【MUN5211T1系列首选设备偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络此新系列数字晶体】,IC型号MUN5231T1,MUN5231T1 PDF资料,MUN5231T1经销商,ic,电子元器件-51电子网

MUN5211T1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻

晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管

由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极

电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少

系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

SC - 70 / SOT- 323封装，专为低功耗

表面贴装应用。

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

可在8毫米压纹卷带包装。设备号

订购的7英寸/ 3000单元卷轴。

无铅包可用

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

SC70/SOT323

CASE 419

方式3

8X M

http://onsemi.com

NPN硅

偏置电阻

晶体管

3脚

集热器

（输出）

销2

辐射源

（接地）

销1

BASE

（输入）

R

1

R

2

标记图

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻

结到环境

热阻

结到铅

结存储

温度范围

符号

P

D

最大

202 （注1）

310 （注2）

1.6 （注1 ）

2.5 （注2）

618 （注1 ）

403 （注2）

280 （注1 ）

332 （注2）

55

+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

8x

x

M

=具体设备守则

= （参见标记表）

=日期代码

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

订购信息

° C / W

°C

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR- 4 @最小焊盘。

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。

器件标识信息

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第2页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年11月

启示录6

1

出版订单号：

MUN5211T1/D

MUN5211T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN5211T1

MUN5211T1G

MUN5212T1

MUN5212T1G

MUN5213T1

MUN5213T1G

MUN5214T1

MUN5214T1G

MUN5215T1 （注3）

MUN5215T1G （注3）

MUN5216T1 （注3）

MUN5216T1G （注3）

MUN5230T1 （注3）

MUN5231T1 （注3）

MUN5231T1G （注3）

MUN5232T1 （注3）

MUN5232T1G （注3）

MUN5233T1 （注3）

MUN5233T1G （注3）

MUN5234T1 （注3）

MUN5235T1 （注3）

MUN5235T1G （注3）

MUN5236T1 （注3）

MUN5237T1 （注3）

包

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

记号

8A

8B

8C

8D

8E

8F

8G

8H

8J

8K

8L

8M

8N

8P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

http://onsemi.com

2

MUN5211T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5236T1

MUN5237T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5236T1

MUN5237T1

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的

MUN5230T1/MUN5231T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的

MUN5215T1/MUN5216T1/

MUN5232T1/MUN5233T1/MUN5234T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5213T1

MUN5236T1

MUN5237T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

(V

CC

= 5.0 V,

(V

CC

= 5.0 V,

(V

CC

= 5.0 V,

V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

0.2

VDC

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

http://onsemi.com

3

MUN5211T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注5 ）（续）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5230T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5233T1

输入电阻

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5236T1

MUN5237T1

MUN5211T1/MUN5212T1/MUN5213T1/

MUN5236T1

MUN5214T1

MUN5215T1/MUN5216T1

MUN5230T1/MUN5231T1/MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5237T1

V

OH

4.9

VDC

R

1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

kW

电阻率

R

1

/R

2

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

350

P

D

，功耗（毫瓦）

300

250

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 403 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

4

MUN5211T1系列

典型电气特性

MUN5211T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

25°C

T

A

= 25°C

OB ，电容（pF ）

3

2

1

0.01

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

图6.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

5

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MUN5211T1 / D

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管，

单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置

和它的外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）

包含一个带有整体式偏置网络包括两个单个晶体管

电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。在BRT消除

这些单独的部件通过将它们集成到单个设备中。利用

一个BRT可以降低系统成本和电路板空间。该设备采用

在SC- 70 / SOT- 323封装，适用于低功率表面贴装

应用程序。

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过焊接

波或回流。修改后的鸥翼引线吸收

焊接过程中消除的可能性热应力

的损坏模具。

可在8毫米压纹带和卷轴

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

替换“ T1”与“ T3 ”的设备编号订购

13英寸/ 10,000件卷轴。

最大额定值

（ TA = 25° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）

减免上述25℃

符号

VCBO

VCEO

IC

PD

R1

PIN1 R2

BASE

（输入）

PIN2

辐射源

（接地）

PIN3

集热器

（输出）

MUN5211T1

系列

摩托罗拉的首选设备

NPN硅

偏置电阻

晶体管

3

1

2

CASE 419-02 ，花柱3

SC-70/SOT-323

价值

50

100

*150

1.2

单位

VDC

MADC

mW

毫瓦/°C的

热特性

热电阻 - 结到环境（表面贴装）

工作和存储温度范围

最大焊接温度的目的，

在焊接洗澡时间

R

θJA

TJ ， TSTG

TL

833

- 65 + 150

260

10

° C / W

°C

美国证券交易委员会

器件标识和电阻值

设备

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1(2)

MUN5216T1(2)

MUN5230T1(2)

MUN5231T1(2)

MUN5232T1(2)

MUN5233T1(2)

MUN5234T1(2)

记号

8A

8B

8C

8D

8E

8F

8G

8H

8J

8K

8L

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。

2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

热复合是贝格斯公司的商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

REV 2

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

1

MUN5211T1系列

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50V， IE = 0 ）

集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50 V ， IB = 0 ）

发射基截止电流

（ VEB = 6.0 V， IC = 0 ）

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

ICBO

ICEO

IEBO

—

50

—

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

—

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10

A,

IE = 0 ）

集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）（ IC = 2.0 mA时， IB = 0 ）

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

VDC

基本特征（ 3 ）

直流电流增益

（ VCE = 10 V ， IC = 5.0 mA）的

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

的hFE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

—

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

—

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.3 mA）的

（ IC = 10 mA时， IB = 5 mA）的MUN5230T1 / MUN5231T1

（ IC = 10 mA时， IB = 1 mA）的MUN5215T1 / MUN5216T1

MUN5232T1/MUN5233T1/MUN5234T1

输出电压（上）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5 V ， RL = 1.0千欧）

MUN5211lT1

MUN5212T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5213T1

VCE （ SAT ）

VOL

—

0.2

VDC

（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5 V ， RL = 1.0千欧）

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

2

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MUN5211T1系列

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）（续）

特征

输出电压（关）（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5 V ， RL = 1.0千欧）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.050 V， RL = 1.0千欧）

MUN5230T1

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25 V， RL = 1.0千欧）

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5233T1

输入电阻

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5211T1/MUN5212T1/MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1/MUN5216T1

MUN5230T1/MUN5231T1/MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

符号

VOH

民

4.9

典型值

—

最大

—

单位

VDC

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

0.8

0.17

—

0.8

0.055

0.38

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

1.0

0.21

—

1.0

0.1

0.47

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

1.2

0.25

—

1.2

0.185

0.56

k

电阻率

R1/R2

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

R

θJA

= 833 ° C / W

50

0

– 50

0

50

100

TA ，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

3

MUN5211T1系列

电气特性 - MUN5211T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

IC / IB = 10

TA = -25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

VCE = 10 V

TA = 75℃

25°C

–25°C

100

0.01

0.001

0

20

40

IC ，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

IC ，集电极电流（毫安）

100

图2的VCE （饱和）与集成电路

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

IE = 0 V

TA = 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25°C

TA = -25°C

COB，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

VO = 5 V

0

1

2

5

6

7

3

4

输入电压，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

VR ，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

VO = 0.2 V

V在，输入电压（伏）

TA = -25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

40

IC ，集电极电流（毫安）

50

图6.输入电压与输出电流

4

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MUN5211T1系列

电气特性 - MUN5212T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

IC / IB = 10

25°C

0.1

TA = -25°C

75°C

HFE ， DC电流增益（标准化）

1000

VCE = 10 V

TA = 75℃

25°C

–25°C

100

0.01

0.001

0

20

IC ，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

IC ，集电极电流（毫安）

100

图7的VCE （饱和）与集成电路

图8.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

IE = 0 V

TA = 25°C

100

IC ，集电极电流（毫安）

75°C

25°C

TA = -25°C

COB，电容（pF ）

3

10

1

2

0.1

1

0.01

VO = 5 V

0

10

20

30

40

VR ，反向偏置电压（伏）

50

0.001

0

2

4

6

输入电压，输入电压（伏）

8

10

图9.输出电容

图10.输出电流与输入电压

100

VO = 0.2 V

V在，输入电压（伏）

TA = -25°C

10

75°C

25°C

1

0.1

0

10

20

30

40

50

IC ，集电极电流（毫安）

图11.输入电压与输出电流

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

5

MUN5211T1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻

晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管

由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极

电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少

系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

SC - 70 / SOT- 323封装，专为低功耗

表面贴装应用。

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

可在8毫米压纹卷带包装。设备号

订购的7英寸/ 3000单元卷轴。

无铅包可用

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

SC70/SOT323

CASE 419

方式3

8X M

http://onsemi.com

NPN硅

偏置电阻

晶体管

3脚

集热器

（输出）

销2

辐射源

（接地）

销1

BASE

（输入）

R

1

R

2

标记图

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻

结到环境

热阻

结到铅

结存储

温度范围

符号

P

D

最大

202 （注1）

310 （注2）

1.6 （注1 ）

2.5 （注2）

618 （注1 ）

403 （注2）

280 （注1 ）

332 （注2）

55

+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

8x

x

M

=具体设备守则

= （参见标记表）

=日期代码

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

订购信息

° C / W

°C

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR- 4 @最小焊盘。

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。

器件标识信息

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第2页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年11月

启示录6

1

出版订单号：

MUN5211T1/D

MUN5211T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN5211T1

MUN5211T1G

MUN5212T1

MUN5212T1G

MUN5213T1

MUN5213T1G

MUN5214T1

MUN5214T1G

MUN5215T1 （注3）

MUN5215T1G （注3）

MUN5216T1 （注3）

MUN5216T1G （注3）

MUN5230T1 （注3）

MUN5231T1 （注3）

MUN5231T1G （注3）

MUN5232T1 （注3）

MUN5232T1G （注3）

MUN5233T1 （注3）

MUN5233T1G （注3）

MUN5234T1 （注3）

MUN5235T1 （注3）

MUN5235T1G （注3）

MUN5236T1 （注3）

MUN5237T1 （注3）

包

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

记号

8A

8B

8C

8D

8E

8F

8G

8H

8J

8K

8L

8M

8N

8P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

http://onsemi.com

2

MUN5211T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5236T1

MUN5237T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5236T1

MUN5237T1

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的

MUN5230T1/MUN5231T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的

MUN5215T1/MUN5216T1/

MUN5232T1/MUN5233T1/MUN5234T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5213T1

MUN5236T1

MUN5237T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

(V

CC

= 5.0 V,

(V

CC

= 5.0 V,

(V

CC

= 5.0 V,

V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

0.2

VDC

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

http://onsemi.com

3

MUN5211T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注5 ）（续）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5230T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5233T1

输入电阻

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5236T1

MUN5237T1

MUN5211T1/MUN5212T1/MUN5213T1/

MUN5236T1

MUN5214T1

MUN5215T1/MUN5216T1

MUN5230T1/MUN5231T1/MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5237T1

V

OH

4.9

VDC

R

1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

kW

电阻率

R

1

/R

2

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

350

P

D

，功耗（毫瓦）

300

250

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 403 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

4

MUN5211T1系列

典型电气特性

MUN5211T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

25°C

T

A

= 25°C

OB ，电容（pF ）

3

2

1

0.01

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

图6.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

5

MUN5211T1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻

晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管

由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极

电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少

系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

SC - 70 / SOT- 323封装，专为低功耗

表面贴装应用。

特点

http://onsemi.com

NPN硅

偏置电阻

晶体管

3脚

集热器

（输出）

销2

辐射源

（接地）

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

可在8毫米压纹卷带包装。设备号

订购的7英寸/ 3000单元卷轴。

无铅包可用

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

销1

BASE

（输入）

R

1

R

2

3

1

2

SC70/SOT323

CASE 419

方式3

标记图

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

热阻，结到铅

结温和存储温度

范围

符号

P

D

最大

202 （注1）

310 （注2）

1.6 （注1 ）

2.5 （注2）

618 （注1 ）

403 （注2）

280 （注1 ）

332 （注2）

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

8X M

G

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

8X =器件代码

M =日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR- 4 @最小焊盘。

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。

器件标识信息

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第2页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年2月， - 启示录7

出版订单号：

MUN5211T1/D

MUN5211T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN5211T1

MUN5211T1G

MUN5212T1

MUN5212T1G

MUN5213T1

MUN5213T1G

MUN5214T1

MUN5214T1G

MUN5215T1 （注3）

MUN5215T1G （注3）

MUN5216T1 （注3）

MUN5216T1G （注3）

MUN5230T1 （注3）

MUN5230T1G （注3）

MUN5231T1 （注3）

MUN5231T1G （注3）

MUN5232T1 （注3）

MUN5232T1G （注3）

MUN5233T1 （注3）

MUN5233T1G （注3）

MUN5234T1 （注3）

MUN5234T1G （注3）

MUN5235T1 （注3）

MUN5235T1G （注3）

MUN5236T1 （注3）

MUN5236T1G （注3）

MUN5237T1 （注3）

MUN5237T1G （注3）

包

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

记号

8A

8B

8C

8D

8E

8F

8G

8H

8J

8K

8L

8M

8N

8P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

http://onsemi.com

2

MUN5211T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 基极截止电流

(V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流

(V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5236T1

MUN5237T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 基极击穿电压

(I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5236T1

MUN5237T1

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的

MUN5230T1/MUN5231T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的

MUN5215T1/MUN5216T1/

MUN5232T1/MUN5233T1/MUN5234T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5213T1

MUN5236T1

MUN5237T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

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3

MUN5211T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

基本特征

（注5 ）（续）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5230T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5233T1

输入电阻

MUN5211T1

MUN5212T1

MUN5213T1

MUN5214T1

MUN5215T1

MUN5216T1

MUN5230T1

MUN5231T1

MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5236T1

MUN5237T1

电阻率

MUN5211T1/MUN5212T1/MUN5213T1/

MUN5236T1

MUN5214T1

MUN5215T1/MUN5216T1

MUN5230T1/MUN5231T1/MUN5232T1

MUN5233T1

MUN5234T1

MUN5235T1

MUN5237T1

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

R

1

/R

2

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

V

OH

4.9

VDC

符号

民

典型值

最大

单位

R

1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

kW

350

P

D

，功耗（毫瓦）

300

250

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 403 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

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4

MUN5211T1系列

电气特性 - MUN5211T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

25°C

0.1

75°C

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

0.01

0.001

的hFE ， DC电流增益（标准化）

50

100

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

25°C

T

A

= 25°C

OB ，电容（pF ）

3

2

1

0.01

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

图6.输入电压与输出电流

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