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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第105页 > MUR810
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ，
MUR820 ， MUR840 ， MUR860
首选设备
SWITCHMODE
电源整流器
该系列是专为使用开关电源，
逆变器和续流二极管，一个国家的最先进的设备，这些
具有以下特点：
特点
http://onsemi.com
超快25 ， 50和75纳秒的恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压600伏
无铅包可用*
超高速整流器
8.0安培
50-600伏
1
4
3
机械特性
4
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运50个单位的塑料管
CASE 221B
TO220AC
塑料
3
1
标记图
AYWW
U8xx
KA
A
Y
WW
U8
xx
KA
=汇编Locarion
=年
=工作周
=器件代码
= 10， 15 ，20，40或60个
=地点代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版5
出版订单号：
MUR820/D
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
最大额定值
MUR
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
总的设备， （额定V
R
), T
C
= 150°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） ，T
C
= 150°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60赫兹）
工作结温
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FM
I
FSM
805
50
810
100
815
150
820
200
840
400
860
600
单位
V
8.0
16
100
A
A
A
T
J
, T
英镑
-65到+175
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
最大热阻，结到外壳
R
QJC
3.0
2.0
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 8.0安培，T
C
= 150°C)
(i
F
= 8.0安培，T
C
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50安培/ MS ）
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0安培，我
REC
= 0.25安培）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
v
F
0.895
0.975
i
R
250
5.0
t
rr
35
25
60
50
500
10
ns
1.00
1.30
1.20
1.50
mA
V
订购信息
设备
MUR805
MUR810
MUR815
MUR815G
MUR820
MUR820G
MUR840
MUR840G
MUR860
MUR860G
包
TO220
TO220
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
100
10
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
1.0
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
10
7.0
5.0
图2.典型的反向电流*
3.0
2.0
T
J
= 175°C
1.0
0.7
0.5
100°C
25°C
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
0.3
0.2
0.1
0.2 0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
v
F,
瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
dc
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
dc
方波
方波
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图4.电流降额，环境
图5.功耗
http://onsemi.com
3
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR840
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
150°C
10
100°C
25°C
1.0
100
30
I F ，正向电流（安培）
20
0.1
0.01
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450 500
V
R
，反向电压（伏）
10
7.0
5.0
T
J
= 175°C
3.0
100°C
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
25°C
图7.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图9.电流降额，环境
图10.功耗
http://onsemi.com
4
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR860
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
T
J
= 150°C
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
10
7.0
5.0
0.01
100
1000
100
T
J
= 150°C
10
100°C
1.0
25°C
0.1
200
300
400
500
600
V
R
，反向电压（伏）
图12.典型的反向电流*
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
v
F,
瞬时电压（伏）
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
图11.典型正向电压
图13.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
14
13
12
11
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
方
WAVE
dc
T
J
= 175°C
6.0
7.0
8.0
9.0
10
T
A
，环境温度（ ° C）
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图14.电流降额，环境
图15.功耗
http://onsemi.com
5
上海Lunsure电子
科技有限公司
联系电话： 0086-21-37185008
传真： 0086-21-57152769
MUR805
THRU
MUR840
8安培超级F AST
玻璃Passiv ated
RECTIF IER
50至400伏
特点
玻璃钝化芯片
超快的开关时间HIGHT效率
低反向漏电流
高浪涌能力
最大额定值
工作结点温度范围：-55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 150°C
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
50V
100V
200V
400V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
50V
100V
200V
400V
TO-220AC
B
C
K
L
M
D
A
针
1
2
目录
数
MUR805
MUR810
MUR820
MUR840
MUR805
MUR810
MUR820
MUR840
35V
70V
140V
320V
E
F
G
I
H
J
N
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MUR805 MUR820
MUR840
I
F（ AV ）
I
FSM
8.0A
125A
T
C
= 100°C
8.3毫秒，半正弦
销1
销2
例
V
F
I = 8A
1.0V
FM
T
J
= 25°C
1.3V
10微安
500uA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C


A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N

MM

14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
4.83
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03


15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
5.33
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92

最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
最大反向
恢复时间
I
R
TRR
50ns
I
F
= 0.5A ，我
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
英寸



.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.190
.210
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
*脉冲测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比2 ％
www.cnelectr.com
MUR805通MUR840
20
正向峰值电流，
安培
12
8
4
0
0
50
100
150
瞬时反向电流，
微安
16
1000
T
J
= 125
J
100
10
外壳温度
J
图。 1 ，典型正向电流降额
曲线
最大正向电流
安培
125
100
75
50
25
T
J
= 25
J
1.0
0.1
TJ = 125
J
8.3ms单半SINCE-
波JEDEC的方法
20
40
60
80 100
120
140
百分比额定峰值反向电压
图。 2 ，典型的反向特性
80
40
1
2
5
10
20
50
100
20
瞬时正向电流（ A）
循环次数在60Hz
MUR805
10
3.0
图。 3最大非重复正向
浪涌电流
210
1.0
0.3
电容（PF ）
200
160
120
80
40
0
1
2
5
20
50
100
200
500
MUR805
0.1
0.03
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.8
正向电压，伏
反向电压，伏
图。 4 ，典型结电容
图。 5 ，典型正向电流
www.cnelectr.com
MUR805 MUR860 THRU
玻璃钝化超
快速整流器
产品概述
反向电压50至600伏
FOWARD当前8.0安培
特点
玻璃钝化芯片
超快的开关时间HIGHT效率
低反向漏电流
高浪涌能力
TO-220AC
机械数据
案例： TO- 220AC全模压塑料封装
终端：每铅焊MIL -STD- 202方法208
极性：标示
标准包装：任何
重量0.08盎司， 2.24克
无铅;符合RoHS标准
最大额定值和电气特性
（在25℃环境温度额定值除非另有规定。 ）
o
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
=100
o
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
在8.0A最大正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
=0.25A
工作结存储温度范围
注意事项：
1.脉冲测试：脉冲宽度300微秒，占空比CCLE 2 ％
@T
J
=25 C
@T
J
=125
o
C
o
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
T
J
, T
英镑
MUR805
50
35
50
MUR810
100
70
100
MUR820
200
140
200
8.0
125.0
MUR840
400
280
400
MUR860
600
420
600
单位
伏
伏
伏
安培
安培
1.0
10.0
500
50
-55到+150
1.3
1.8
伏
uA
nS
o
C
03/07/2007 Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
1
MUR805 MUR860 THRU
收视率和特性曲线
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而，硅标准公司不做任何
担保或保证，明示或暗示，作为对这些信息的可靠性，准确性，及时性或完整性不承担任何
其使用的责任，或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因，任何产品进行更改的权利，包括
无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
03/07/2007 Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
2
YENYO
玻璃钝化高效快速恢复整流器
电压范围50至600 V
目前8.0安培
TO-220AC
.154(3.91)
DIA 0.137 （ 3.50 ）
.057(1.45)
.052(1.33)
MAX.412(10.5)
.185(4.70)
.175(4.44)
.072(1.82)
.062(1.58)
.055(1.40)
.045(1.14)
MUR805 MUR860 THRU
特点
快速开关的高效率
低正向压降
高电流能力
低反向漏电流
高浪涌电流能力
机械数据
案例：模压塑料TO- 220AC
环氧树脂： UL 94V- 0率阻燃
码头：每MIL -STD- 202焊接的
方法208
极性：颜色频带为负极
安装位置：任意
重量： 2.07克
.128(3.25)
.114(2.90)
1
2
MAX.07(1.7)
.056(1.43)
.048(1.22)
.037(0.94)
.027(0.68)
1
2
.526(13.35)
.508(12.90)
.27(6.86)
.23(5.84)
针
.638(16.2)
.602(15.3)
.102(2.60)
.088(2.25)
.205(5.20)
.195(4.95)
.025(0.64)
.014(0.35)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
o
C
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
电流T
C
=150
C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
最大正向电压
@ 8.0 A
反向电流最大DC @T
J
=25
C
在额定阻断电压DC @T
J
=125
C
最大反向恢复时间（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作结存储
温度范围
o
o
o
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
IF
（AV）
MUR805
50
35
50
MUR810
100
70
100
MUR820
200
140
200
8.0
MUR840
400
280
400
MUR860
600
420
600
单位
V
V
V
A
I
FSM
125
A
V
F
I
R
TRR
R
JC
T
J
, T
英镑
0.975
10.0
250
25
3.0
-65到+175
1.3
1.5
V
uA
uA
nS
o
50
2.0
CW
o
C
注： （ 1 ）反向恢复测试条件我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ， IRR = 0.25A 。
（ 2 ）热阻结到管壳。
1/2
R2 JUL- 11
额定值和特性曲线MUR805 MUR860 THRU
图1 - 正向电流降额曲线
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
100
125
o
图2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
125
峰值正向浪涌电流，
安培
正向平均整流
当前，安培
脉宽8.3ms的
单半陛下波
（ JEDEC的方法）
100
75
50
25
60赫兹电阻或
感性负载
150
175
0
1
10
100
外壳温度，C
循环次数在60Hz
图3 - 典型瞬时
正向特性
IINSTANTANEOUS正向电流，
安培
100
图4 - 典型的反向特性
1000
MUR805-MUR820
10
MUR840
MUR860
瞬时反向电流，
微安
100
T
J
=125 C
o
10
1
1
T
J
=25 C
o
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
=25 C
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
o
0.1
0
20
40
60
80
100
正向电压，
伏
百分之额定峰值反向电压， ％
YENYO TECHNOLOGY CO。， LTD 。
2/2
R2 JUL- 11
思雨
R
塑封超快速整流二极管
反向电压
100---600V
正向电流
8.0A
TO-220AC
.420(10.67)
.380(9.65)
.189(4.8)
.138(3.5)
.054(1.4)
.045(1.14)
MUR810 MUR860 ......
塑料超快恢复整流器
反向电压100至600 V
正向电流8.0 A
特征
特点
·大电流承受½力。High
电流能力
·正向压降½。Low
正向电压降
·½功耗高效率。Low
功耗，高效率
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
铅和符合RoHS规范体
.138(3.5)
最大
.025(0.65)
最大
.500(12.70)
民
.270(6.86)
.230(5.84)
Φ.138(3.5)
Φ.118(3.0)
.625(15.88)
.560(14.22)
1
2
机械数据
机械数据
·封装:
塑料封装
案例：模压塑料
·极性:
标记模压或印于本½
极性：符号模压或标记体
·安装½½:
任意
安装位置：任意
·安装扭距:
推荐值
0.3牛*米
安装扭矩：
推荐0.3牛顿米
.028(0.7)
.019(0.5)
.115(2.92)
.080(2.03)
1
.109(2.79) .109(2.79)
.090(2.29) .090(2.29)
2
单位：英寸（毫米）
极限值和温度特性
TA = 25°
除非另有规定。
最大额定值&热特性
符号
符号
最大可重复峰值反向电压
最大重复峰值反向电压
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
MUR810
100
70
100
MUR820
200
140
200
8.0
100
3.0
MUR840
400
280
400
MUR860
600
420
600
单½
单位
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
R
θJC
TJ ， TSTG
最大均方根电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms的单一正弦半波
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
典型热阻
典型热阻
2.0
℃/W
工½结温和存储温度
工作结存储温度范围
-55---+150
℃
电特性
TA = 25°
除非另有规定。
电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
符号
符号
最大正向电压
最大正向电压
MUR810
1.00
5.0
250
35
50
MUR820
MUR840
1.30
MUR860
1.50
单½
单位
V
μA
I
F
= 8.0A
TA = 25 ℃
TA=125℃
I
F
= 0.5A我
R
= 1.0A我
REC
=0.25A
V
F
最大反向电流
最大反向电流
I
R
TRR
最大反向恢复时间
马克斯。反向恢复时间
nS
大昌电子
大昌电子
思雨
R
特性曲线
特性曲线
正向特性曲线（典型值）
典型正向特性
MUR810 MUR860 ......
正向电流降额曲线
正向电流降额曲线
100
平均正向电流
I
F（ AV ）
(A)
正向平均整流电流（ A）
I
F（ A）
I
F
正向电流（A ）
12
10
8
6
4
2
0
10
MUR810
MUR820
正向电流
I
F
(A)
1
MUR840
0.1
MUR860
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
正向电压 V
F
(V)
V
F
正向电压（ V）
浪涌特性曲线（最大值）
最大不重复
峰值正向浪涌电流
0
25
50
75
100 125 150 175
环境温度TA（ ° C）
TAMB，环境温度（ ℃）
125
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
峰值正向浪涌电流 I
FSM
(A)
100
75
50
25
0
1
2
4 6 10
20
40
100
通过电流的周期
在60赫兹的周期数。
大昌电子
大昌电子
BL
特点
银河电子
MUR805 - -
-
MUR860
电压范围： 50 --- 600V
当前位置：
8.0A
超快速整流器
◇
低成本
◇
扩散结
◇
玻璃钝化结
◇
低正向压降
◇
高电流能力
◇
能与乙醇，异丙醇和类似的溶剂容易清洗
◇
塑料材料进行U / L承认94V - 0
TO - 220AC
机械数据
◇
案例： JEDEC TO- 220AC
◇
终端：每焊
MIL-STD - 202方法208
◇
极性：颜色频带为负极
◇
重量： 0.064盎司， 1.81克
◇
安装位置：任意
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
器件标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
共有设备（额定V
R
),T
C
=150℃
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷
最大瞬时
正向电压（注1）
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
=8.0A,T
C
=25℃
I
F
=8.0A,T
C
=150℃
@T
j
=25℃
T
j
=150℃
MUR
805
U805
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
50
35
50
MUR
810
U810
100
70
100
MUR
815
U815
150
105
150
8.0
MUR
820
U820
200
140
200
MUR
840
U840
400
280
400
MUR
860
U860
600
420
600
单位
V
V
V
A
I
FSM
0.975
0.895
5.0
250
25
35
3.0
100
1.30
1.00
10
500
50
60
2.0
- 65 ---- + 175
- 65 ---- + 175
1.50
1.20
A
V
F
I
R
t
rr
R
θJC
T
j
T
英镑
V
A
ns
℃/W
℃
℃
最大反向恢复时间（注2 ）
(Note3)
典型热阻结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
注： 1.Pulse测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比cycle≤2.0 ％
2.测与我
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
rr
=0.25 A.
3.测量与我
F
=1.0A,di/dt=50A/s.
www.galaxycn.com
文档编号0264045
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 --TYPICAL正向特性
正向电流
MUR805---MUR860
FIG.2--
TYPICALREVERSE特性
瞬时反向
当前毫安
50
1000
MUR805 - MUR820
MUR840
MUR860
10
100
T
J
=150℃
T
J
=75℃
安培
10
T
J
=25℃
1.0
1
脉冲宽度= 300
1 ％占空比
s
0.1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01
0
20
40
60
80
100
正向电压，伏
百分比额定峰值反向电压，
图3 - 峰值正向浪涌电流
图4 - 前降额曲线
峰值正向浪涌电流
100
平均正向电流，
安培
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
单相
半波60H
Z
,
电阻或
感性负载
80
60
T
J
=25 C
8.3ms单半
正弦波
0
安培
40
20
0
1
10
100
循环次数在60Hz
例
温度，
www.galaxycn.com
文档编号0264045
BL
银河电子
2.
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ，
MUR820 ， MUR840 ， MUR860
首选设备
SWITCHMODEt
电源整流器
该系列是一个国家的最先进的设备设计用于使用
开关电源，逆变器和续流二极管。
特点
http://onsemi.com
超快25 ， 50和75纳秒的恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压为600 V
无铅包可用*
超高速整流器
8.0安培， 50-600伏
1
4
3
机械特性：
4
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的： 260 °C最大10秒
1
3
TO220AC
CASE 221B
塑料
标记图
AYWWG
U8xx
KA
A
Y
WW
U8xx
G
KA
=
=
=
=
大会地点
YEAR
工作周
器件代码
XX为05 ，10，15 ，20，40或60个
= Pb-Free包装
=二极管极性
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年7月 - 启示录7
出版订单号：
MUR820/D
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
最大额定值
MUR
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
总的设备， （额定V
R
), T
C
= 150°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） ，T
C
= 150°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结温贮藏温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FM
I
FSM
T
J
, T
英镑
805
50
810
100
815
150
820
200
840
400
860
600
单位
V
8.0
16
100
-65到+175
A
A
A
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
热特性
MUR
等级
最大热阻，结到外壳
符号
R
QJC
805
810
3.0
815
820
840
2.0
860
单位
° C / W
电气特性
MUR
等级
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 150°C)
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
REC
= 0.25 A)
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
符号
v
F
0.895
0.975
i
R
250
5.0
t
rr
35
25
60
50
500
10
ns
1.00
1.30
1.20
1.50
mA
805
810
815
820
840
860
单位
V
http://onsemi.com
2
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
100
10
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
1.0
0.1
0.01
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
R
，反向电压（伏）
180 200
10
7.0
5.0
图2.典型的反向电流*
3.0
2.0
T
J
= 175°C
1.0
0.7
0.5
100°C
25°C
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
0.3
0.2
0.1
0.2 0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
v
F,
瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
dc
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
dc
方波
方波
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图4.电流降额，环境
图5.功耗
http://onsemi.com
3
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR840
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
150°C
10
100°C
25°C
1.0
100
30
I F ，正向电流（安培）
20
0.1
0.01
0
50
100
150 200 250 300 350 400
V
R
，反向电压（伏）
450 500
10
7.0
5.0
T
J
= 175°C
3.0
100°C
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
25°C
图7.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图9.电流降额，环境
图10.功耗
http://onsemi.com
4
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR860
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
T
J
= 150°C
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
10
7.0
5.0
0.01
100
1000
T
J
= 150°C
100
10
100°C
1.0
25°C
0.1
200
400
300
500
V
R
，反向电压（伏）
600
图12.典型的反向电流*
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
v
F,
瞬时电压（伏）
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
图11.典型正向电压
图13.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
14
13
12
11
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
方
WAVE
dc
T
J
= 175°C
6.0
7.0
8.0
9.0
10
T
A
，环境温度（ ° C）
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图14.电流降额，环境
图15.功耗
http://onsemi.com
5
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ，
MUR820 ， MUR840 ， MUR860
首选设备
SWITCHMODE
电源整流器
该系列是专为使用开关电源，
逆变器和续流二极管，一个国家的最先进的设备，这些
具有以下特点：
特点
http://onsemi.com
超快25 ， 50和75纳秒的恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压600伏
无铅包可用*
超高速整流器
8.0安培
50-600伏
1
4
3
机械特性
4
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运50个单位的塑料管
CASE 221B
TO220AC
塑料
3
1
标记图
AYWW
U8xx
KA
A
Y
WW
U8
xx
KA
=汇编Locarion
=年
=工作周
=器件代码
= 10， 15 ，20，40或60个
=地点代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版5
出版订单号：
MUR820/D
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
最大额定值
MUR
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
总的设备， （额定V
R
), T
C
= 150°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） ，T
C
= 150°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60赫兹）
工作结温
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FM
I
FSM
805
50
810
100
815
150
820
200
840
400
860
600
单位
V
8.0
16
100
A
A
A
T
J
, T
英镑
-65到+175
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
最大热阻，结到外壳
R
QJC
3.0
2.0
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 8.0安培，T
C
= 150°C)
(i
F
= 8.0安培，T
C
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50安培/ MS ）
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0安培，我
REC
= 0.25安培）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
v
F
0.895
0.975
i
R
250
5.0
t
rr
35
25
60
50
500
10
ns
1.00
1.30
1.20
1.50
mA
V
订购信息
设备
MUR805
MUR810
MUR815
MUR815G
MUR820
MUR820G
MUR840
MUR840G
MUR860
MUR860G
包
TO220
TO220
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
100
10
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
1.0
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
10
7.0
5.0
图2.典型的反向电流*
3.0
2.0
T
J
= 175°C
1.0
0.7
0.5
100°C
25°C
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
0.3
0.2
0.1
0.2 0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
v
F,
瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
dc
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
dc
方波
方波
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图4.电流降额，环境
图5.功耗
http://onsemi.com
3
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR840
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
150°C
10
100°C
25°C
1.0
100
30
I F ，正向电流（安培）
20
0.1
0.01
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450 500
V
R
，反向电压（伏）
10
7.0
5.0
T
J
= 175°C
3.0
100°C
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
25°C
图7.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图9.电流降额，环境
图10.功耗
http://onsemi.com
4
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR860
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
T
J
= 150°C
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
10
7.0
5.0
0.01
100
1000
100
T
J
= 150°C
10
100°C
1.0
25°C
0.1
200
300
400
500
600
V
R
，反向电压（伏）
图12.典型的反向电流*
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
v
F,
瞬时电压（伏）
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
图11.典型正向电压
图13.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
14
13
12
11
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
方
WAVE
dc
T
J
= 175°C
6.0
7.0
8.0
9.0
10
T
A
，环境温度（ ° C）
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图14.电流降额，环境
图15.功耗
http://onsemi.com
5
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MUR805
THRU
MUR840
8安培超级F AST
玻璃Passiv ated
RECTIF IER
50至400伏
玻璃钝化芯片
超快的开关时间HIGHT效率
低反向漏电流
高浪涌能力
最大额定值
工作结点温度范围：-55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 150°C
MCC
目录
数
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
50V
100V
200V
400V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
50V
100V
200V
400V
TO-220AC
B
C
K
L
M
D
A
针
1
2
MUR805
MUR810
MUR820
MUR840
MUR805
MUR810
MUR820
MUR840
35V
70V
140V
320V
E
F
G
I
H
J
N
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MUR805 MUR820
MUR840
I
F（ AV ）
I
FSM
8.0A
125A
T
C
= 100°C
8.3毫秒，半正弦
销1
销2
例
V
F
I = 8A
1.0V
FM
T
J
= 25°C
1.3V
10微安
500uA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C


A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N

MM

14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
4.83
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03


15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
5.33
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92

最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
最大反向
恢复时间
I
R
TRR
50ns
I
F
= 0.5A ，我
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
英寸



.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.190
.210
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
*脉冲测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比2 ％
www.mccsemi.com
MUR805通MUR840
MCC
1000
20
正向峰值电流，
安培
12
8
4
0
0
50
100
150
瞬时反向电流，
微安
16
T
J
= 125
J
100
10
外壳温度
J
图。 1 ，典型正向电流降额
曲线
最大正向电流
安培
125
100
75
50
25
T
J
= 25
J
1.0
0.1
TJ = 125
J
8.3ms单半SINCE-
波JEDEC的方法
20
40
60
80 100
120
140
百分比额定峰值反向电压
图。 2 ，典型的反向特性
80
40
1
2
5
10
20
50
100
20
瞬时正向电流（ A）
循环次数在60Hz
MUR805
10
3.0
图。 3最大非重复正向
浪涌电流
210
1.0
0.3
电容（PF ）
200
160
120
80
40
0
1
2
5
20
50
100
200
500
MUR805
0.1
0.03
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.8
正向电压，伏
反向电压，伏
图。 4 ，典型结电容
图。 5 ，典型正向电流
www.mccsemi.com
MUR805-MUR860
超快速整流器
电压范围： 50 --- 600V
特点
◇
◇
◇
◇
◇
◇
◇
低成本
扩散结
玻璃钝化结
低正向压降
高电流能力
能与乙醇，异丙醇和类似的溶剂容易清洗
塑料材料进行U / L承认94V - 0
当前位置：
8.0A
TO - 220AC
机械数据
◇
◇
◇
◇
◇
案例： JEDEC TO- 220AC
终端：每焊
MIL-STD - 202方法208
极性：颜色频带为负极
重量： 0.064盎司， 1.81克
安装位置：任意
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
器件标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
共有设备（额定V
R
),T
C
=150℃
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷
最大瞬时
正向电压（注1）
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
=8.0A,T
C
=25℃
I
F
=8.0A,T
C
=150℃
@T
j
=25℃
T
j
=150℃
MUR MUR MUR MUR MUR
MUR
MUR
805
840 860
单位
810
815
820
830
U805 U810 U815 U820 U830 U840 U860
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
8.0
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
I
FSM
0.975
0.895
5.0
250
25
35
3.0
100
1.30
1.00
10
500
50
60
2.0
- 65 ---- + 175
- 65 ---- + 175
1.50
1.20
A
V
F
I
R
t
rr
R
θJC
T
j
T
英镑
V
A
ns
℃/W
℃
℃
最大反向恢复时间（注2 ）
(Note3)
典型热阻结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
注： 1.Pulse测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比cycle≤2.0 ％
2.测与我
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
rr
=0.25 A.
3.测量与我
F
=1.0A,di/dt=50A/s.
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MUR805-MUR860
超快速整流器
评级和Charactieristic曲线
图1 --TYPICAL正向特性
正向电流
FIG.2--
TYPICALREVERSE特性
瞬时反向
当前毫安
50
1000
MUR805 - MUR820
MUR830-MUR840
MUR860
10
100
T
J
=150℃
T
J
=75℃
安培
10
T
J
=25℃
1.0
1
脉冲宽度= 300
1 ％占空比
s
0.1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01
0
20
40
60
80
100
正向电压，伏
百分比额定峰值反向电压，
图3 - 峰值正向浪涌电流
图4 - 前降额曲线
峰值正向浪涌电流
100
平均正向电流，
安培
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
单相
半波60H
Z
,
电阻或
感性负载
80
60
T
J
=25 C
8.3ms单半
正弦波
0
安培
40
20
0
1
10
100
循环次数在60Hz
例
温度，
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