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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第271页 > MUN5314DW1T1G
MUN5311DW1T1系列
首选设备
双偏置电阻
晶体管
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在MUN5311DW1T1系列，
两个互补的BRT装置被收容在SOT -363包
这是理想的低功率表面贴装应用中板
空间是十分宝贵的。
特点
(3)
R
1
Q
1
R
2
(4)
http://onsemi.com
(2)
R
2
Q
2
R
1
(5)
(6)
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
无铅包可用
6
1
SOT363
CASE 419B
风格1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
标记图
6
XX M
G
G
1
xx
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或位置可
这取决于制造地点而有所不同。
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
热阻
结到铅
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2）
1.5 （注1）
2.0 （注2）
670 （注1 ）
490 （注2）
最大
250 （注1 ）
385 （注2）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2）
493 （注1 ）
325 （注2）
188 （注1 ）
208 （注2）
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
qJA
订购和器件标识
信息
查看详细的订购，运输和特殊标记
本数据表第2页中的表的信息。
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
2005年12月，
启示录11
1
出版订单号：
MUN5311DW1T1/D
MUN5311DW1T1系列
订购，运输，设备标识和电阻值
设备
MUN5311DW1T1
MUN5311DW1T1G
MUN5312DW1T1
MUN5312DW1T1G
MUN5313DW1T1
MUN5313DW1T1G
MUN5314DW1T1
MUN5314DW1T1G
MUN5315DW1T1
MUN5315DW1T1G
MUN5316DW1T1
MUN5316DW1T1G
MUN5330DW1T1
MUN5330DW1T1G
MUN5331DW1T1
MUN5331DW1T1G
MUN5332DW1T1
MUN5332DW1T1G
MUN5333DW1T1
MUN5333DW1T1G
MUN5334DW1T1
MUN5334DW1T1G
MUN5335DW1T1
MUN5335DW1T1G
包
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
记号
11
R1 （ K）
10
R2 （ K）
10
航运
12
22
22
13
47
47
14
10
47
15
10
∞
16
4.7
∞
3000 /磁带&卷轴
30
1.0
1.0
31
2.2
2.2
32
4.7
4.7
33
4.7
47
34
22
47
35
2.2
47
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MUN5311DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MUN5311DW1T1
MUN5312DW1T1
MUN5313DW1T1
MUN5314DW1T1
MUN5315DW1T1
MUN5316DW1T1
MUN5330DW1T1
MUN5331DW1T1
MUN5332DW1T1
MUN5333DW1T1
MUN5334DW1T1
MUN5335DW1T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ） （我
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（ PNP ）略） （续）
特征
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN5311DW1T1
MUN5312DW1T1
MUN5313DW1T1
MUN5314DW1T1
MUN5315DW1T1
MUN5316DW1T1
MUN5330DW1T1
MUN5331DW1T1
MUN5332DW1T1
MUN5333DW1T1
MUN5334DW1T1
MUN5335DW1T1
MUN5311DW1T1
MUN5312DW1T1
MUN5313DW1T1
MUN5314DW1T1
MUN5335DW1T1
MUN5330DW1T1
MUN5331DW1T1
MUN5315DW1T1
MUN5316DW1T1
MUN5332DW1T1
MUN5333DW1T1
MUN5334DW1T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
VDC
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
V
CE （ SAT ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
http://onsemi.com
3
MUN5311DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（ PNP ）略） （续）
特征
基本特征
（注4 ）
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5311DW1T1
MUN5312DW1T1
MUN5314DW1T1
MUN5315DW1T1
MUN5316DW1T1
MUN5330DW1T1
MUN5331DW1T1
MUN5332DW1T1
MUN5333DW1T1
MUN5334DW1T1
MUN5335DW1T1
MUN5313DW1T1
MUN5311DW1T1
MUN5312DW1T1
MUN5313DW1T1
MUN5314DW1T1
MUN5333DW1T1
MUN5334DW1T1
MUN5335DW1T1
MUN5330DW1T1
MUN5315DW1T1
MUN5316DW1T1
MUN5331DW1T1
MUN5332DW1T1
MUN5311DW1T1
MUN5312DW1T1
MUN5313DW1T1
MUN5314DW1T1
MUN5315DW1T1
MUN5316DW1T1
MUN5330DW1T1
MUN5331DW1T1
MUN5332DW1T1
MUN5333DW1T1
MUN5334DW1T1
MUN5335DW1T1
V
OL
VDC
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
k
W
符号
民
典型值
最大
单位
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
OH
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
R1
电阻率MUN5311DW1T1 / MUN5312DW1T1 / MUN5313DW1T1
MUN5314DW1T1
MUN5315DW1T1/MUN5316DW1T1
MUN5330DW1T1/MUN5331DW1T1/MUN5332DW1T1
MUN5333DW1T1
MUN5334DW1T1
MUN5335DW1T1
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
R1/R2
http://onsemi.com
4
MUN5311DW1T1系列
所有MUN5311DW1T1系列设备
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 490 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
5
MUN5311DW1T1G系列
双偏置电阻
晶体管
首选设备
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在
MUN5311DW1T1G系列，两种互补的BRT设备
安置在SOT -363封装，非常适用于低功耗表面
安装应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
(3)
http://onsemi.com
(2)
R
1
Q
1
R
2
(4)
R
2
Q
2
R
1
(5)
(6)
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
6
1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
1
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2）
1.5 （注1）
2.0 （注2）
670 （注1 ）
490 （注2）
最大
250 （注1 ）
385 （注2）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2）
493 （注1 ）
325 （注2）
188 （注1 ）
208 （注2）
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
SOT363
CASE 419B
风格1
标记图
6
XX M
G
G
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
热阻
结到铅
结温和存储温度
xx
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或位置可
这取决于制造地点而有所不同。
R
qJA
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
订购和器件标识
信息
查看详细的订购，运输和特殊标记
本数据表第2页中的表的信息。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年10月
启示录12
1
出版订单号：
MUN5311DW1T1/D
MUN5311DW1T1G系列
订购，运输，设备标识和电阻值
设备
MUN5311DW1T1G
MUN5312DW1T1G
MUN5313DW1T1G
MUN5314DW1T1G
MUN5315DW1T1G
MUN5316DW1T1G
MUN5330DW1T1G
MUN5331DW1T1G
MUN5332DW1T1G
MUN5333DW1T1G
MUN5334DW1T1G
MUN5335DW1T1G
包
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
记号
11
12
13
14
15
16
30
31
32
33
34
35
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
3000 /磁带&卷轴
1.0
2.2
4.7
47
47
47
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MUN5311DW1T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MUN5311DW1T1G
MUN5312DW1T1G
MUN5313DW1T1G
MUN5314DW1T1G
MUN5315DW1T1G
MUN5316DW1T1G
MUN5330DW1T1G
MUN5331DW1T1
G
MUN5332DW1T1G
MUN5333DW1T1
G
MUN5334DW1T1G
MUN5335DW1T1G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ） （我
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
http://onsemi.com
3
MUN5311DW1T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（ PNP ）略） （续）
特征
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN5311DW1T1G
MUN5312DW1T1G
MUN5313DW1T1G
MUN5314DW1T1G
MUN5315DW1T1G
MUN5316DW1T1G
MUN5330DW1T1G
MUN5331DW1T1G
MUN5332DW1T1G
MUN5333DW1T1G
MUN5334DW1T1G
MUN5335DW1T1G
MUN5311DW1T1G
MUN5312DW1T1G
MUN5313DW1T1G
MUN5314DW1T1G
MUN5335DW1T1G
MUN5330DW1T1G
MUN5331DW1T1G
MUN5315DW1T1G
MUN5316DW1T1G
MUN5332DW1T1G
MUN5333DW1T1G
MUN5334DW1T1G
MUN5311DW1T1G
MUN5312DW1T1G
MUN5314DW1T1G
MUN5315DW1T1G
MUN5316DW1T1G
MUN5330DW1T1G
MUN5331DW1T1G
MUN5332DW1T1G
MUN5333DW1T1G
MUN5334DW1T1G
MUN5335DW1T1G
MUN5313DW1T1G
MUN5311DW1T1G
MUN5312DW1T1G
MUN5313DW1T1G
MUN5314DW1T1G
MUN5333DW1T1G
MUN5334DW1T1G
MUN5335DW1T1G
MUN5330DW1T1G
MUN5315DW1T1G
MUN5316DW1T1G
MUN5331DW1T1G
MUN5332DW1T1G
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
VDC
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
VDC
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
V
CE （ SAT ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
OL
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
OH
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
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4
MUN5311DW1T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（ PNP ）略） （续）
特征
基本特征
（注4 ）
输入电阻
MUN5311DW1T1G
MUN5312DW1T1G
MUN5313DW1T1G
MUN5314DW1T1G
MUN5315DW1T1G
MUN5316DW1T1G
MUN5330DW1T1G
MUN5331DW1T1G
MUN5332DW1T1G
MUN5333DW1T1G
MUN5334DW1T1G
MUN5335DW1T1G
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
k
W
符号
民
典型值
最大
单位
电阻率MUN5311DW1T1G / MUN5312DW1T1G / MUN5313DW1T1G
MUN5314DW1T1G
MUN5315DW1T1G/MUN5316DW1T1G
MUN5330DW1T1G/MUN5331DW1T1G/MUN5332DW1T1G
MUN5333DW1T1G
MUN5334DW1T1G
MUN5335DW1T1G
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
R1/R2
所有MUN5311DW1T1G系列设备
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 490 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
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5
MUN5314DW1,
NSBC114YPDXV6,
NSBC114YPDP6
互补的偏差
电阻晶体管
R 1 = 10千瓦， R2 = 47千瓦
NPN和PNP晶体管与单片
偏置电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的
能够显着降低系统成本和电路板空间。
特点
(3)
R
1
Q
1
Q
2
R
2
(4)
(5)
R
1
(6)
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引脚连接
(2)
R
2
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他应用程序
需要独特的网站和控制变化的要求;
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25C两极Q
1
（ PNP ） & Q
2
（ NPN型） ，除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
40
6
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
标记DIAGRAMS
6
SOT363
CASE 419B
1
14 M
G
G
SOT563
CASE 463A
1
14 M
G
G
SOT963
CASE 527AD
1
M
G
G
Q
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
14/Q
M
G
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
MUN5314DW1T1G,
SMUN5314DW1T1G
NSBC114YPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T5G
NSBC114YPDP6T5G
包
SOT363
SOT563
SOT563
SOT963
航运
3000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和
磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第0版
1
出版订单号：
DTC114YP/D
MUN5314DW1 ， NSBC114YPDXV6 ， NSBC114YPDP6
热特性
特征
MUN5314DW1 （ SOT- 363 ）一路口加热
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
MUN5314DW1 （ SOT- 363 ）两个路口加热
（注3）
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
NSBC114YPDXV6 （ SOT- 563 ）一路口加热
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
NSBC114YPDXV6 （ SOT- 563 ）两个路口加热
（注3）
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
NSBC114YPDP6 （ SOT- 963 ）一路口加热
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
NSBC114YPDP6 （ SOT- 963 ）两个路口加热
（注3）
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
5.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0
1.0英寸的垫。
这两个路口加热值假设总功率是两个同样动力的通道总和。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
P
D
339
408
2.7
3.3
369
306
55
+150
MW
毫瓦/°C的
° C / W
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
P
D
231
269
1.9
2.2
540
464
MW
毫瓦/°C的
° C / W
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
P
D
500
4.0
250
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
P
D
357
2.9
350
mW
毫瓦/°C的
° C / W
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
250
385
2.0
3.0
493
325
188
208
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
187
256
1.5
2.0
670
490
mW
毫瓦/°C的
° C / W
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJA
R
qJL
° C / W
T
J
, T
英镑
C
R
qJA
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJA
T
J
, T
英镑
C
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2
MUN5314DW1 ， NSBC114YPDXV6 ， NSBC114YPDP6
电气特性
(T
A
= 25C两极Q
1
（ PNP ） & Q
2
（ NPN型） ，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注6 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
直流电流增益（注6 ）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集电极 - 发射极饱和电压（注6 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
（ NPN ）
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
（ PNP）
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 1.0 mA）的（ NPN）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 1.0 mA）的（PNP）
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
6.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
80
4.9
7.0
0.17
140
0.7
0.7
0.8
0.9
10
0.21
0.25
0.2
13
0.25
V
VDC
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.2
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
V
我（上）
VDC
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
VDC
VDC
kW
400
P
D
，功耗（毫瓦）
350
300
250
200
150
100
50
0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
(1) (2) (3)
（ 1 ） SOT- 363 ; 1.0
1.0英寸的垫
（ 2 ） SOT- 563 ;最小焊盘
（ 3 ） SOT- 963 ; 100毫米
2
， 1盎司铜线
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
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3
MUN5314DW1 ， NSBC114YPDXV6 ， NSBC114YPDP6
典型特征
NPN晶体管
MUN5314DW1 ， NSBC114YPDXV6
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极电压（ V）
1
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
1000
V
CE
= 10 V
25C
100
150C
25C
0.1
150C
55C
10
55C
0.01
0
10
20
30
40
50
1
0.1
I
C
，集电极电流（毫安）
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
3.6
C
ob
，输出电容（ pF）的
I
C
，集电极电流（毫安）
3.2
2.8
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
10
20
30
40
50
V
R
，反向电压（V）的
F = 10千赫
I
E
= 0 A
T
A
= 25C
100
10
55C
1
0.1
0.01
25C
150C
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（ V）
8
9
10
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
V
in
，输入电压（ V）
10
25C
55C
1
150C
V
O
= 0.2 V
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
0.1
图6.输入电压与输出电流
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4
MUN5314DW1 ， NSBC114YPDXV6 ， NSBC114YPDP6
典型特征
PNP晶体管
MUN5314DW1 ， NSBC114YPDXV6
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极电压（ V）
1
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
1000
V
CE
= 10 V
25C
100
25C
150C
150C
55C
0.1
10
55C
0.01
0
10
20
30
40
50
1
0.1
I
C
，集电极电流（毫安）
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图7. V
CE （ SAT ）
与我
C
图8.直流电流增益
10
C
ob
，输出电容（ pF）的
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
9
F = 10千赫
I
E
= 0 A
T
A
= 25C
100
55C
10
1
25C
0.1
150C
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
V
in
，输入电压（ V）
6
7
0.001
V
R
，反向电压（V）的
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
100
V
in
，输入电压（ V）
10
25C
55C
1
150C
V
O
= 0.2 V
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
0.1
图11.输入电压与输出电流
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MI-P21L-MYW
MI-PC2L3-MW
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MC7905ACT
MB2011SB3W01
MAX4256ESA
M38277EEMXXXHP
MLG1005S18NT
MI-L2W-MW
MI-QC23J-IXY
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