MUN5211系列
NPN硅偏置电阻晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
R1
R2
3
1
2
SOT-323(SC-70)
最大额定值
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
VCEO
VCBO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（ 1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（ 1 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
RJ-A
TJ ， TSTG
最大
202
1.6
618
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
C
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0
l
1.0英寸的垫
l
器件标识和电阻值
设备
MUN5211
MUN5212
MUN5213
MUN5214
MUN5215
MUN5216
MUN5230
记号
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
MUN5231
MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5236
MUN5237
记号
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
1.0
我们ITR 0：N
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Rev.A的30日-12月05
MUN5211系列
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 2.0毫安， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = 10微安，IE = 0）的
集电极 - 基Cuto FF电压
(V
CB
= 50V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流
（ ICE = 50V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 6.0V ， IC = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
ICBO
ICEO
MUN5211
MUN5212
MUN5213
MUN5214
MUN5215
MUN5216
MUN5230
MUN5231
MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5236
MUN5237
IEBO
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
mA
WEITRON
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MUN5211系列
电气特性
基本特征
(3)
直流电流增益
（ VCE = 10V ， IC = 5.0毫安）
MUN5211
MUN5212
MUN5213
MUN5214
MUN5215
MUN5216
MUN5230
MUN5231
MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5236
MUN5237
^ h FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
-
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， I B = 0.3毫安）
（ IC = 10毫安， I B = 5毫安）
MUN5230/MUN5231
（ IC = 10毫安， I B = 1毫安）
MUN5215/MUN5216
MUN5232/MUN5233/MUN5234
输出电压（上）
（ VCC = 5.0V ， VB = 2.5V ， RL = 1.0K
)
MUN5211
MUN5212
MUN5214
MUN5215
MUN5216
MUN5230
MUN5231
MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5213
MUN5236
MUN5237
VCE （ SAT ）
VOL
（ VCC = 5.0V ， VB = 3.5V ， RL = 1.0K ）
（ VCC = 5.0V ， VB = 5.5V ， RL = 1.0K ）
（ VCC = 5.0V ， VB = 4.0V ， RL = 1.0K ）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
-
VDC
输出电压（关）
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.5V ， RL = 1.0K ）
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.050V ， R L = 1.0K ） MUN5230
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.25V ， RL = 1.0K ） MUN5215 / MUN5216 / MUN5233
3.脉冲测试：脉冲宽度300我们，占空比2.0 ％
V
V
VOH
VDC
WEITRON
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MUN5211系列
电气特性
基本特征
输入电阻
MUN5211
MUN5212
MUN5213
MUN5214
MUN5215
MUN5216
MUN5230
MUN5231
MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5236
MUN5237
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
电阻率MUN5211 / MUN5212
MUN5213/MUN5236
MUN5214
MUN5215/MUN5216
MUN5230/MUN5231/MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5237
R1/R2
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
MUN5211
VCE （SAT） ，收集或电压（伏）
350
ATION （ mW）的
300
250
200
P
D
，电源DISSIP
150
100
50
0
- 50
R
θJA
= 403 C / W
0
50
T
A
，环境温
100
TURE （ C）
150
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= -25 C
25 C
0.1
75 C
0.01
0.001
0
40
20
I
C
，收集或电流（mA）
50
图1.降额曲线
图2 V
CE （ SAT ）
与我
C
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Rev.A的30日-12月05
MUN5211系列
的hFE ， DC电流增益（标准化）
1000
V
CE
= 10 V
OB ，电容（pF ）
T
A
= 75 C
25 C
-25 C
100
3
4
WEITRON
F = 1M的赫兹
I
E
= 0 V
T
A
= 25 C
2
1
10
1
10
I
C
，收集或电流（M A）
100
0
0
20
30
40
10
V
R
，反向偏置VOL TAGE （伏）
50
图3直流电流增益
100
75 C
IC ，收集或电流（mA）
10
25 C
T
A
= -25 C
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
图4输出电容
T
A
= -25 C
25 C
75 C
1
1
0.1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0.001
0.1
0
10
40
20
30
I
C
，收集或电流（mA）
50
图5输出电流与输入电压
MUN5212
VCE （SAT） ，收集或电压（伏）
的hFE ， DC电流增益（标准化）
1
I
C
/I
B
= 10
25 C
0.1
T
A
= -25 C
75 C
1000
图6输入电压与输出电流
V
CE
= 10 V
T
A
= 75 C
25 C
-25 C
100
0.01
0.001
0
20
I
C
，收集或电流（M A）
40
50
10
1
10
I
C
，收集或电流（M A）
100
FGI.7 VCE （SAT）与I C
图8直流电流增益
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Rev.A的30日-12月05
MUN5211DW1T1系列
首选设备
双偏置电阻
晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
http://onsemi.com
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，
2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想
针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个
溢价。
(3)
R
1
Q
1
(2)
R
2
(1)
Q
2
R
2
(4)
R
1
(5)
(6)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
6
1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT363
CASE 419B
风格1
标记图
6
XX
d
1
XX =具体设备守则
d
=日期代码
=
（见第2页）
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
670 （注1 ）
490 （注2 ）
最大
250 （注1 ）
385 （注2 ）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2 ）
493 （注1 ）
325 （注2 ）
188 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
θJA
器件标识信息
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 修订版5
出版订单号：
MUN5211DW1T1/D
MUN5211DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1
MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k)
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
MUN5230DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5233DW1T1
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0 k)
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k)
VDC
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
http://onsemi.com
3
MUN5211DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注5 ） （续）
输入电阻
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
电阻率MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 /
MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5237DW1T1
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
R1/R2
所有MUN5211DW1T1系列设备
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
θJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
4
MUN5211DW1T1系列
首选设备
双偏置电阻
晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
http://onsemi.com
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，
2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想
针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个
溢价。
(3)
R
1
Q
1
(2)
R
2
(1)
Q
2
R
2
(4)
R
1
(5)
(6)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
6
1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT363
CASE 419B
风格1
标记图
6
XX
d
1
XX =具体设备守则
d
=日期代码
=
（见第2页）
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
670 （注1 ）
490 （注2 ）
最大
250 （注1 ）
385 （注2 ）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2 ）
493 （注1 ）
325 （注2 ）
188 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
θJA
器件标识信息
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 修订版5
出版订单号：
MUN5211DW1T1/D
MUN5211DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1
MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k)
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
MUN5230DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5233DW1T1
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0 k)
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k)
VDC
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
http://onsemi.com
3
MUN5211DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注5 ） （续）
输入电阻
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
电阻率MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 /
MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5237DW1T1
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
R1/R2
所有MUN5211DW1T1系列设备
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
θJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
4
MUN2233 ， MMUN2233L ，
MUN5233 ， DTC143ZE ，
DTC143ZM3 ， NSBC143ZF3
数字晶体管（ BRT ）
R1 = 4.7千瓦， R2 = 47千瓦
NPN晶体管与单片偏置
电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的
能够显着降低系统成本和电路板空间。
特点
销1
BASE
（输入）
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引脚连接
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
标记DIAGRAMS
SC59
CASE 318D
风格1
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101
合格的，有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
30
5
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
XX MG
G
1
XXX MG
G
1
XX MG
G
1
XX M
1
XX M
1
XM 1
SOT23
CASE 318
类型6
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
SC75
CASE 463
风格1
SOT723
CASE 631AA
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
SOT1123
CASE 524AA
风格1
XXX
=具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年8月
第0版
1
出版订单号：
DTC143Z/D
MUN2233 ， MMUN2233L ， MUN5233 ， DTC143ZE ， DTC143ZM3 ， NSBC143ZF3
表1.订购信息
设备
MUN2233T1G ， NSVMUN2233T1G
MMUN2233LT1G,
SMMUN2233LT1G
MUN5233T1G ， SMUN5233T1G
DTC143ZET1G
DTC143ZM3T5G
NSBC143ZF3T5G
最热
8K
A8K
8K
8K
8K
R
包
SC59
（无铅）
SOT23
（无铅）
SC70/SOT323
（无铅）
SC75
（无铅）
SOT723
（无铅）
SOT1123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
(1) (2) (3) (4) (5)
（ 1 ） SC- 75和SC- 70 / SOT- 323 ;最小焊盘
（ 2 ） SC- 59 ;最小焊盘
（ 3 ） SOT- 23 ;最小焊盘
（ 4 ） SOT- 1123 ; 100毫米
2
， 1盎司铜线
（ 5 ） SOT- 723 ;最小焊盘
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
http://onsemi.com
2
MUN2233 ， MMUN2233L ， MUN5233 ， DTC143ZE ， DTC143ZM3 ， NSBC143ZF3
表2.热特性
特征
热特性（ SC - 59 ） （ MUN2233 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SOT -23 ） （ MUNN2233L ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 70 / SOT- 323 ） （ MUN5233 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 75 ） （ DTC143ZE ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
热特性（ SOT- 723 ） （ DTC143ZM3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR * 4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR * 4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
260
600
2.0
4.8
480
205
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
200
300
1.6
2.4
600
400
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
202
310
1.6
2.5
618
403
280
332
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
246
400
2.0
3.2
508
311
174
208
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
230
338
1.8
2.7
540
370
264
287
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
http://onsemi.com
3
MUN2233 ， MMUN2233L ， MUN5233 ， DTC143ZE ， DTC143ZM3 ， NSBC143ZF3
表2.热特性
特征
热特性（ SOT- 1123 ） （ NSBC143ZF3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，结领导
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR * 4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR * 4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注3）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
（注3）
P
D
254
297
2.0
2.4
493
421
193
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
表3.电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
DC电流增益（注5）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集热器
*发射器
饱和电压（注5 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 5 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
5.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
v
2%.
h
FE
80
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
V
我（上）
V
OL
V
OH
4.9
R1
R
1
/R
2
3.3
0.055
4.7
0.1
6.1
0.185
kW
0.2
VDC
0.9
VDC
0.6
VDC
0.25
VDC
200
VDC
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
50
V
（ BR ） CEO
50
VDC
0.18
VDC
500
MADC
100
NADC
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
4
MUN2233 ， MMUN2233L ， MUN5233 ， DTC143ZE ， DTC143ZM3 ， NSBC143ZF3
典型特征
MUN2233 ， MMUN2233L ， MUN5233 ， DTC143ZE ， DTC143ZM3
1
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
150°C
1000
V
CE
= 10 V
0.1
150°C
55°C
25°C
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
100
25°C
55°C
0.01
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
3.2
2.8
C
ob
，电容（pF ）
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
F = 10千赫
I
E
= 0 A
T
A
= 25°C
100
150°C
10
1
0.1
0.01
图3.直流电流增益
55°C
25°C
V
O
= 5 V
0
1
2
V
in
，输入电压（ V）
3
4
0.001
V
R
，反向偏置电压（V）的
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
10
V
in
，输入电压（ V）
55°C
1
150°C
25°C
0.1
0
V
O
= 0.2 V
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图6.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
