MUR120系列
首选设备
SWITCHMODEt
电源整流器
MUR105 ， MUR110 ， MUR115 ， MUR120 ，
MUR130 ， MUR140 ， MUR160
http://onsemi.com
该MUR120系列开关模式电源整流器是
在开关电源，逆变器和专为使用
续流二极管。
特点
超高速整流器
1.0安培， 50 - 600伏
超快25 ， 50和75纳秒的恢复时间
175 ° C工作结温
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压为600 V
运塑料袋; 1000元包
可用磁带和卷轴; 5000每卷中，加入了“ RL ''后缀
零件号
这些无铅器件*
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量：0.4克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：负极由带极性指示
轴向引线
CASE 59
风格1
标记图
A
MUR
1xx
YYWW
G
G
A
=大会地点
MUR1xx =具体设备守则
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 10牧师
出版订单号：
MUR120/D
MUR120系列
最大额定值
MUR
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（方波安装方法＃ 3每注2 ）
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，
单相， 60赫兹）
工作结温贮藏温度
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
105
50
110
100
115
150
120
200
130
300
140
400
160
600
单位
V
1.0 @ T
A
= 130°C
35
1.0 @ T
A
= 120°C
A
A
T
J
, T
英镑
*65
到+175
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
热特性
Characterisic
最大热阻，结到环境
符号
R
qJA
最大
注2
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 1.0安培，T
J
= 150°C)
(i
F
= 1.0安培，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
REC
= 0.25 A)
最大正向恢复时间
(I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A /小姐，我
REC
1.0 V）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
v
F
0.710
0.875
i
R
50
2.0
t
rr
35
25
t
fr
25
75
50
50
ns
150
5.0
ns
1.05
1.25
mA
V
http://onsemi.com
2
MUR120系列
MUR105 ， MUR110 ， MUR115 ， MUR120
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
5.0
100
T
J
= 175°C
10
1.0
100°C
3.0
T
J
= 175°C
I F ，正向电流（安培）
2.0
25°C
1.0
0.7
0.5
100°C
0.1
0.01
25°C
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
0.3
0.2
5.0
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线来估算若V
R
足够低于
为V
R
.
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
0.1
0.07
0.05
4.0
为V
R
R
qJA
= 50℃ / W的
3.0
0.03
0.02
2.0
方波
1.0
0
0
50
100
dc
0.01
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
v
F,
瞬时电压（伏）
150
200
250
图1.典型正向电压
T
A
，环境温度（ ° C）
图3.电流降额
（安装方法＃ 3每注1 ）
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
5.0
T
J
= 175°C
4.0
I
（容性负载）
PK
+
20
I
10
5.0
C，电容（pF ）
50
T
J
= 25°C
30
20
AV
3.0
2.0
dc
1.0
方波
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
10
7.0
5.0
0
10
20
30
40
50
V
R
，反向电压（伏）
图4.功耗
图5.典型电容
http://onsemi.com
3
MUR120系列
MUR130 ， MUR140 ， MUR160
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
5.0
400
100
40
10
4.0
1.0
0.4
0.1
0.04
0.01
0.004
0
100
200
300
400
500
600
700
V
R
，反向电压（伏）
25°C
100°C
T
J
= 175°C
3.0
T
J
= 175°C
I F ，正向电流（安培）
2.0
25°C
100°C
1.0
0.7
0.5
图7.典型的反向电流*
0.3
0.2
5.0
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线来估算若V
R
足够低于
为V
R
.
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
0.1
0.07
0.05
4.0
为V
R
R
qJA
= 50℃ / W的
3.0
0.03
0.02
2.0
dc
1.0
0
0
50
100
150
200
250
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
0.01
0.3 0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.电流降额
（安装方法＃ 3每注2 ）
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
5.0
T
J
= 175°C
4.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
（容性负载）
I
2.0
I
10
dc
方波
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
10
7.0
5.0
T
J
= 25°C
20
PK
+
20
AV
3.0
2.0
0
10
20
30
40
50
V
R
，反向电压（伏）
图9.功耗
图10.典型电容
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
