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奈纳半导体有限公司
特点
双二极管建设
低漏电流
低正向压降
高浪涌电流能力
MUR10040CT通
MUR10060CTR
超快速恢复二极管， 100A
超快速开关
双塔套餐
最大额定值
(T
J
= 25
o
C除非另有说明）
参数
反向重复峰值电压
RMS反向电压
阻断电压DC
平均正向电流
非重复正向浪涌电流，半正弦
WAVE
符号条件MUR10040CT （ R）
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
T
C
≤ 140
o
C
T
C
= 25
o
C
400
280
400
100
400
MUR10060CT （R）的单位
600
420
600
100
400
V
V
V
A
A
电气特性
(T
J
= 25
o
C除非另有说明）
参数
DC正向电压
符号
V
F
条件
I
F
= 50 A
T
J
= 25
o
C
V
R
= 50 V
T
J
= 25
o
C
V
R
= 50 V
T
J
= 125
o
C
I
F
= 0.5A
I
R
= 1.0A
I
RR
= 0.25A
MUR10040CT （R） - MUR10060CT （R）的
1.3
25
1
90
1.3
25
1
110
单位
V
A
DC反向电流
I
R
mA
nS
最大反向恢复时间
t
rr
热特性
(T
J
= 25
o
C除非另有说明）
参数
热阻
结到外壳
经营，储存温度范围
符号
R
THJ -C
T
J
,
T
英镑
MUR10040CT （R） - MUR10060CT （R）的
1.0
- 40 +175
1.0
- 40 +175
单位
o
C / W
o
C
1
D- 95 ，扇区63 ，诺伊达 - 201301 ，印度电话： 0120-4205450 传真： 0120-4273653
sales@nainasemi.comwww.nainasemi.com
奈纳半导体有限公司
包装外形
MUR10040CT通
MUR10060CTR
尺寸：mm
订购表
MUR
1
100
2
40
3
CT
4
1 - 设备类型
＆ GT ;
MUR =双二极管恢复模块
2 - 额定电流= I
F（ AV ）
3 - 电压=码×10 = V
RRM
4 - 极性
＆ GT ;
CT =正常（阴极基地）
＆ GT ;
CTR =反向（阳极基地）
2
D- 95 ，扇区63 ，诺伊达 - 201301 ，印度电话： 0120-4205450 传真： 0120-4273653
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MAX6481BL20BD1-T
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MUR10040CTR
    -
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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