MUN5311DW系列
双偏置电阻晶体管
NPN + PNP硅
P B
铅（Pb ） - 免费
1
6
5
4
Q
2
R
2
R
1
2
R
1
6 5
R
2
4
Q
1
3
1
2
3
SOT-363(SC-88)
最大额定值
( T
A
= 25°C除非另有说明，共同为Q1 Q2 ADN ， -minus迹象Q1（ PNP ）略）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
VCEO
VCBO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
热特性
特点（一路口加热）
器件总功耗
TA=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
符号
PD
最大
187(1)
256(2)
1.5(1)
2.0(2)
670(1)
490(2)
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
RΘJA
特性（两个路口加热）
器件总功耗
TA=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
热阻，结领导
结温和存储，使用温度范围
1.FR - 4 @最小焊盘。
2.FR - 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
PD
最大
250(1)
385(2)
2.0(1)
3.0(2)
493(1)
325(2)
188(1)
208(2)
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
° C / W
° C / W
C
RΘJA
RJL
TJ ， TSTG
器件标识和电阻值
设备
MUN5311DW
MUN5312DW
MUN5313DW
MUN5314DW
MUN5315DW
MUN5316DW
记号
11
12
13
14
15
16
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
MUN5330DW
MUN5331DW
MUN5332DW
MUN5333DW
MUN5334DW
MUN5335DW
记号
30
31
32
33
34
35
R1(K)
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
R2(K)
1.0
2.2
4.7
47
47
47
WE我TR 0：N
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
1/29
REV.B
20-Jan-09
MUN5311DW系列
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
（IC = 10微安，IE = 0）的
集电极 - 发射极击穿电压
3
（ IC = 2.0毫安， IB = 0 ）
集电极 - 基Cuto FF电压
(V
CB
= 50V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极Cuto FF电流
（ VCE = 50V ， IB = 0 ）
发射基Cuto FF电流
（ VEB = 6.0V ， IC = 0 ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
ICBO
ICEO
MUN5311DW
MUN5312DW
MUN5313DW
MUN5314DW
MUN5315DW
MUN5316DW
MUN5330DW
MUN5331DW
MUN5332DW
MUN5333DW
MUN5334DW
MUN5335DW
IEBO
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
V
V
nA
nA
mA
基本特征
3
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10毫安， IB = 0.3毫安）
（ IC = 10毫安， I B = 5毫安）
MUN5330DW/MUN5331DW
（ IC = 10毫安， IB = 1毫安）
MUN5315DW/MUN5316DW
MUN5332DW/MUN5333DW/MUN5334DW
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％
VCE （ SAT ）
-
-
0.25
VDC
WEITRON
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Rev.A的29日-12月05
MUN5311DW系列
电气特性
(T
A
= 25℃除非另有说明，共同为Q1和Q2 ， -minus迹象Q1（ PNP ）略） （续）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
基本特征
3
直流电流增益
（ VCE = -10V ， IC = 5.0毫安）
MUN5311DW
MUN5312DW
MUN5313DW
MUN5314DW
MUN5315DW
MUN5316DW
MUN5330DW
MUN5331DW
MUN5332DW
MUN5333DW
MUN5334DW
MUN5335DW
MUN5311DW
MUN5312DW
MUN5314DW
MUN5315DW
MUN5316DW
MUN5330DW
MUN5331DW
MUN5332DW
MUN5333DW
MUN5334DW
MUN5335DW
MUN5313DW
^ h FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.9
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
-
VDC
输出电压（上）
（ VCC = 5.0V ， VB = 2.5V ， R = 1.0kΩ ）
VOL
（ VCC = 5.0V ， VB = 3.5V ， RL = 1.0kΩ ）
输出电压（O FF ） （ VCC = 5.0V ， VB = 0.5V ， RL = 1.0kΩ ）
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.05V ， RL = 1.0kΩ ）
MUN5330DW
MUN5315DW
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.25V ， RL = 1.0kΩ ）
MUN5316DW
MUN5333DW
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％
VOH
VDC
WEITRON
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MUN5311DW系列
电气特性
基本特征
3
输入电阻
MUN5311DW
MUN5312DW
MUN5313DW
MUN5314DW
MUN5315DW
MUN5316DW
MUN5330DW
MUN5331DW
MUN5332DW
MUN5333DW
MUN5334DW
MUN5335DW
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
k
电阻率MUN5311DW / MUN5312DW / MUN5313DW
MUN5314DW
MUN5315DW/MUN5316DW
MUN5330DW/MUN5331DW/MUN5332DW
MUN5333DW
MUN5334DW
MUN5335DW
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2.0 ％
R1/R2
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
MUN5311DW系列
1
所有MUN5111DW系列设备
300
250
P
D ,
功耗（MW ）
200
150
100
50
0
- 50
0
R
θJA
=490°C/W
50
100
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图1降额曲线
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WEITRON
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MUN5311DW系列
WEITRON
电气特性 - MUN5311DW1T1 NPN晶体管
VCE （SAT） ，集电极电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
°C
25°C
0.1
75°C
0.01
1000
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
=10V
T
A
=75° C
25°C
-25 °C
100
0.001
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
4
I C ，集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
I
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
10
1
0.1
0.01
25°C
T
A
°C
COB，电容（pF ）
3
2
1
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
10
V
O
=0.2V
V在，输入电压（伏）
T
A
°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图6.输入电压与输出电流
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