻，结到外壳
R
QJC
3.0
2.0
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 8.0安培，T
C
= 150°C)
(i
F
= 8.0安培，T
C
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50安培/ MS ）
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0安培，我
REC
= 0.25安培）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
v
F
0.895
0.975
i
R
250
5.0
t
rr
35
25
60
50
500
10
ns
1.00
1.30
1.20
1.50
mA
V
订购信息
设备
MUR805
MUR810
MUR815
MUR815G
MUR820
MUR820G
MUR840
MUR840G
MUR860
MUR860G
包
TO220
TO220
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
100
10
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
1.0
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
10
7.0
5.0
图2.典型的反向电流*
3.0
2.0
T
J
= 175°C
1.0
0.7
0.5
100°C
25°C
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
0.3
0.2
0.1
0.2 0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
v
F,
瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
dc
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
dc
方波
方波
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图4.电流降额，环境
图5.功耗
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MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR840
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
150°C
10
100°C
25°C
1.0
100
30
I F ，正向电流（安培）
20
0.1
0.01
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450 500
V
R
，反向电压（伏）
10
7.0
5.0
T
J
= 175°C
3.0
100°C
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
25°C
图7.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图9.电流降额，环境
图10.功耗
http://onsemi.com
4
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR860
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
T
J
= 150°C
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
10
7.0
5.0
0.01
100
1000
100
T
J
= 150°C
10
100°C
1.0
25°C
0.1
200
300
400
500
600
V
R
，反向电压（伏）
图12.典型的反向电流*
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
v
F,
瞬时电压（伏）
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
图11.典型正向电压
图13.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
14
13
12
11
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
方
WAVE
dc
T
J
= 175°C
6.0
7.0
8.0
9.0
10
T
A
，环境温度（ ° C）
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图14.电流降额，环境
图15.功耗
http://onsemi.com
5
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MUR805
THRU
MUR840
8安培超级F AST
玻璃Passiv ated
RECTIF IER
50至400伏
玻璃钝化芯片
超快的开关时间HIGHT效率
低反向漏电流
高浪涌能力
最大额定值
工作结点温度范围：-55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 150°C
MCC
目录
数
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
50V
100V
200V
400V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
50V
100V
200V
400V
TO-220AC
B
C
K
L
M
D
A
针
1
2
MUR805
MUR810
MUR820
MUR840
MUR805
MUR810
MUR820
MUR840
35V
70V
140V
320V
E
F
G
I
H
J
N
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MUR805 MUR820
MUR840
I
F（ AV ）
I
FSM
8.0A
125A
T
C
= 100°C
8.3毫秒，半正弦
销1
销2
例
V
F
I = 8A
1.0V
FM
T
J
= 25°C
1.3V
10微安
500uA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
MM
14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
4.83
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03
15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
5.33
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
最大反向
恢复时间
I
R
TRR
50ns
I
F
= 0.5A ，我
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
英寸
.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.190
.210
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
*脉冲测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比2 ％
www.mccsemi.com
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MUR820 / D
SWITCHMODE
电源整流器
。 。 。在开关电源，逆变器和专为使用
续流二极管，一个国家的最先进的，这些设备有
特点如下：
超快25 ， 50和75纳秒的恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧会见UL94 ， VO @ 1/8“
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压600伏
MUR820
MUR840
MUR860
摩托罗拉的首选设备
超快
整流器
8安培
200-400-600伏
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的： 260 °C最大。为
10秒
运50个单位的塑料管
标记： U820 ， U840 ， U860
最大额定值
4
1
4
3
1
3
CASE 221B -03
TO–220AC
MUR
R I
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
设备总， （额定VR ） ， TC = 150℃
重复峰值正向电流
（额定VR ，方波， 20千赫） ， TC = 150℃
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结温贮藏温度
S B升
符号
VRRM
VRWM
VR
IF （ AV ）
IFM
IFSM
TJ ， TSTG
820
200
840
400
860
600
U I
单位
伏
8.0
16
100
-65到+175
安培
安培
安培
°C
热特性
最大热阻，结到外壳
R
θJC
3.0
2.0
° C / W
电气特性
最大正向电压（ 1 ）
（ IF = 8.0安培， TC = 150 ° C）
（ IF = 8.0安培， TC = 25 ° C）
最大瞬时反向电流（ 1 ）
（额定直流电压， TJ = 150 ° C）
（额定直流电压， TJ = 25°C ）
最大反向恢复时间
（ IF = 1.0安培，的di / dt = 50安培/ μs的）
（ IF = 0.5安培， IR = 1.0安培， IREC = 0.25安培）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%.
开关模式是摩托罗拉公司的一个商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 3
vF
0.895
0.975
iR
250
5.0
TRR
35
25
60
50
500
10
1.00
1.30
1.20
1.50
伏
A
ns
整流设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MUR820 MUR840 MUR860
MUR820
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
TJ = 175℃
100
10
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
1.0
0.1
0.01
0
20
40
80 100 120 140 160
60
VR ，反向电压（伏）
180 200
10
7.0
5.0
图2.典型的反向电流*
3.0
2.0
TJ = 175℃
1.0
0.7
0.5
100°C
25°C
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
TC ，外壳温度（ ° C）
方波
dc
额定Vr的应用
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
如果从VR充分低于额定VR这些相同的曲线估计。
0.3
0.2
0.1
0.2 0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
VF ，瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
dc
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
TA ，环境温度（ ° C）
dc
方波
方波
R
q
JA = 16 ° C / W
R
q
JA = 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
方波
dc
TJ = 175℃
图4.电流降额，环境
图5.功耗
2
整流设备数据
MUR820 MUR840 MUR860
MUR840
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
TJ = 175℃
150°C
10
100°C
25°C
1.0
100
30
I F ，正向电流（安培）
20
0.1
0.01
0
50
100
150 200 250 300 350 400
VR ，反向电压（伏）
450 500
10
7.0
5.0
TJ = 175℃
3.0
100°C
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
TC ，外壳温度（ ° C）
方波
dc
额定Vr的应用
25°C
图7.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
如果从VR充分低于额定VR这些相同的曲线估计。
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VF ，瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
TA ，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
q
JA = 16 ° C / W
R
q
JA = 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
方波
dc
TJ = 175℃
图9.电流降额，环境
图10.功耗
整流设备数据
3
MUR820 MUR840 MUR860
MUR860
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
TJ = 150℃
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
10
7.0
5.0
0.01
100
1000
TJ = 150℃
100
10
100°C
1.0
25°C
0.1
200
500
300
400
VR ，反向电压（伏）
600
图12.典型的反向电流*
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
方波
dc
额定Vr的应用
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
如果从VR充分低于额定VR这些相同的曲线估计。
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
VF ，瞬时电压（伏）
150
160
170
180
TC ，外壳温度（ ° C）
图11.典型正向电压
图13.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
方波
dc
方波
dc
R
q
JA = 16 ° C / W
R
q
JA = 60 ° C / W
（无散热片）
14
13
12
11
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
方
WAVE
dc
TJ = 175℃
6.0
7.0
8.0
9.0
10
TA ，环境温度（ ° C）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
图14.电流降额，环境
图15.功耗
4
整流设备数据
MUR820 MUR840 MUR860
MUR820 ， MUR840 ， MUR860
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1.0
D = 0.5
0.5
0.1
0.05
0.01
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.5
° C / W
最大
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
50
100
200
500
1000
0.2
0.1
0.05
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
单脉冲
0.02
0.01
0.01
0.02
0.05
0.1
吨，时间（ ms）的
图16.热响应
1000
MUR840 ， MUR860
MUR820
C，电容（pF ）
300
TJ = 25°C
100
30
10
1.0
10
VR ，反向电压（伏）
100
图17.典型电容
整流设备数据
5
MUR840 ， MUR860 ， RURP840 ， RURP860
数据表
2000年1月
网络文件编号
2091.4
8A ， 400V - 600V超快二极管
该MUR840 ， MUR860 ， RURP840和RURP860低
正向压降超快恢复整流器器
(t
rr
<为60ns ） 。他们使用的玻璃钝化离子注入，
外延建设。
这些设备旨在用作输出整流器器和
FL飞轮二极管中的各种高频脉冲宽度
调制开关稳压器。它们的低存储的电荷和
随之而来的快速反向恢复特性减少电
噪音的产生，并在许多电路显着减少了
导通相关联的功率开关的耗散
晶体管。
以前发育类型TA09616 。
特点
超快软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <60ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .600V
额定雪崩能量
平面施工
应用
开关电源
电源开关电路
通用
订购信息
产品型号
MUR840
RURP840
MUR860
RURP860
包
TO-220AC
TO-220AC
TO-220AC
TO-220AC
BRAND
MUR840
RURP840
MUR860
RURP860
包装
JEDEC TO- 220AC
阳极
阴极
阴极
（法兰）
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
K
A
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
MUR840
RURP840
400
400
400
8
16
100
75
20
-65 175
300
260
MUR860
RURP860
600
600
600
8
16
100
75
20
-65 175
300
260
单位
V
V
V
A
A
A
W
mJ
o
C
o
C
o
C
反向重复峰值电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RRM
工作峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RWM
DC阻断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
R
平均整流器编着的正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
F（ AV ）
(T
C
= 155
o
C)
重复峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FRM
（方波， 20kHz的）
非重复性峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
（半波，单相，60赫兹）
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
雪崩能量（参见图10和图11 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AVL
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
最大无铅焊接温度的
导致在0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，看技术简报334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
1
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
MUR840 ， MUR860 ， RURP840 ， RURP860
电气连接特定的阳离子
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
MUR840 ， RURP840
符号
V
F
测试条件
I
F
= 8A
I
F
= 8A ，T
C
= 150
o
C
I
R
V
R
= 400V
V
R
= 600V
V
R
= 400V ，T
C
= 150
o
C
V
R
= 600V ，T
C
= 150
o
C
t
rr
I
F
= 1A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
t
a
t
b
Q
RR
C
J
R
θJC
释义
V
F
=瞬时正向电压（ PW = 300μS ， D = 2 ％） 。
I
R
=瞬时反向电流。
t
rr
=反向恢复时间（见图9 ） ，求和的t
a
+ t
b
.
t
a
=时达到峰值反向电流（参见图9） 。
t
b
=从高峰时间我
RM
到的余投影零交叉
RM
基于从峰值I的直线
RM
经过我25 ％
RM
（参见图9） 。
Q
RR
=反向恢复电荷。
C
J
=结电容。
R
θJC
=热阻结到外壳。
PW =脉冲宽度。
D =占空比。
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
V
R
= 10V ，我
F
= 0A
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
32
21
195
25
-
最大
1.3
1.0
100
-
500
-
60
70
-
-
-
-
2
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MUR860 ， RURP860
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
32
21
195
25
-
最大
1.5
1.2
-
100
-
500
60
70
-
-
-
-
2
单位
V
V
A
A
A
A
ns
ns
ns
ns
nC
pF
o
C / W
典型性能曲线
40
500
I
R
，反向电流（ μA ）
100
175
o
C
100
o
C
I
F
，正向电流（ A）
10
10
100
o
C
175
o
C
1
0.5
0
25
o
C
0.5
1
1.5
2
2.5
1
0.1
25
o
C
0.01
0
100
200
300
400
500
600
V
F
，正向电压（ V）
V
R
，反向电压（V）的
图1.正向电流与正向电压
图2.反向电流与反向电压
2
MUR840 ， MUR860 ， RURP840 ， RURP860
典型性能曲线
60
T
C
= 25
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
50
T，恢复时间（纳秒）
T，恢复时间（纳秒）
40
80
（续）
100
T
C
= 100
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
t
rr
60
t
rr
30
20
10
0
0.5
t
a
t
b
40
t
a
t
b
20
1
I
F
，正向电流（ A）
4
8
0
0.5
1
I
F
，正向电流（ A）
4
8
图3吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
图4吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
125
T
C
= 175
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
T，恢复时间（纳秒）
100
8
DC
6
SQ 。 WAVE
4
t
rr
75
50
t
a
t
b
2
25
0
0.5
0
140
145
150
155
160
165
170
175
1
I
F
，正向电流（ A）
4
8
T
C
，外壳温度（
o
C)
图5吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
图6.电流降额曲线
100
C
J
，结电容（pF ）
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
V
R
，反向电压（V）的
图7.结电容VS反向电压
3
MUR840 ， MUR860 ， RURP840 ， RURP860
测试电路和波形
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
t
2
控制I
F
L
DUT
R
G
V
GE
t
1
t
2
当前
SENSE
+
V
DD
0
I
F
dI
F
dt
ta
TRR
tb
IGBT
-
0.25 I
RM
I
RM
图8.吨
rr
测试电路
I = 1A
L = 40mH
< 0.1Ω
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R（ AVL ）
/(V
R（ AVL ）
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT （ BV
CES
> DUT V
R（ AVL ）
)
L
当前
SENSE
Q
1
V
DD
DUT
R
+
V
DD
I V
图9吨
rr
波形和定义
V
AVL
I
L
I
L
-
t
0
t
1
t
2
t
图10.雪崩能量测试电路
图11.雪崩电流和电压
波形
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
www.intersil.com
4
MUR840 ， MUR860 ， RURP840 ， RURP860
数据表
2002年1月
8A ， 400V - 600V超快二极管
该MUR840 ， MUR860 ， RURP840和RURP860低
正向压降超快恢复整流器器（T
rr
<为60ns ） 。
他们使用的玻璃钝化离子注入，外延
建设。
这些设备旨在用作输出整流器器和
FL飞轮二极管中的各种高频脉冲宽度
调制开关稳压器。它们的低存储的电荷和
随之而来的快速反向恢复特性减少电
噪音的产生，并在许多电路显着减少了
导通相关联的功率开关的耗散
晶体管。
以前发育类型TA09616 。
特点
超快软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <60ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .600V
额定雪崩能量
平面施工
应用
开关电源
电源开关电路
通用
订购信息
产品型号
MUR840
RURP840
MUR860
RURP860
包
TO-220AC
TO-220AC
TO-220AC
TO-220AC
BRAND
MUR840
RURP840
MUR860
RURP860
包装
JEDEC TO- 220AC
阳极
阴极
阴极
（法兰）
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
K
A
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
MUR840
RURP840
400
400
400
8
16
100
75
20
-65 175
300
260
MUR860
RURP860
600
600
600
8
16
100
75
20
-65 175
300
260
单位
V
V
V
A
A
A
W
mJ
o
C
o
C
o
C
反向重复峰值电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RRM
工作峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RWM
DC阻断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
R
平均整流器编着的正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F（ AV ）
(T
C
= 155
o
C)
重复峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FRM
（方波， 20kHz的）
非重复性峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
（半波，单相，60赫兹）
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
雪崩能量（参见图10和图11 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AVL
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
最大无铅焊接温度的
导致在0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，看技术简报334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
2002仙童半导体公司
MUR840 ， MUR860 ， RURP840 ， RURP86版本B
MUR840 ， MUR860 ， RURP840 ， RURP860
电气连接特定的阳离子
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
MUR840 ， RURP840
符号
V
F
测试条件
I
F
= 8A
I
F
= 8A ，T
C
= 150
o
C
I
R
V
R
= 400V
V
R
= 600V
V
R
= 400V ，T
C
= 150
o
C
V
R
= 600V ，T
C
= 150
o
C
t
rr
I
F
= 1A ，二
F
/ DT = 200A /
s
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A /
s
t
a
t
b
Q
RR
C
J
R
θ
JC
释义
V
F
=瞬时正向电压（ PW = 300
S，D = 2 ％）。
I
R
=瞬时反向电流。
t
rr
=反向恢复时间（见图9 ） ，求和的t
a
+ t
b
.
t
a
=时达到峰值反向电流（参见图9） 。
t
b
=从高峰时间我
RM
到的余投影零交叉
RM
基于从峰值I的直线
RM
经过我25 ％
RM
（参见图9） 。
Q
RR
=反向恢复电荷。
C
J
=结电容。
R
θ
JC
=热阻结到外壳。
PW =脉冲宽度。
D =占空比。
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A /
s
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A /
s
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A /
s
V
R
= 10V ，我
F
= 0A
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
32
21
195
25
-
最大
1.3
1.0
100
-
500
-
60
70
-
-
-
-
2
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MUR860 ， RURP860
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
32
21
195
25
-
最大
1.5
1.2
-
100
-
500
60
70
-
-
-
-
2
单位
V
V
A
A
A
A
ns
ns
ns
ns
nC
pF
o
C / W
典型性能曲线
40
500
I
R
，反向电流（ μA ）
100
175
o
C
100
o
C
I
F
，正向电流（ A）
10
10
100
o
C
175
o
C
1
0.5
0
25
o
C
0.5
1
1.5
2
2.5
1
0.1
25
o
C
0.01
0
100
200
300
400
500
600
V
F
，正向电压（ V）
V
R
，反向电压（V）的
图1.正向电流与正向电压
图2.反向电流与反向电压
2002仙童半导体公司
MUR840 ， MUR860 ， RURP840 ， RURP86版本B
MUR840 ， MUR860 ， RURP840 ， RURP860
典型性能曲线
60
T
C
= 25
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
50
T，恢复时间（纳秒）
T，恢复时间（纳秒）
40
80
（续）
100
T
C
= 100
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
t
rr
60
t
rr
30
20
10
0
0.5
t
a
t
b
40
t
a
t
b
20
1
I
F
，正向电流（ A）
4
8
0
0.5
1
I
F
，正向电流（ A）
4
8
图3吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
图4吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
125
T
C
= 175
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
T，恢复时间（纳秒）
100
8
DC
6
SQ 。 WAVE
4
t
rr
75
50
t
a
t
b
2
25
0
0.5
0
140
145
150
155
160
165
170
175
1
I
F
，正向电流（ A）
4
8
T
C
，外壳温度（
o
C)
图5吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
图6.电流降额曲线
100
C
J
，结电容（pF ）
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
V
R
，反向电压（V）的
图7.结电容VS反向电压
2002仙童半导体公司
MUR840 ， MUR860 ， RURP840 ， RURP86版本B
MUR840 ， MUR860 ， RURP840 ， RURP860
测试电路和波形
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
t
2
控制I
F
L
DUT
R
G
V
GE
t
1
t
2
当前
SENSE
+
V
DD
0
I
F
dI
F
dt
ta
TRR
tb
IGBT
-
0.25 I
RM
I
RM
图8.吨
rr
测试电路
I = 1A
L = 40mH
< 0.1Ω
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R（ AVL ）
/(V
R（ AVL ）
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT （ BV
CES
> DUT V
R（ AVL ）
)
L
当前
SENSE
Q
1
V
DD
DUT
R
+
V
DD
I V
图9吨
rr
波形和定义
V
AVL
I
L
I
L
-
t
0
t
1
t
2
t
图10.雪崩能量测试电路
图11.雪崩电流和电压
波形
2002仙童半导体公司
MUR840 ， MUR860 ， RURP840 ， RURP86版本B
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
1
lizhenhui MB ： + 86-13537087568电邮： dgjifu@qq.com
2
lizhenhui MB ： + 86-13537087568电邮： dgjifu@qq.com
MUR805 MUR860 THRU
玻璃钝化超
快速整流器
产品概述
反向电压50至600伏
FOWARD当前8.0安培
特点
玻璃钝化芯片
超快的开关时间HIGHT效率
低反向漏电流
高浪涌能力
TO-220AC
机械数据
案例： TO- 220AC全模压塑料封装
终端：每铅焊MIL -STD- 202方法208
极性：标示
标准包装：任何
重量0.08盎司， 2.24克
无铅;符合RoHS标准
最大额定值和电气特性
（在25℃环境温度额定值除非另有规定。 ）
o
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
=100
o
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
在8.0A最大正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
=0.25A
工作结存储温度范围
注意事项：
1.脉冲测试：脉冲宽度300微秒，占空比CCLE 2 ％
@T
J
=25 C
@T
J
=125
o
C
o
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
T
J
, T
英镑
MUR805
50
35
50
MUR810
100
70
100
MUR820
200
140
200
8.0
125.0
MUR840
400
280
400
MUR860
600
420
600
单位
伏
伏
伏
安培
安培
1.0
10.0
500
50
-55到+150
1.3
1.8
伏
uA
nS
o
C
03/07/2007 Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
1
MUR805 MUR860 THRU
收视率和特性曲线
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
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03/07/2007 Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
2
8.0AMP 。玻璃钝化超快速整流器
TO-220AC
MUR820 - MUR860
Pb
特点
RoHS指令
合规
高效率，低VF
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
对于低volyage使用，高频发明家，
续流和极性保护
应用程序。
对包装后缀"G"绿色复合
代码&的日期代码前缀"G"
机械数据
案例： TO- 220AC模压塑料
环氧树脂： UL 94V- 0率阻燃
终端：纯锡电镀引脚，无铅，焊
每MIL -STD- 202方法208保证
极性：标示
高温焊接保证：
260 ℃ / 10秒/ 0.25" （ 6.35mm）时，从案例。
重量： 1.9克
尺寸以英寸（毫米）
标记图
MUR8XX =具体设备守则
G
Y
WW
=绿色复合
=年
=工作周
最大额定值和电气特性
等级25
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
类型编号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压（注1 ）
@8A
最大反向电流
@ T
A
=25
℃
@ T
A
=100
℃
最大反向恢复时间（注2 ）
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
注1 ：脉冲免得： TP = 300US ，职务Cycle<1 ％
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
MUR820
200
140
200
MUR840
400
280
400
8
100
MUR860
600
420
600
单位
V
V
V
A
A
0.975
1.30
1.70
V
I
R
T
rr
R
θJC
T
J
T
英镑
25
3.0
5
250
50
2.0
-65到+ 175
-65到+ 175
O
uA
uA
ns
C / W
O
O
C
C
注2 ：反向恢复测试条件： IF = 0.5A ， IR = 1.0A ， IRR = 0.25A
版本： G11
额定值和特性曲线（ MUR820 MUR860 THRU ）
图1最大正向电流降额
曲线
10
8
6
4
2
0
140
145
150
155
160
165
170
175
180
外壳温度（
o
C)
峰值正向浪涌
电流（A ）
12
平均正向
电流（A ）
125
100
75
50
25
0
1
10
100
图。 2最大非重复正向浪涌
当前
循环次数在60赫兹
图。 4典型的反向特性
1000
瞬时反向
CURRENT （ UA）
100
10
1
0.1
TA=100℃
TA=150℃
图。 3典型正向
特征
100
正向
电流（A ）
MUR840
10
MUR820
1
0.1
MUR860
TA=25℃
0.01
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6
正向电压（ V）
1.8
2
0.01
20
40
60
80
100
120
百分比额定峰值反向电压（ ％ ）
图。 5典型结电容
1000
电容（pF）
100
10
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
版本： G11
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