MUR480EG ， MUR4100EG
SWITCHMODEt
电源整流器
超快“E '系列高反
节能能力
国家的最先进的这些设备用于开关设计
电源，逆变器和续流二极管。
特点
http://onsemi.com
20兆焦耳雪崩能量保证
出色的防瞬态电压开关
感性负载电路
超快75纳秒恢复时间
175 ° C工作结温
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压为1000 V
这些无铅器件*
超快整流器
4.0安培，伏特800-1000
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量：1.8克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运塑料袋， 5000元包
可用磁带和卷轴， 1500每卷中，加入了“ RL ''后缀
零件号
极性：负极由带极性指示
轴向引线
案例267
风格1
标记图
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
单位
V
800
1000
4.0 @
T
A
= 35°C
70
A
A
A
MUR
4xxx
YYWW
G
G
MUR480E
MUR4100E
平均正向电流整流
（方波;安装方法＃ 3每注2 ）
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结温和存储温度
范围
A
=大会地点
MUR4xxx =设备号（见第2页）
YY
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
T
J
, T
英镑
-65
+175
°C
订购信息
查看详细的订购和发货信息第2页
此数据表。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年2月 - 修订版8
出版订单号：
MUR480E/D
MUR480EG ， MUR4100EG
热特性
等级
最大热阻，结到环境
符号
R
qJA
价值
见注2
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 3.0安培，T
J
= 150°C)
(i
F
= 3.0安培，T
J
= 25°C)
(i
F
= 4.0安培，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50安培/ MS ）
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0安培，我
REC
= 0.25安培）
最大正向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 100安培/毫秒，恢复至1.0 V）
控制雪崩能量（见测试电路如图6 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
符号
v
F
1.53
1.75
1.85
i
R
900
25
t
rr
100
75
t
fr
W
AVAL
75
20
ns
mJ
ns
mA
最大
单位
V
订购信息
设备
MUR480E
MUR480EG
MUR480ERL
MUR480ERLG
MUR480ES
MUR480ESG
MUR4100E
MUR4100EG
MUR4100E
MUR4100ERL
MUR4100ERLG
轴向引线*
轴向引线*
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
MUR480ES
MUR480E
记号
包
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
航运
500单位/散装
500单位/散装
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MUR480EG ， MUR4100EG
MUR480EG ， MUR4100EG
20
IR ，反向电流（
m
A)
1000
400
200
100
40
20
10
4.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
0.004
0.002
0.001
T
J
= 175°C
100°C
T
J
= 175°C
10
100°C
7.0
5.0
25°C
25°C
I F ，正向电流（安培）
3.0
2.0
*所示的曲线是典型的最高电压
装置中的电压分组。典型的反向电流
用于较低电压的选择可以从这些估计
如果V相同的曲线
R
被充分地低于额定V
R
.
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
1.0
0.7
0.5
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
0.3
0.2
10
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
8.0
为V
R
R
qJA
= 28 ° C / W
0.1
0.07
0.05
6.0
4.0
方波
2.0
0
0
50
dc
0.03
0.02
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2
100
150
200
250
v
F,
瞬时电压（伏）
T
A
，环境温度（ ° C）
图1.典型正向电压
图3.电流降额
（安装方法＃ 3每注2 ）
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
（电容我
PK
=20
I
AV
负载）
10
dc
T
J
= 175°C
5.0
C，电容（pF ）
70
60
50
40
T
J
= 25°C
30
20
10
9.0
8.0
7.0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
图4.功耗
图5.典型电容
http://onsemi.com
3
MUR480EG ， MUR4100EG
+V
DD
I
L
40
mH
COIL
BV
DUT
V
D
MERCURY
开关
I
D
I
D
I
L
DUT
S
1
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
图6.测试电路
图7电流 - 电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图6是用于演示控制雪崩
全新的“ E' '系列超高速整流器的能力。一
水银开关，使用电子开关来代替，以
模拟嘈杂的环境中，当开关被作为
开。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
公式（ 1 ） ：
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
CH1
CH2
500V
50mV
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
在图8中的示波器照片，示出了
为MUR8100E获得的信息（类似于模
建设为MUR4100E系列）在本测试电路
在进行一安培的峰值电流处的击穿
电压为1300伏，并利用公式（2）的能量
由MUR8100E吸收大约为20毫焦耳。
尽管不推荐，设计此
条件下，新的“ E' '系列提供了额外的保护
对可以制作的那些不可预见的瞬态病毒
不明原因的随机故障在不友好的环境。
A
20ms
953 V
垂直
通道2 ：
I
L
0.5 AMPS / DIV 。
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
通道1 ：
V
DUT
500伏/格。
时基：
20
MS / DIV 。
1
CH1
收购事项
SAVEREF源
CH2
217 ： 33 HRS
堆
REF
REF
图8.电流电压波形
http://onsemi.com
4
MUR480E ， MUR4100E
SWITCHMODEt
电源整流器
超快“E '系列高反
节能能力
国家的最先进的这些设备用于开关设计
电源，逆变器和续流二极管。
特点
http://onsemi.com
20兆焦耳雪崩能量保证
出色的防瞬态电压开关
感性负载电路
超快75纳秒恢复时间
175 ° C工作结温
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压为1000 V
这些无铅器件*
超快整流器
4.0安培，伏特800-1000
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量：1.8克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运塑料袋， 5000元包
可用磁带和卷轴， 1500每卷中，加入了“ RL ''后缀
零件号
极性：负极由带极性指示
轴向引线
案例267
风格1
标记图
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
单位
V
800
1000
4.0 @
T
A
= 35°C
70
A
A
A
MUR
4xxx
YYWW
G
G
MUR480E
MUR4100E
平均正向电流整流
（方波;安装方法＃ 3每注2 ）
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结温和存储温度
范围
A
=大会地点
MUR4xxx =设备号（见第2页）
YY
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
T
J
, T
英镑
-65
+175
°C
订购信息
查看详细的订购和发货信息第2页
此数据表。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年2月 - 启示录7
出版订单号：
MUR480E/D
MUR480E ， MUR4100E
热特性
等级
最大热阻，结到环境
符号
R
qJA
价值
见注2
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 3.0安培，T
J
= 150°C)
(i
F
= 3.0安培，T
J
= 25°C)
(i
F
= 4.0安培，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50安培/ MS ）
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0安培，我
REC
= 0.25安培）
最大正向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 100安培/毫秒，恢复至1.0 V）
控制雪崩能量（见测试电路如图6 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
符号
v
F
1.53
1.75
1.85
i
R
900
25
t
rr
100
75
t
fr
W
AVAL
75
20
ns
mJ
ns
mA
最大
单位
V
订购信息
设备
MUR480E
MUR480EG
MUR480ERL
MUR480ERLG
MUR480ES
MUR480ESG
MUR4100E
MUR4100EG
MUR4100E
MUR4100ERL
MUR4100ERLG
轴向引线*
轴向引线*
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
MUR480ES
MUR480E
记号
包
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
航运
500单位/散装
500单位/散装
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MUR480E ， MUR4100E
MUR480E ， MUR4100E
20
IR ，反向电流（
m
A)
1000
400
200
100
40
20
10
4.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
0.004
0.002
0.001
T
J
= 175°C
100°C
T
J
= 175°C
10
100°C
7.0
5.0
25°C
25°C
I F ，正向电流（安培）
3.0
2.0
*所示的曲线是典型的最高电压
装置中的电压分组。典型的反向电流
用于较低电压的选择可以从这些估计
如果V相同的曲线
R
被充分地低于额定V
R
.
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
1.0
0.7
0.5
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
0.3
0.2
10
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
8.0
为V
R
R
qJA
= 28 ° C / W
0.1
0.07
0.05
6.0
4.0
方波
dc
2.0
0
0
0.03
0.02
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2
50
100
150
200
250
v
F,
瞬时电压（伏）
T
A
，环境温度（ ° C）
图1.典型正向电压
图3.电流降额
（安装方法＃ 3每注2 ）
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
（电容我
PK
=20
I
AV
负载）
10
dc
T
J
= 175°C
5.0
C，电容（pF ）
70
60
50
40
T
J
= 25°C
30
20
10
9.0
8.0
7.0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
图4.功耗
图5.典型电容
http://onsemi.com
3
MUR480E ， MUR4100E
+V
DD
I
L
40
mH
COIL
BV
DUT
V
D
MERCURY
开关
S
1
I
D
I
D
I
L
DUT
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
图6.测试电路
图7电流 - 电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图6是用于演示控制雪崩
全新的“ E' '系列超高速整流器的能力。一
水银开关，使用电子开关来代替，以
模拟嘈杂的环境中，当开关被作为
开。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
公式（ 1 ） ：
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
CH1
CH2
500V
50mV
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
在图8中的示波器照片，示出了
为MUR8100E获得的信息（类似于模
建设为MUR4100E系列）在本测试电路
在进行一安培的峰值电流处的击穿
电压为1300伏，并利用公式（2）的能量
由MUR8100E吸收大约为20毫焦耳。
尽管不推荐，设计此
条件下，新的“ E' '系列提供了额外的保护
对可以制作的那些不可预见的瞬态病毒
不明原因的随机故障在不友好的环境。
A
20ms
953 V
垂直
通道2 ：
I
L
0.5 AMPS / DIV 。
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
通道1 ：
V
DUT
500伏/格。
时基：
20
MS / DIV 。
1
CH1
收购事项
SAVEREF源
CH2
217 ： 33 HRS
堆
REF
REF
图8.电流电压波形
http://onsemi.com
4
MUR480E ， MUR4100E
SWITCHMODE
电源整流器
超快“E '系列高反
节能能力
。 。 。在开关电源，逆变器和专为使用
续流二极管，这些语句OF-任何─技术的装置具有
特点如下：
http://onsemi.com
20兆焦耳雪崩能量保证
出色的防瞬态电压开关
感性负载电路
超快75纳秒恢复时间
175 ° C工作结温
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压为1000伏
超快
整流器器
4.0安培
800-1000伏
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量：1.8克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
220 °C最大。 10秒， 1/16“的情况下，
运塑料袋， 5000元包
可用的磁带和缠绕， 1500每卷中，加入了“ RL ''后缀
零件号
极性：负极由带极性指示
标记： MUR480E ， MUR4100E
轴向引线
CASE 267-05
(DO-201AD)
风格1
标记图
MUR
4x0E
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
MUR480E
MUR4100E
平均正向电流整流
（方波）
（安装方法＃ 3每注2 ）
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载
条件下半波，单
相， 60赫兹）
工作结存储
温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
价值
单位
V
800
1000
4.0 @
T
A
= 35°C
70
A
MUR4x0E =器件代码
x
= 8或10个
订购信息
设备
包
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
航运
5000单位/袋
1500 /磁带&卷轴
5000单位/袋
1500 /磁带&卷轴
I
FSM
A
MUR480E
MUR480ERL
MUR4100E
T
J
, T
英镑
-65到+175
°C
MUR4100ERL
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年4月 - 第4版
出版订单号：
MUR480E/D
MUR480E ， MUR4100E
热特性
等级
最大热阻，结到环境
符号
R
θJA
价值
见注2
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 3.0安培，T
J
= 150°C)
(i
F
= 3.0安培，T
J
= 25°C)
(i
F
= 4.0安培，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50安培/微秒）
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0安培，我
REC
= 0.25安培）
最大正向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 100安培/微秒，恢复至1.0 V）
控制雪崩能量（见测试电路如图6 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
v
2.0%.
符号
v
F
1.53
1.75
1.85
i
R
900
25
t
rr
100
75
t
fr
W
AVAL
75
20
ns
mJ
ns
A
最大
单位
伏
http://onsemi.com
2
MUR480E ， MUR4100E
MUR480E ， MUR4100E
20
IR ，反向电流（
m
A)
1000
400
200
100
40
20
10
4.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
0.004
0.002
0.001
T
J
= 175°C
100°C
T
J
= 175°C
10
100°C
7.0
5.0
25°C
25°C
I F ，正向电流（安培）
3.0
2.0
*所示的曲线是典型的最高电压
装置中的电压分组。典型的反向电流
用于较低电压的选择可以从这些估计
如果V相同的曲线
R
被充分地低于额定V
R
.
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
1.0
0.7
0.5
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
0.3
0.2
10
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
8.0
为V
R
R
qJA
= 28 ° C / W
0.1
0.07
0.05
6.0
4.0
方波
dc
2.0
0
0
0.03
0.02
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2
50
100
150
200
250
v
F,
瞬时电压（伏）
T
A
，环境温度（ ° C）
图1.典型正向电压
图3.电流降额
（安装方法＃ 3每注2 ）
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
（电容我
PK
=20
I
AV
负载）
10
dc
T
J
= 175°C
5.0
C，电容（pF ）
70
60
50
40
T
J
= 25°C
30
20
10
9.0
8.0
7.0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
图4.功耗
图5.典型电容
http://onsemi.com
3
MUR480E ， MUR4100E
+V
DD
I
L
40
mH
COIL
BV
DUT
V
D
MERCURY
开关
S
1
I
D
I
D
I
L
DUT
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
图6.测试电路
图7电流 - 电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图6是用于演示控制雪崩
全新的“ E' '系列超高速整流器的能力。一
水银开关，使用电子开关来代替，以
模拟嘈杂的环境中，当开关被作为
开。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
公式（ 1 ） ：
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
CH1
CH2
500V
50mV
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
在图8中的示波器照片，示出了
为MUR8100E获得的信息（类似于模
建设为MUR4100E系列）在本测试电路
在进行一安培的峰值电流处的击穿
电压为1300伏，并利用公式（2）的能量
由MUR8100E吸收大约为20毫焦耳。
尽管不推荐，设计此
条件下，新的“ E' '系列提供了额外的保护
对可以制作的那些不可预见的瞬态病毒
不明原因的随机故障在不友好的环境。
A
20ms
953 V
垂直
通道2 ：
I
L
0.5 AMPS / DIV 。
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
通道1 ：
V
DUT
500伏/格。
时基：
20
MS / DIV 。
1
CH1
收购事项
SAVEREF源
CH2
217 ： 33 HRS
堆
REF
REF
图8.电流电压波形
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4
QQ：2880707522 复制
