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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1950页 > MUR10020CT
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MUR10005CT
THRU
MUR10060CT
100
AMP
Supre快
恢复
整流器器
50
600
伏
FULL PACK
高效率Supre快速切换
高浪涌能力
低漏
低正向压降
高电流能力
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
最大
复发
反向峰值
电压
50V
100V
200V
400V
600V
最大直流
闭塞
电压
50V
100V
200V
400V
600V
MCC
产品型号
MUR10005CT
MUR10010CT
MUR10020CT
MUR10040CT
MUR10060CT
最大
RMS电压
35V
70V
40V
280V
420V
A
B
K
C
M
J
F
D
H
E
L
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
10005-10020
10040-10060
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
最大反向
恢复时间
10005-10020
10040-10060
典型结
电容
I
F（ AV ）
I
FSM
100
A
400A
T
L
= 140°C
8.3ms的，半正弦
I
FM
=
50.0A;
T
A
= 25°C
G
V
F
尺寸
寸
ES
民
最大
3.150
喃
1.565
1.585
.700
.800
.119
.132
1.375 REF
3.55
3.65
.590
.620
1/4 - UNF
.380
.410
.185
.195
.275
.295
MM
民
最大
80.01
喃
39.75
40.26
17.78
20.32
3.02
3.35
34.92 REF
90.17
92.71
14.99
15.75
满
9.65
10.41
4.70
4.95
6.99
7.49
1.10V
1.35V
I
R
25 A
T
A
= 25°C
暗淡
A
B
C
E
F
G
H
J
K
L
L
记
T
rr
C
J
50ns
75ns
240pF
I
F
= 0.5A ，我
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
*脉冲测试：脉冲宽度300μsec ，占空比1 ％
www.mccsemi.com
MUR10005CT
THRU
MUR10060CT
MCC
图2
远期降额曲线
120
图1
典型的正向特性
200
10005-10020
100
60
40
100
20
25°C
AMPS 10
6
4
2
1
.6
.4
.2
.1
0.6
0.8
1.0
伏
瞬时正向电流 - 安培
与
正向电压 - 伏特
1.2
1.4
1.6
0
20
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
50
75
100
°C
平均正向整流电流 - 安培
与
环境温度 -
°C
125
150
175
安培
40
80
10040-10060
60
科幻gure 3
结电容
1000
600
400
200
pF
T
J
=25°C
100
60
40
20
10
.1
.2
.4
1
伏
2
4
10
20
40
100
200
400
1000
结电容 - pF的
与
反向电压 - 伏特
www.mccsemi.com
MUR10005CT
THRU
MUR10060CT
图4
典型的反向特性
5000
4000
2000
400
1000
100
60
40
25
μAMPS
10
6
4
2
1
.6
.4
.2
.1
20
40
T
A
=25°C
60
80
伏
瞬时反向漏电流 - 微安
与
％的额定峰值反向电压 - 伏特
100
120
140
T
A
=125°C
0
1
2
4
安培
300
200
100
50
MCC
科幻gure
5
峰值正向浪涌电流
500
6
8 10 20
周期
40
60 80 100
峰值正向浪涌电流 - 安培
与
周期在60Hz数 - 周期
www.mccsemi.com
奈纳半导体有限公司
特点
双二极管建设
低漏电流
低正向压降
高浪涌电流能力
MUR10005CT通
MUR10020CTR
超快速恢复二极管， 100A
超快速开关
双塔套餐
最大额定值
(T
J
= 25
o
C除非另有说明）
参数
反向重复峰值
电压
RMS反向电压
阻断电压DC
平均正向电流
非重复正向浪涌
目前，正弦半波
符号条件MUR10005CT （ R） MUR10010CT （R ）
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
T
C
≤ 140
o
C
T
C
= 25
o
C
50
35
50
100
400
100
70
100
100
400
MUR10020CT （R）的单位
200
140
200
100
400
V
V
V
A
A
电气特性
(T
J
= 25
o
C除非另有说明）
参数
DC正向电压
符号
V
F
条件
I
F
= 50 A
T
J
= 25
o
C
V
R
= 50 V
T
J
= 25
o
C
V
R
= 50 V
T
J
= 125
o
C
I
F
= 0.5A
I
R
= 1.0A
I
RR
= 0.25A
MUR10005CT （R） - MUR10010CT （R） - MUR10020CT （R）的
1.3
25
1
75
1.3
25
1
75
1.3
25
1
75
单位
V
A
DC反向电流
I
R
mA
nS
最大反向恢复
时间
t
rr
热特性
(T
J
= 25
o
C除非另有说明）
参数
热阻
结到外壳
经营，储存
温度范围
符号
R
THJ -C
T
J
,
T
英镑
MUR10005CT(R)
1.0
- 40 +175
MUR10010CT(R)
1.0
- 40 +175
MUR10020CT(R)
1.0
- 40 +175
单位
o
C / W
o
C
1
D- 95 ，扇区63 ，诺伊达 - 201301 ，印度电话： 0120-4205450 传真： 0120-4273653
sales@nainasemi.comwww.nainasemi.com
奈纳半导体有限公司
包装外形
MUR10005CT通
MUR10020CTR
尺寸：mm
订购表
MUR
1
100
2
05
3
CT
4
1 - 设备类型
＆ GT ;
MUR =双二极管恢复模块
2 - 额定电流= I
F（ AV ）
3 - 电压=码×10 = V
RRM
4 - 极性
＆ GT ;
CT =正常（阴极基地）
＆ GT ;
CTR =反向（阳极基地）
2
D- 95 ，扇区63 ，诺伊达 - 201301 ，印度电话： 0120-4205450 传真： 0120-4273653
sales@nainasemi.comwww.nainasemi.com
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MI-P5VK-IYA
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MAX6390XS27D5-T
M-FIAM5BH13
MILP1812-682K
MAX5312
MRBA-3-4KPC
MTB15HBV
MBPC-200-5825
MI-QC2YY-IWY
MS3102A16-8S
M28W640FCB85ZB6F
MC100LVEL29
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MUR10020CT
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