MUR480EG ， MUR4100EG
SWITCHMODEt
电源整流器
超快“E '系列高反
节能能力
国家的最先进的这些设备用于开关设计
电源，逆变器和续流二极管。
特点
http://onsemi.com
20兆焦耳雪崩能量保证
出色的防瞬态电压开关
感性负载电路
超快75纳秒恢复时间
175 ° C工作结温
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压为1000 V
这些无铅器件*
超快整流器
4.0安培，伏特800-1000
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量：1.8克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运塑料袋， 5000元包
可用磁带和卷轴， 1500每卷中，加入了“ RL ''后缀
零件号
极性：负极由带极性指示
轴向引线
案例267
风格1
标记图
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
单位
V
800
1000
4.0 @
T
A
= 35°C
70
A
A
A
MUR
4xxx
YYWW
G
G
MUR480E
MUR4100E
平均正向电流整流
（方波;安装方法＃ 3每注2 ）
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结温和存储温度
范围
A
=大会地点
MUR4xxx =设备号（见第2页）
YY
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
T
J
, T
英镑
-65
+175
°C
订购信息
查看详细的订购和发货信息第2页
此数据表。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年2月 - 修订版8
出版订单号：
MUR480E/D
MUR480EG ， MUR4100EG
热特性
等级
最大热阻，结到环境
符号
R
qJA
价值
见注2
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 3.0安培，T
J
= 150°C)
(i
F
= 3.0安培，T
J
= 25°C)
(i
F
= 4.0安培，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50安培/ MS ）
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0安培，我
REC
= 0.25安培）
最大正向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 100安培/毫秒，恢复至1.0 V）
控制雪崩能量（见测试电路如图6 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
符号
v
F
1.53
1.75
1.85
i
R
900
25
t
rr
100
75
t
fr
W
AVAL
75
20
ns
mJ
ns
mA
最大
单位
V
订购信息
设备
MUR480E
MUR480EG
MUR480ERL
MUR480ERLG
MUR480ES
MUR480ESG
MUR4100E
MUR4100EG
MUR4100E
MUR4100ERL
MUR4100ERLG
轴向引线*
轴向引线*
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
MUR480ES
MUR480E
记号
包
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
航运
500单位/散装
500单位/散装
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MUR480EG ， MUR4100EG
MUR480EG ， MUR4100EG
20
IR ，反向电流（
m
A)
1000
400
200
100
40
20
10
4.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
0.004
0.002
0.001
T
J
= 175°C
100°C
T
J
= 175°C
10
100°C
7.0
5.0
25°C
25°C
I F ，正向电流（安培）
3.0
2.0
*所示的曲线是典型的最高电压
装置中的电压分组。典型的反向电流
用于较低电压的选择可以从这些估计
如果V相同的曲线
R
被充分地低于额定V
R
.
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
1.0
0.7
0.5
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
0.3
0.2
10
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
8.0
为V
R
R
qJA
= 28 ° C / W
0.1
0.07
0.05
6.0
4.0
方波
2.0
0
0
50
dc
0.03
0.02
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2
100
150
200
250
v
F,
瞬时电压（伏）
T
A
，环境温度（ ° C）
图1.典型正向电压
图3.电流降额
（安装方法＃ 3每注2 ）
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
（电容我
PK
=20
I
AV
负载）
10
dc
T
J
= 175°C
5.0
C，电容（pF ）
70
60
50
40
T
J
= 25°C
30
20
10
9.0
8.0
7.0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
图4.功耗
图5.典型电容
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3
MUR480EG ， MUR4100EG
+V
DD
I
L
40
mH
COIL
BV
DUT
V
D
MERCURY
开关
I
D
I
D
I
L
DUT
S
1
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
图6.测试电路
图7电流 - 电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图6是用于演示控制雪崩
全新的“ E' '系列超高速整流器的能力。一
水银开关，使用电子开关来代替，以
模拟嘈杂的环境中，当开关被作为
开。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
公式（ 1 ） ：
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
CH1
CH2
500V
50mV
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
在图8中的示波器照片，示出了
为MUR8100E获得的信息（类似于模
建设为MUR4100E系列）在本测试电路
在进行一安培的峰值电流处的击穿
电压为1300伏，并利用公式（2）的能量
由MUR8100E吸收大约为20毫焦耳。
尽管不推荐，设计此
条件下，新的“ E' '系列提供了额外的保护
对可以制作的那些不可预见的瞬态病毒
不明原因的随机故障在不友好的环境。
A
20ms
953 V
垂直
通道2 ：
I
L
0.5 AMPS / DIV 。
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
通道1 ：
V
DUT
500伏/格。
时基：
20
MS / DIV 。
1
CH1
收购事项
SAVEREF源
CH2
217 ： 33 HRS
堆
REF
REF
图8.电流电压波形
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4
MUR490E ， MUR4100E
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 3.0安培，T
J
= 150°C)
(i
F
= 3.0安培，T
J
= 25°C)
(i
F
= 4.0安培，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（ 1 ）
（额定直流电压，T
J
= 100°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50安培/ MS ）
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0安培，我
REC
= 0.25安培）
最大正向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 100安培/毫秒，恢复至1.0 V）
控制雪崩能量
（见测试电路如图6 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
符号
v
F
1.53
1.75
1.85
i
R
900
25
t
rr
100
75
t
fr
W
AVAL
75
20
ns
mJ
ns
mA
价值
单位
V
20
IR ，反向电流（
m
A)
T
J
= 175°C
10
100°C
7.0
5.0
I F ，正向电流（安培）
25°C
3.0
2.0
1000
400
200
100
40
20
10
4.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
0.004
0.002
0.001
T
J
= 175°C
100°C
25°C
*所示的曲线是典型的最高电压
装置中的电压分组。典型的反向电流
用于较低电压的选择可以从这些估计
如果V相同的曲线
R
被充分地低于额定V
R
.
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
1.0
0.7
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
0.5
0.3
0.2
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
10
为V
R
R
qJA
= 28 ° C / W
8.0
6.0
0.1
0.07
0.05
4.0
方波
dc
2.0
0
0
0.03
0.02
0
0.2
0.4 0.6
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
v
F,
瞬时电压（伏）
1.8
2
50
100
150
200
2
T
A
，环境温度（ ° C）
图1.典型正向电压
图3.电流降额
（安装方法＃ 3每注1 ）
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2
MUR490E ， MUR4100E
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
（电容我
PK
=20
I
AV
负载）
10
dc
T
J
= 175°C
5.0
C，电容（pF ）
70
60
50
40
T
J
= 25°C
30
20
10
9.0
8.0
7.0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
图4.功耗
图5.典型电容
+V
DD
I
L
40
mH
COIL
BV
DUT
V
D
MERCURY
开关
S
1
I
D
I
D
I
L
DUT
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
图6.测试电路
图7电流 - 电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图6是用于演示控制雪崩
全新的“ E' '系列超高速整流器的能力。一
水银开关，使用电子开关来代替，以
模拟嘈杂的环境中，当开关被作为
开。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
在图8中的示波器照片，示出了
为MUR8100E获得的信息（类似于模
建设为MUR4100E系列）在本测试电路
在进行一安培的峰值电流处的击穿
电压为1300伏，并利用公式（2）的能量
由MUR8100E吸收大约为20毫焦耳。
尽管不推荐，设计此
条件下，新的“ E' '系列提供了额外的保护
对可以制作的那些不可预见的瞬态病毒
不明原因的随机故障在不友好的环境。
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3
MUR490E ， MUR4100E
包装尺寸
轴向引线
CASE 267-05
ISSUE摹
K
D
1
A
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 267-04陈旧，新标准267-05 。
英寸
民
最大
0.287
0.374
0.189
0.209
0.047
0.051
1.000
MILLIMETERS
民
最大
7.30
9.50
4.80
5.30
1.20
1.30
25.40
B
K
暗淡
A
B
D
K
风格1 ：
PIN 1阴极（极性带）
2.阳极
半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的SWITCHMODE注册商标。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
81357733850
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站：
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为了文学：
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有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
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MUR490E/D
MUR480E ， MUR4100E
SWITCHMODEt
电源整流器
超快“E '系列高反
节能能力
国家的最先进的这些设备用于开关设计
电源，逆变器和续流二极管。
特点
http://onsemi.com
20兆焦耳雪崩能量保证
出色的防瞬态电压开关
感性负载电路
超快75纳秒恢复时间
175 ° C工作结温
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压为1000 V
这些无铅器件*
超快整流器
4.0安培，伏特800-1000
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量：1.8克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运塑料袋， 5000元包
可用磁带和卷轴， 1500每卷中，加入了“ RL ''后缀
零件号
极性：负极由带极性指示
轴向引线
案例267
风格1
标记图
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
单位
V
800
1000
4.0 @
T
A
= 35°C
70
A
A
A
MUR
4xxx
YYWW
G
G
MUR480E
MUR4100E
平均正向电流整流
（方波;安装方法＃ 3每注2 ）
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结温和存储温度
范围
A
=大会地点
MUR4xxx =设备号（见第2页）
YY
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
T
J
, T
英镑
-65
+175
°C
订购信息
查看详细的订购和发货信息第2页
此数据表。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
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半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年2月 - 启示录7
出版订单号：
MUR480E/D
MUR480E ， MUR4100E
热特性
等级
最大热阻，结到环境
符号
R
qJA
价值
见注2
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 3.0安培，T
J
= 150°C)
(i
F
= 3.0安培，T
J
= 25°C)
(i
F
= 4.0安培，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50安培/ MS ）
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0安培，我
REC
= 0.25安培）
最大正向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 100安培/毫秒，恢复至1.0 V）
控制雪崩能量（见测试电路如图6 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
符号
v
F
1.53
1.75
1.85
i
R
900
25
t
rr
100
75
t
fr
W
AVAL
75
20
ns
mJ
ns
mA
最大
单位
V
订购信息
设备
MUR480E
MUR480EG
MUR480ERL
MUR480ERLG
MUR480ES
MUR480ESG
MUR4100E
MUR4100EG
MUR4100E
MUR4100ERL
MUR4100ERLG
轴向引线*
轴向引线*
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
MUR480ES
MUR480E
记号
包
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
航运
500单位/散装
500单位/散装
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MUR480E ， MUR4100E
MUR480E ， MUR4100E
20
IR ，反向电流（
m
A)
1000
400
200
100
40
20
10
4.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
0.004
0.002
0.001
T
J
= 175°C
100°C
T
J
= 175°C
10
100°C
7.0
5.0
25°C
25°C
I F ，正向电流（安培）
3.0
2.0
*所示的曲线是典型的最高电压
装置中的电压分组。典型的反向电流
用于较低电压的选择可以从这些估计
如果V相同的曲线
R
被充分地低于额定V
R
.
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
1.0
0.7
0.5
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
0.3
0.2
10
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
8.0
为V
R
R
qJA
= 28 ° C / W
0.1
0.07
0.05
6.0
4.0
方波
dc
2.0
0
0
0.03
0.02
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2
50
100
150
200
250
v
F,
瞬时电压（伏）
T
A
，环境温度（ ° C）
图1.典型正向电压
图3.电流降额
（安装方法＃ 3每注2 ）
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
（电容我
PK
=20
I
AV
负载）
10
dc
T
J
= 175°C
5.0
C，电容（pF ）
70
60
50
40
T
J
= 25°C
30
20
10
9.0
8.0
7.0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
图4.功耗
图5.典型电容
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3
MUR480E ， MUR4100E
+V
DD
I
L
40
mH
COIL
BV
DUT
V
D
MERCURY
开关
S
1
I
D
I
D
I
L
DUT
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
图6.测试电路
图7电流 - 电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图6是用于演示控制雪崩
全新的“ E' '系列超高速整流器的能力。一
水银开关，使用电子开关来代替，以
模拟嘈杂的环境中，当开关被作为
开。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
公式（ 1 ） ：
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
CH1
CH2
500V
50mV
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
在图8中的示波器照片，示出了
为MUR8100E获得的信息（类似于模
建设为MUR4100E系列）在本测试电路
在进行一安培的峰值电流处的击穿
电压为1300伏，并利用公式（2）的能量
由MUR8100E吸收大约为20毫焦耳。
尽管不推荐，设计此
条件下，新的“ E' '系列提供了额外的保护
对可以制作的那些不可预见的瞬态病毒
不明原因的随机故障在不友好的环境。
A
20ms
953 V
垂直
通道2 ：
I
L
0.5 AMPS / DIV 。
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
通道1 ：
V
DUT
500伏/格。
时基：
20
MS / DIV 。
1
CH1
收购事项
SAVEREF源
CH2
217 ： 33 HRS
堆
REF
REF
图8.电流电压波形
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4
QQ：2881677436 复制
