MUN5211DW1T1G系列
首选设备
双偏置电阻
晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1G
系列2的BRT设备被容纳在SOT -363封装，是
非常适用于低功率表面贴装应用中，电路板空间
溢价。
特点
http://onsemi.com
(3)
R
1
Q
1
Q
2
R
2
(4)
R
1
(5)
(6)
(2)
R
2
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
1
SOT363
CASE 419B
风格1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
标记图
6
XX M
G
G
1
xx
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或位置可
这取决于制造地点而有所不同。
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
结到铅
结温和存储温度
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2）
1.5 （注1）
2.0 （注2）
670 （注1 ）
490 （注2）
最大
250 （注1 ）
385 （注2）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2）
493 （注1 ）
325 （注2）
188 （注1 ）
208 （注2）
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
qJA
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年10月
启8
1
出版订单号：
MUN5211DW1T1/D
MUN5211DW1T1G系列
器件标识和电阻值
设备
MUN5211DW1T1G
MUN5212DW1T1G
MUN5213DW1T1G
MUN5214DW1T1G
MUN5215DW1T1G
MUN5216DW1T1G
MUN5230DW1T1G
MUN5231DW1T1G
MUN5232DW1T1G
MUN5233DW1T1G
MUN5234DW1T1G
MUN5235DW1T1G
MUN5236DW1T1G
MUN5237DW1T1G
包
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
记号
7A
7B
7C
7D
7E
7F
7G
7H
7J
7K
7L
7M
7N
7P
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
47
100
22
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MUN5211DW1T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
基本特征
（注5 ） （续）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5211DW1T1G
MUN5212DW1T1G
MUN5213DW1T1G
MUN5214DW1T1G
MUN5233DW1T1G
MUN5234DW1T1G
MUN5235DW1T1G
MUN5230DW1T1G
MUN5215DW1T1G
MUN5216DW1T1G
MUN5231DW1T1G
MUN5232DW1T1G
MUN5236DW1T1G
MUN5237DW1T1G
MUN5211DW1T1G
MUN5212DW1T1G
MUN5213DW1T1G
MUN5214DW1T1G
MUN5215DW1T1G
MUN5216DW1T1G
MUN5230DW1T1G
MUN5231DW1T1G
MUN5232DW1T1G
MUN5233DW1T1G
MUN5234DW1T1G
MUN5235DW1T1G
MUN5236DW1T1G
MUN5237DW1T1G
V
OH
VDC
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
W
符号
民
典型值
最大
单位
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
R1
电阻率MUN5211DW1T1G / MUN5212DW1T1G /
MUN5213DW1T1G/MUN5236DW1T1G
MUN5214DW1T1G
MUN5215DW1T1G/MUN5216DW1T1G
MUN5230DW1T1G/MUN5231DW1T1G/MUN5232DW1T1G
MUN5233DW1T1G
MUN5234DW1T1G
MUN5235DW1T1G
MUN5237DW1T1G
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
R1/R2
所有MUN5211DW1T1G系列设备
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
5
MUN5211DW1T1系列
首选设备
双偏置电阻
晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，
2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想
针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个
溢价。
特点
http://onsemi.com
(3)
R
1
Q
1
(2)
R
2
(1)
Q
2
R
2
(4)
R
1
(5)
(6)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
无铅包可用
6
1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT363
CASE 419B
风格1
标记图
6
XX M
G
G
1
xx
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或位置可
这取决于制造地点而有所不同。
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
结到铅
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2）
1.5 （注1）
2.0 （注2）
670 （注1 ）
490 （注2）
最大
250 （注1 ）
385 （注2）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2）
493 （注1 ）
325 （注2）
188 （注1 ）
208 （注2）
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
qJA
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
R
qJA
R
qJL
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
结温和存储温度
T
J
, T
英镑
-55到+150
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年12月 - 修订版7
出版订单号：
MUN5211DW1T1/D
MUN5211DW1T1系列
器件标识和电阻值
设备
MUN5211DW1T1
MUN5211DW1T1G
MUN5212DW1T1
MUN5212DW1T1G
MUN5213DW1T1
MUN5213DW1T1G
MUN5214DW1T1
MUN5214DW1T1G
MUN5215DW1T1
MUN5215DW1T1G
MUN5216DW1T1
MUN5216DW1T1G
MUN5230DW1T1
MUN5230DW1T1G
MUN5231DW1T1
MUN5231DW1T1G
MUN5232DW1T1
MUN5232DW1T1G
MUN5233DW1T1
MUN5233DW1T1G
MUN5234DW1T1
MUN5234DW1T1G
MUN5235DW1T1
MUN5235DW1T1G
MUN5236DW1T1
MUN5236DW1T1G
MUN5237DW1T1
MUN5237DW1T1G
包
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
记号
7A
7A
7B
7B
7C
7C
7D
7D
7E
7E
7F
7F
7G
7G
7H
7H
7J
7J
7K
7K
7L
7L
7M
7M
7N
7N
7P
7P
R1 （ K）
10
10
22
22
47
47
10
10
10
10
4.7
4.7
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
4.7
4.7
22
22
2.2
2.2
100
100
47
47
R2 （ K）
10
10
22
22
47
47
47
47
∞
∞
∞
∞
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
47
47
47
47
47
47
100
100
22
22
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MUN5211DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
基本特征
（注5 ） （续）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
OH
MUN5211DW1T1 ，G
MUN5212DW1T1 ，G
MUN5213DW1T1 ，G
MUN5214DW1T1 ，G
MUN5233DW1T1 ，G
MUN5234DW1T1 ，G
MUN5235DW1T1 ，G
MUN5230DW1T1 ，G
MUN5215DW1T1 ，G
MUN5216DW1T1 ，G
MUN5231DW1T1 ，G
MUN5232DW1T1 ，G
MUN5236DW1T1 ，G
MUN5237DW1T1 ，G
MUN5211DW1T1 ，G
MUN5212DW1T1 ，G
MUN5213DW1T1 ，G
MUN5214DW1T1 ，G
MUN5215DW1T1 ，G
MUN5216DW1T1 ，G
MUN5230DW1T1 ，G
MUN5231DW1T1 ，G
MUN5232DW1T1 ，G
MUN5233DW1T1 ，G
MUN5234DW1T1 ，G
MUN5235DW1T1 ，G
MUN5236DW1T1 ，G
MUN5237DW1T1 ，G
R1
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
W
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率MUN5211DW1T1 ， G / MUN5212DW1T1 ， G /
MUN5213DW1T1 ， G / MUN5236DW1T1 ，G
MUN5214DW1T1 ，G
MUN5215DW1T1 ， G / MUN5216DW1T1 ，G
MUN5230DW1T1 ， G / MUN5231DW1T1 ， G / MUN5232DW1T1 ，G
MUN5233DW1T1 ，G
MUN5234DW1T1 ，G
MUN5235DW1T1 ，G
MUN5237DW1T1 ，G
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
R1/R2
所有MUN5211DW1T1系列设备
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
