MUN5211T1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SC - 70 / SOT- 323封装，专为低功耗
表面贴装应用。
特点
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NPN硅
偏置电阻
晶体管
3脚
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹卷带包装。设备号
订购的7英寸/ 3000单元卷轴。
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
BASE
（输入）
R
1
R
2
3
1
2
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
标记图
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
热阻，结到铅
结温和存储温度
范围
符号
P
D
最大
202 （注1）
310 （注2）
1.6 （注1 ）
2.5 （注2）
618 （注1 ）
403 （注2）
280 （注1 ）
332 （注2）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
8X M
G
G
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
8X =器件代码
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月， - 启示录7
出版订单号：
MUN5211T1/D
MUN5211T1系列
器件标识和电阻值
设备
MUN5211T1
MUN5211T1G
MUN5212T1
MUN5212T1G
MUN5213T1
MUN5213T1G
MUN5214T1
MUN5214T1G
MUN5215T1 （注3）
MUN5215T1G （注3）
MUN5216T1 （注3）
MUN5216T1G （注3）
MUN5230T1 （注3）
MUN5230T1G （注3）
MUN5231T1 （注3）
MUN5231T1G （注3）
MUN5232T1 （注3）
MUN5232T1G （注3）
MUN5233T1 （注3）
MUN5233T1G （注3）
MUN5234T1 （注3）
MUN5234T1G （注3）
MUN5235T1 （注3）
MUN5235T1G （注3）
MUN5236T1 （注3）
MUN5236T1G （注3）
MUN5237T1 （注3）
MUN5237T1G （注3）
包
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
记号
8A
8A
8B
8B
8C
8C
8D
8D
8E
8E
8F
8F
8G
8G
8H
8H
8J
8J
8K
8K
8L
8L
8M
8M
8N
8N
8P
8P
R1 （ K）
10
10
22
22
47
47
10
10
10
10
4.7
4.7
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
4.7
4.7
22
22
2.2
2.2
100
100
47
47
R2 （ K）
10
10
22
22
47
47
47
47
∞
∞
∞
∞
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
47
47
47
47
47
47
100
100
22
22
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
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2
MUN5211T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MUN5211T1
MUN5212T1
MUN5213T1
MUN5214T1
MUN5215T1
MUN5216T1
MUN5230T1
MUN5231T1
MUN5232T1
MUN5233T1
MUN5234T1
MUN5235T1
MUN5236T1
MUN5237T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN5211T1
MUN5212T1
MUN5213T1
MUN5214T1
MUN5215T1
MUN5216T1
MUN5230T1
MUN5231T1
MUN5232T1
MUN5233T1
MUN5234T1
MUN5235T1
MUN5236T1
MUN5237T1
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
MUN5230T1/MUN5231T1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
MUN5215T1/MUN5216T1/
MUN5232T1/MUN5233T1/MUN5234T1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5211T1
MUN5212T1
MUN5214T1
MUN5215T1
MUN5216T1
MUN5230T1
MUN5231T1
MUN5232T1
MUN5233T1
MUN5234T1
MUN5235T1
MUN5213T1
MUN5236T1
MUN5237T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
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3
MUN5211T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
基本特征
（注5 ） （续）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5230T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5215T1
MUN5216T1
MUN5233T1
输入电阻
MUN5211T1
MUN5212T1
MUN5213T1
MUN5214T1
MUN5215T1
MUN5216T1
MUN5230T1
MUN5231T1
MUN5232T1
MUN5233T1
MUN5234T1
MUN5235T1
MUN5236T1
MUN5237T1
电阻率
MUN5211T1/MUN5212T1/MUN5213T1/
MUN5236T1
MUN5214T1
MUN5215T1/MUN5216T1
MUN5230T1/MUN5231T1/MUN5232T1
MUN5233T1
MUN5234T1
MUN5235T1
MUN5237T1
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
R
1
/R
2
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
V
OH
4.9
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
kW
350
P
D
，功耗（毫瓦）
300
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 403 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
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4
QQ：2881677436 复制
