【MUN5211DW1T1系列首选设备双偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络快速公交】,IC型号MUN5216DW1T1,MUN5216DW1T1 PDF资料,MUN5216DW1T1经销商,ic,电子元器件-51电子网

MUN5211DW1T1系列

首选设备

双偏置电阻

晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管

单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管

设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置

网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，

2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想

针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个

溢价。

特点

http://onsemi.com

(3)

R

1

Q

1

(2)

R

2

(1)

Q

2

R

2

(4)

R

1

(5)

(6)

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

无铅包可用

6

1

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

SOT363

CASE 419B

风格1

标记图

6

XX M

G

1

xx

=器件代码

M

=日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向和/或位置可

这取决于制造地点而有所不同。

热特性

特征

（一路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

热阻，

结到铅

符号

P

D

最大

187 （注1 ）

256 （注2）

1.5 （注1）

2.0 （注2）

670 （注1 ）

490 （注2）

最大

250 （注1 ）

385 （注2）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2）

493 （注1 ）

325 （注2）

188 （注1 ）

208 （注2）

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

R

qJA

符号

P

D

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

器件标识信息

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第2页。

R

qJA

R

qJL

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

结温和存储温度

T

J

, T

英镑

-55到+150

°C

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年12月 - 修订版7

出版订单号：

MUN5211DW1T1/D

MUN5211DW1T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN5211DW1T1

MUN5211DW1T1G

MUN5212DW1T1

MUN5212DW1T1G

MUN5213DW1T1

MUN5213DW1T1G

MUN5214DW1T1

MUN5214DW1T1G

MUN5215DW1T1

MUN5215DW1T1G

MUN5216DW1T1

MUN5216DW1T1G

MUN5230DW1T1

MUN5230DW1T1G

MUN5231DW1T1

MUN5231DW1T1G

MUN5232DW1T1

MUN5232DW1T1G

MUN5233DW1T1

MUN5233DW1T1G

MUN5234DW1T1

MUN5234DW1T1G

MUN5235DW1T1

MUN5235DW1T1G

MUN5236DW1T1

MUN5236DW1T1G

MUN5237DW1T1

MUN5237DW1T1G

包

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

记号

7A

7B

7C

7D

7E

7F

7G

7H

7J

7K

7L

7M

7N

7P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

特征

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5211DW1T1 ，G

MUN5212DW1T1 ，G

MUN5213DW1T1 ，G

MUN5214DW1T1 ，G

MUN5215DW1T1 ，G

MUN5216DW1T1 ，G

MUN5230DW1T1 ，G

MUN5231DW1T1 ，G

MUN5232DW1T1 ，G

MUN5233DW1T1 ，G

MUN5234DW1T1 ，G

MUN5235DW1T1 ，G

MUN5236DW1T1 ，G

MUN5237DW1T1 ，G

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）（我

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5211DW1T1 ，G

MUN5212DW1T1 ，G

MUN5213DW1T1 ，G

MUN5214DW1T1 ，G

MUN5215DW1T1 ，G

MUN5216DW1T1 ，G

MUN5230DW1T1 ，G

MUN5231DW1T1 ，G

MUN5232DW1T1 ，G

MUN5233DW1T1 ，G

MUN5234DW1T1 ，G

MUN5235DW1T1 ，G

MUN5236DW1T1 ，G

MUN5237DW1T1 ，G

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

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3

MUN5211DW1T1系列

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

V

CE （ SAT ）

MUN5211DW1T1 ，G

MUN5212DW1T1 ，G

MUN5213DW1T1 ，G

MUN5214DW1T1 ，G

MUN5235DW1T1 ，G

MUN5236DW1T1 ，G

MUN5230DW1T1 ，G

MUN5231DW1T1 ，G

MUN5237DW1T1 ，G

MUN5215DW1T1 ，G

MUN5216DW1T1 ，G

MUN5232DW1T1 ，G

MUN5233DW1T1 ，G

MUN5234DW1T1 ，G

V

OL

MUN5211DW1T1 ，G

MUN5212DW1T1 ，G

MUN5214DW1T1 ，G

MUN5215DW1T1 ，G

MUN5216DW1T1 ，G

MUN5230DW1T1 ，G

MUN5231DW1T1 ，G

MUN5232DW1T1 ，G

MUN5233DW1T1 ，G

MUN5234DW1T1 ，G

MUN5235DW1T1 ，G

MUN5213DW1T1 ，G

MUN5236DW1T1 ，G

MUN5237DW1T1 ，G

0.2

0.25

VDC

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V,

(V

CC

= 5.0 V,

(V

CC

= 5.0 V,

V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

http://onsemi.com

4

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

基本特征

（注5 ）（续）

输出电压（关）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

OH

MUN5211DW1T1 ，G

MUN5212DW1T1 ，G

MUN5213DW1T1 ，G

MUN5214DW1T1 ，G

MUN5233DW1T1 ，G

MUN5234DW1T1 ，G

MUN5235DW1T1 ，G

MUN5230DW1T1 ，G

MUN5215DW1T1 ，G

MUN5216DW1T1 ，G

MUN5231DW1T1 ，G

MUN5232DW1T1 ，G

MUN5236DW1T1 ，G

MUN5237DW1T1 ，G

MUN5211DW1T1 ，G

MUN5212DW1T1 ，G

MUN5213DW1T1 ，G

MUN5214DW1T1 ，G

MUN5215DW1T1 ，G

MUN5216DW1T1 ，G

MUN5230DW1T1 ，G

MUN5231DW1T1 ，G

MUN5232DW1T1 ，G

MUN5233DW1T1 ，G

MUN5234DW1T1 ，G

MUN5235DW1T1 ，G

MUN5236DW1T1 ，G

MUN5237DW1T1 ，G

R1

4.9

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

k

W

VDC

符号

民

典型值

最大

单位

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输入电阻

电阻率MUN5211DW1T1 ， G / MUN5212DW1T1 ， G /

MUN5213DW1T1 ， G / MUN5236DW1T1 ，G

MUN5214DW1T1 ，G

MUN5215DW1T1 ， G / MUN5216DW1T1 ，G

MUN5230DW1T1 ， G / MUN5231DW1T1 ， G / MUN5232DW1T1 ，G

MUN5233DW1T1 ，G

MUN5234DW1T1 ，G

MUN5235DW1T1 ，G

MUN5237DW1T1 ，G

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

R1/R2

所有MUN5211DW1T1系列设备

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

5

双偏置ResistorTransistors

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个整体偏向单个晶体管

网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。这些

数字晶体管被设计为替代单一的设备及其外部电阻偏置网络。

BRT的通过将它们集成到单个设备中消除了这些单独的部件。在

该MUN5211DW1T1系列， 2 BRT设备被容纳在SOT -363封装该

非常适合于低功耗表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。

简化电路设计

- 减少电路板空间

减少元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

MUN5211DW1T1

系列

6

5

4

1

2

3

SOT-363

CASE 419B样式1

6

5

4

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

等级

符号价值

单位

集电极 - 基极电压

V

CBO

50

VDC

集电极 - 发射极电压

V

首席执行官

50

VDC

集电极电流

I

C

100

MADC

热特性

特征

（一路口加热）

符号

最大

单位

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结存储

温度

1. FR-4 @最低垫

P

D

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

670 （注1 ）

490 （注2 ）

mW

毫瓦/°C的

° C / W

Q

2

R

2

R

1

2

R

1

R

2

Q

1

3

标记图

6

5

4

7X

1

2

3

R

θJA

7X =器件标识

=

（见第2页）

符号

P

D

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

器件标识

信息

查看具体信息标记

该设备的第2页上的标记表

此数据表。

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

MUN5211dw–1/8

MUN5211DW1T1

器件标识和电阻值

设备

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1 （注3 ）

MUN5216DW1T1 （注3 ）

MUN5230DW1T1 （注3 ）

MUN5231DW1T1 （注3 ）

MUN5232DW1T1 （注3 ）

MUN5233DW1T1 （注3 ）

MUN5234DW1T1 （注3 ）

MUN5235DW1T1 （注3 ）

MUN5236DW1T1 （注3 ）

MUN5237DW1T1 （注3 ）

包

SOT–363

记号

7A

7B

7C

7D

7E

7F

7G

7H

7J

7K

7L

7M

7N

7P

R

1

(K)

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R

2

(K)

10

22

47

系列

航运

3000 /磁带&卷轴

1.0

2.2

4.7

47

100

22

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

特征

符号

开关特性

集电极 - 基极截止电流

(V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

I

CBO

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

I

首席执行官

I

EBO

发射基截止电流

MUN5211DW1T1

民

8 8

典型值

最大

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

–

单位

NADC

MADC

–

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5212DW1T1

–

MUN5213DW1T1

–

MUN5214DW1T1

–

MUN5215DW1T1

–

MUN5216DW1T1

–

MUN5230DW1T1

–

MUN5231DW1T1

–

MUN5232DW1T1

–

MUN5233DW1T1

–

MUN5234DW1T1

–

MUN5235DW1T1

–

MUN5236DW1T1

–

MUN5237DW1T1

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

V

（ BR ） CBO

50

–

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）。（我

C

= 2.0毫安，我

B

=0) V

（ BR ） CEO

50

–

3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

VDC

MUN5211dw–2/8

MUN5211DW1T1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

,)

特征

符号

基本特征（注

5.)

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10毫安，我

B

= 0.3 mA）的V

CE （ SAT ）

(I

C

= 10毫安，我

B

= 5毫安） MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1

(I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安） MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1

MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1

V

OL

输出电压（上）

MUN5211DW1T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5212DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5213DW1T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5236DW1T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5237DW1T1

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

V

OH

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.05 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5230DW1T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5233DW1T1

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％

系列

（续）

民

典型值

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

–

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

–

最大

–

0.25

单位

h

FE

VDC

–

4.9

–

0.2

–

VDC

MUN5211dw–3/8

MUN5211DW1T1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

,)

特征

基本特征（注

6.)

输入电阻

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

电阻率

MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 / R

1

/R

2

MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5237DW1T1

6.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％

R

1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

–

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

–

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

–

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

符号

（续）

民

典型值

最大

系列

单位

k

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

833°C

0

–50

0

50

100

150

T

A

，环境温度（ ° C）

图1.降额曲线

MUN5211dw–4/8

MUN5211DW1T1

电气特性 - MUN5211DW1T1

V

CE （ SAT ）

最大集电极电压（伏）

系列

1

0.1

h

FE

，直流电流增益（标准化）

1000

100

0.01

0.001

0

20

40

50

10

1

10

100

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

4

100

图3.直流电流增益

I

C

，集电极电流（毫安）

OB电容（pF ）

10

3

1

2

0.1

1

0.01

0

10

20

30

40

50

0.001

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

R

，反向偏置电压（伏）

V

in

，输入电压（伏）

图4.输出电容

10

图5.输出电流与输入电压

V在，输入电压（伏）

1

0.1

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图6.输入电压与输出电流

MUN5211dw–5/8

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MUN5211DW1T1 / D

双偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

单片偏置电阻网络

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管

单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一

基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管被设计来取代单一的

设备及其外部电阻偏置网络。在BRT消除这些

各个组分通过将它们集成到单个设备中。在

MUN5211DW1T1系列， 2 BRT设备被容纳在SOT -363

封装，非常适用于低功率表面贴装应用中板

空间是十分宝贵的。

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴。

MUN5211DW1T1

系列

摩托罗拉的首选设备

6

5

4

1

2

3

CASE 419B -01 ，风格1

SOT–363

(3)

(2)

R1

R2

(1)

Q1

Q2

R2

(4)

(5)

R1

(6)

最大额定值

（ TA = 25 ° C除非另有说明，共同为Q1和Q2 ）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

VCBO

VCEO

IC

R

θJA

TJ ， TSTG

PD

记号

7A

7B

7C

7D

7E

7F

7G

7H

7J

7K

7L

7M

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

价值

50

100

单位

VDC

MADC

° C / W

°C

mW

热特性

热电阻 - 结到环境（表面贴装）

工作和存储温度范围

总包耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）

833

- 65 + 150

*150

器件标识和电阻值： MUN5211DW1T1系列

设备

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1(2)

MUN5216DW1T1(2)

MUN5230DW1T1(2)

MUN5231DW1T1(2)

MUN5232DW1T1(2)

MUN5233DW1T1(2)

MUN5234DW1T1(2)

MUN5235DW1T1(2)

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。

2.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

热复合是贝格斯公司的商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

REV 1

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

1

MUN5211DW1T1系列

电气特性

（ TA = 25 ° C除非另有说明，共同为Q1和Q2 ）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50V， IE = 0 ）

集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50 V ， IB = 0 ）

发射基截止电流

（ VEB = 6.0 V， IC = 0 ）

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

ICBO

ICEO

IEBO

—

50

—

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

—

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10

A,

IE = 0 ）

集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）（ IC = 2.0 mA时， IB = 0 ）

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

VDC

基本特征（ 3 ）

直流电流增益

（ VCE = 10 V ， IC = 5.0 mA）的

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

的hFE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

—

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

—

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.3 mA）的

（ IC = 10 mA时， IB = 5 mA）的MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1

（ IC = 10 mA时， IB = 1 mA）的MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1

MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1

输出电压（上）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5 V ， RL = 1.0千欧）

MUN5211lDW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5213DW1T1

VCE （ SAT ）

VOL

—

0.2

VDC

（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5 V ， RL = 1.0千欧）

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

2

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MUN5211DW1T1系列

电气特性

（ TA = 25 ° C除非另有说明，共同为Q1和Q2 ）（续）

特征

输出电压（关）（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5 V ， RL = 1.0千欧）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.050 V， RL = 1.0千欧）

MUN5230DW1T1

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25 V， RL = 1.0千欧）

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5233DW1T1

输入电阻

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

符号

VOH

民

4.9

典型值

—

最大

—

单位

VDC

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

0.8

0.17

—

0.8

0.055

0.38

0.038

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

1.0

0.21

—

1.0

0.1

0.47

0.047

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

1.2

0.25

—

1.2

0.185

0.56

0.056

k

电阻率MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 / MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

R1/R2

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

R

θJA

= 833 ° C / W

50

0

– 50

0

50

100

TA ，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

3

MUN5211DW1T1系列

电气特性 - MUN5211DW1T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

IC / IB = 10

TA = -25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

VCE = 10 V

TA = 75℃

25°C

–25°C

100

0.01

0.001

0

20

40

IC ，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

IC ，集电极电流（毫安）

100

图2的VCE （饱和）与集成电路

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

IE = 0 V

TA = 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25°C

TA = -25°C

COB，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

VO = 5 V

0

1

2

5

6

7

3

4

输入电压，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

VR ，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

VO = 0.2 V

V在，输入电压（伏）

TA = -25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

40

IC ，集电极电流（毫安）

50

图6.输入电压与输出电流

4

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MUN5211DW1T1系列

电气特性 - MUN5212DW1T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

IC / IB = 10

25°C

0.1

TA = -25°C

75°C

HFE ， DC电流增益（标准化）

1000

VCE = 10 V

TA = 75℃

25°C

–25°C

100

0.01

0.001

0

20

IC ，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

IC ，集电极电流（毫安）

100

图7的VCE （饱和）与集成电路

图8.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

IE = 0 V

TA = 25°C

100

IC ，集电极电流（毫安）

75°C

25°C

TA = -25°C

COB，电容（pF ）

3

10

1

2

0.1

1

0.01

VO = 5 V

0

10

20

30

40

VR ，反向偏置电压（伏）

50

0.001

0

2

4

6

输入电压，输入电压（伏）

8

10

图9.输出电容

图10.输出电流与输入电压

100

VO = 0.2 V

V在，输入电压（伏）

TA = -25°C

10

75°C

25°C

1

0.1

0

10

20

30

40

50

IC ，集电极电流（毫安）

图11.输入电压与输出电流

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

5

MUN5211DW1T1系列

首选设备

双偏置电阻

晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

http://onsemi.com

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管

单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管

设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置

网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，

2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想

针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个

溢价。

(3)

R

1

Q

1

(2)

R

2

(1)

Q

2

R

2

(4)

R

1

(5)

(6)

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

6

1

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

SOT363

CASE 419B

风格1

标记图

6

XX

d

1

XX =具体设备守则

d

=日期代码

=

（见第2页）

热特性

特征

（一路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结温和存储温度

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

符号

P

D

最大

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

670 （注1 ）

490 （注2 ）

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

R

θJA

器件标识信息

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第2页。

符号

P

D

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

半导体元件工业有限责任公司， 2003

1

2003年12月 - 修订版5

出版订单号：

MUN5211DW1T1/D

MUN5211DW1T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

包

SOT363

记号

7A

7B

7C

7D

7E

7F

7G

7H

7J

7K

7L

7M

7N

7P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）（我

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

http://onsemi.com

2

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1

MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

MUN5230DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5233DW1T1

4.9

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0 k)

输出电压（关）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0 k)

VDC

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

http://onsemi.com

3

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注5 ）（续）

输入电阻

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

k

电阻率MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 /

MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5237DW1T1

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

R1/R2

所有MUN5211DW1T1系列设备

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

50

R

θJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

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4

MUN5211DW1T1系列

电气特性 - MUN5211DW1T1

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

VCE （SAT），集电极电压（伏）

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

2

1

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

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5

MUN5211DW1T1系列

首选设备

双偏置电阻

晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

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快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管

单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管

设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置

网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，

2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想

针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个

溢价。

(3)

R

1

Q

1

(2)

R

2

(1)

Q

2

R

2

(4)

R

1

(5)

(6)

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

6

1

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

SOT363

CASE 419B

风格1

标记图

6

XX

d

1

XX =具体设备守则

d

=日期代码

=

（见第2页）

热特性

特征

（一路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结温和存储温度

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

符号

P

D

最大

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

670 （注1 ）

490 （注2 ）

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

R

θJA

器件标识信息

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第2页。

符号

P

D

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

半导体元件工业有限责任公司， 2003

1

2003年12月 - 修订版5

出版订单号：

MUN5211DW1T1/D

MUN5211DW1T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

包

SOT363

记号

7A

7B

7C

7D

7E

7F

7G

7H

7J

7K

7L

7M

7N

7P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）（我

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

http://onsemi.com

2

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1

MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

MUN5230DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5233DW1T1

4.9

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0 k)

输出电压（关）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0 k)

VDC

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

http://onsemi.com

3

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注5 ）（续）

输入电阻

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

k

电阻率MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 /

MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5237DW1T1

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

R1/R2

所有MUN5211DW1T1系列设备

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

50

R

θJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

4

MUN5211DW1T1系列

电气特性 - MUN5211DW1T1

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

VCE （SAT），集电极电压（伏）

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

2

1

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

5

乐山无线电公司， LTD 。

双偏置ResistorTransistors

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个整体偏向单个晶体管

网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。这些

数字晶体管被设计为替代单一的设备及其外部电阻偏置网络。

BRT的通过将它们集成到单个设备中消除了这些单独的部件。在

该MUN5211DW1T1系列， 2 BRT设备被容纳在SOT -363封装该

非常适合于低功耗表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。

简化电路设计

- 减少电路板空间

减少元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

MUN5211DW1T1

系列

6

5

4

1

2

3

SOT-363

CASE 419B样式1

6

5

4

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

等级

符号价值

单位

集电极 - 基极电压

V

CBO

50

VDC

集电极 - 发射极电压

V

首席执行官

50

VDC

集电极电流

I

C

100

MADC

热特性

特征

（一路口加热）

符号

最大

单位

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结存储

温度

1. FR-4 @最低垫

P

D

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

670 （注1 ）

490 （注2 ）

mW

毫瓦/°C的

° C / W

Q

2

R

2

R

1

2

R

1

R

2

Q

1

3

标记图

6

5

4

7X

1

2

3

R

θJA

7X =器件标识

=

（见第2页）

符号

P

D

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

器件标识

信息

查看具体信息标记

该设备的第2页上的标记表

此数据表。

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

MUN5211dw–1/8

乐山无线电公司， LTD 。

MUN5211DW1T1

器件标识和电阻值

设备

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1 （注3 ）

MUN5216DW1T1 （注3 ）

MUN5230DW1T1 （注3 ）

MUN5231DW1T1 （注3 ）

MUN5232DW1T1 （注3 ）

MUN5233DW1T1 （注3 ）

MUN5234DW1T1 （注3 ）

MUN5235DW1T1 （注3 ）

MUN5236DW1T1 （注3 ）

MUN5237DW1T1 （注3 ）

包

SOT–363

记号

7A

7B

7C

7D

7E

7F

7G

7H

7J

7K

7L

7M

7N

7P

R

1

(K)

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R

2

(K)

10

22

47

航运

3000 /磁带&卷轴

系列

1.0

2.2

4.7

47

100

22

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

特征

符号

开关特性

集电极 - 基极截止电流

(V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

I

CBO

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

I

首席执行官

I

EBO

发射基截止电流

MUN5211DW1T1

民

8 8

典型值

最大

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

–

单位

NADC

MADC

–

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5212DW1T1

–

MUN5213DW1T1

–

MUN5214DW1T1

–

MUN5215DW1T1

–

MUN5216DW1T1

–

MUN5230DW1T1

–

MUN5231DW1T1

–

MUN5232DW1T1

–

MUN5233DW1T1

–

MUN5234DW1T1

–

MUN5235DW1T1

–

MUN5236DW1T1

–

MUN5237DW1T1

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

V

（ BR ） CBO

50

–

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）。（我

C

= 2.0毫安，我

B

=0) V

（ BR ） CEO

50

–

3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

VDC

MUN5211dw–2/8

乐山无线电公司， LTD 。

MUN5211DW1T1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

,)

特征

符号

基本特征（注

5.)

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10毫安，我

B

= 0.3 mA）的V

CE （ SAT ）

(I

C

= 10毫安，我

B

= 5毫安） MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1

(I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安） MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1

MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1

V

OL

输出电压（上）

MUN5211DW1T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5212DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5213DW1T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5236DW1T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5237DW1T1

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

V

OH

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.05 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5230DW1T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5233DW1T1

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％

系列

（续）

民

典型值

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

–

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

–

最大

–

0.25

单位

h

FE

VDC

–

4.9

–

0.2

–

VDC

MUN5211dw–3/8

乐山无线电公司， LTD 。

MUN5211DW1T1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

,)

特征

基本特征（注

6.)

输入电阻

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

电阻率

MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 / R

1

/R

2

MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5237DW1T1

6.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％

R

1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

–

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

–

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

–

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

符号

（续）

民

典型值

最大

系列

单位

k

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

833°C

0

–50

0

50

100

150

T

A

，环境温度（ ° C）

图1.降额曲线

MUN5211dw–4/8

乐山无线电公司， LTD 。

MUN5211DW1T1

电气特性 - MUN5211DW1T1

V

CE （ SAT ）

最大集电极电压（伏）

系列

1

0.1

h

FE

，直流电流增益（标准化）

1000

100

0.01

0.001

0

20

40

50

10

1

10

100

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

4

100

图3.直流电流增益

I

C

，集电极电流（毫安）

OB电容（pF ）

10

3

1

2

0.1

1

0.01

0

10

20

30

40

50

0.001

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

R

，反向偏置电压（伏）

V

in

，输入电压（伏）

图4.输出电容

10

图5.输出电流与输入电压

V在，输入电压（伏）

1

0.1

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图6.输入电压与输出电流

MUN5211dw–5/8

MUN5211DW1T1系列

首选设备

双偏置电阻

晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

http://onsemi.com

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管

单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管

设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置

网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，

2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想

针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个

溢价。

(3)

R

1

Q

1

(2)

R

2

(1)

Q

2

R

2

(4)

R

1

(5)

(6)

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

6

1

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

SOT363

CASE 419B

风格1

标记图

6

XX

d

1

XX =具体设备守则

d

=日期代码

=

（见第2页）

热特性

特征

（一路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结温和存储温度

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

符号

P

D

最大

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

670 （注1 ）

490 （注2 ）

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

R

θJA

器件标识信息

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第2页。

符号

P

D

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

半导体元件工业有限责任公司， 2003

1

2003年12月 - 修订版5

出版订单号：

MUN5211DW1T1/D

MUN5211DW1T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

包

SOT363

记号

7A

7B

7C

7D

7E

7F

7G

7H

7J

7K

7L

7M

7N

7P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）（我

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

http://onsemi.com

2

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1

MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

MUN5230DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5233DW1T1

4.9

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0 k)

输出电压（关）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0 k)

VDC

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

http://onsemi.com

3

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注5 ）（续）

输入电阻

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

k

电阻率MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 /

MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5237DW1T1

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

R1/R2

所有MUN5211DW1T1系列设备

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

50

R

θJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

4

MUN5211DW1T1系列

电气特性 - MUN5211DW1T1

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

VCE （SAT），集电极电压（伏）

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

2

1

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

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5