MUR420
威世通用半导体
超快塑封整流
特点
玻璃钝化结
超快反向恢复时间
低正向压降
低漏电流
低开关损耗，效率高
高正向浪涌能力
DO-201AD
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
用于高频整流用和
开关模式转换器随心所欲的应用
和逆变器为消费，计算机和
电信。
机械数据
案例：
DO-201AD
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
颜色频带端为负极
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
4.0 A
200 V
150 A
25纳秒
0.710 V
175 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
A
= 80 ℃（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
200
200
200
4.0
150
- 65 + 175
单位
V
V
V
A
A
°C
文档编号： 88685
修订： 20 - 8 - 07
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MUR420
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
(1)
最大瞬时反向电流
额定阻断电压DC
(1)
最大反向恢复时间
最大反向恢复时间
最大正向恢复时间
注意：
（ 1 ）脉冲测试：吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 %
测试条件
3.0 A
3.0 A
4.0 A
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 10 % I
RM
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的，
恢复到1.0 V
符号
V
F
价值
0.710
0.875
0.890
5.0
150
25
35
25
单位
V
I
R
t
rr
t
rr
t
fr
A
ns
ns
ns
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻结到环境
(1)
注意：
（ 1 ）导线长度= 2"分之1交媾上板2"分之1 X 2"分之1铜表面
符号
R
θJA
价值
28
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
MUR420-E3/54
MUR420-E3/73
单位重量（g ）
1.138
1.138
首选包装代码
54
73
基地数量
1400
1000
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
弹药盒包装
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
8.0
150
峰值正向浪涌电流（ A）
平均正向电流（ A）
125
6.0
100
4.0
75
50
2.0
25
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
环境温度（ ℃）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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100
1000
正向电流（A ）
10
结电容（pF ）
1.2
1.4
T
J
= 175 °C
100
T
J
= 100 °C
1
T
J
= 25 °C
0.1
10
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
1000
瞬时反向漏
电流（ μA ）
T
J
= 175 °C
100
10
T
J
= 100 °C
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.001
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图4.典型的反向漏电特性
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO-201AD
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
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