【MUN5211DW1T1系列首选设备双偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络http】,IC型号MUN5215DW,MUN5215DW PDF资料,MUN5215DW经销商,ic,电子元器件-51电子网

MUN5211DW1T1系列

首选设备

双偏置电阻

晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

http://onsemi.com

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管

单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管

设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置

网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，

2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想

针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个

溢价。

(3)

R

1

Q

1

(2)

R

2

(1)

Q

2

R

2

(4)

R

1

(5)

(6)

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

6

1

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

SOT363

CASE 419B

风格1

标记图

6

XX

d

1

XX =具体设备守则

d

=日期代码

=

（见第2页）

热特性

特征

（一路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结温和存储温度

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

符号

P

D

最大

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

670 （注1 ）

490 （注2 ）

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

R

θJA

器件标识信息

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第2页。

符号

P

D

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

半导体元件工业有限责任公司， 2003

1

2003年12月 - 修订版5

出版订单号：

MUN5211DW1T1/D

MUN5211DW1T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

包

SOT363

记号

7A

7B

7C

7D

7E

7F

7G

7H

7J

7K

7L

7M

7N

7P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）（我

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

http://onsemi.com

2

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1

MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

MUN5230DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5233DW1T1

4.9

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0 k)

输出电压（关）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0 k)

VDC

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

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3

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注5 ）（续）

输入电阻

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

k

电阻率MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 /

MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5237DW1T1

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

R1/R2

所有MUN5211DW1T1系列设备

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

50

R

θJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

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4

MUN5211DW1T1系列

电气特性 - MUN5211DW1T1

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

VCE （SAT），集电极电压（伏）

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

2

1

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

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5

MUN5211DW系列

表面贴装双偏置电阻晶体管

6

NPN硅

P B

铅（Pb ） - 免费

Q

2

R

2

R

1

5

R

1

R

2

4

6 5

4

Q

1

2

3

1

2

3

1

SOT-363(SC-88)

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

集电极电流

符号

VCEO

VCBO

IC

NPN + NPN

价值

50

100

单位

VDC

MADC

热特性

特征

(1)

器件总耗散T

A

=25 C

符号

PD

最大

187

(2)

256

(3)

1.5

(2)

2.0

(3)

单位

mW

毫瓦/ C

C / W

C

热阻，结到环境

结贮藏，温度

1.One路口加热

2.FR - 4 @最小焊盘

3.FR - 4 @ 1.0

I

1.0英寸的垫

R

θ

JA

TJ ， TSTG

670

(2)

490

(3)

-55到+150

器件标识和电阻值

设备

MUN5211DW

MUN5212DW

MUN5213DW

MUN5214DW

MUN5215DW

MUN5216DW

MUN5230DW

I

记号

7A

7B

7C

7D

7E

7F

7G

R1(K)

10

22

47

10

4.7

1.0

R2(K)

10

22

47

8 8

设备

MUN5231DW

MUN5232DW

MUN5233DW

MUN5234DW

MUN5235DW

MUN5236DW

MUN5237DW

记号

7H

7J

7K

7L

7M

7N

7P

R1(K)

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2(K)

2.2

4.7

47

100

22

1.0

WEITRON

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1/9

Rev.B的09军， 08

MUN5211DW系列

电气特性

(T

A

= 25°C除非另有说明）

符号

民

最大

单位

特征

关C哈日ACTER istics

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50V直流， I E = 0 ）

集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50V直流， IB = 0 ）

发射基截止电流（ VEB = 6.0VDC ，我

C

= 0） MUN5211DW

MUN5212DW

MUN5213DW

MUN5214DW

MUN5215DW

MUN5216DW

MUN5230DW

MUN5231DW

MUN5232DW

MUN5233DW

MUN5234DW

MUN5235DW

MUN5236DW

MUN5237DW

集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10uAdc ， IE = 0 ）

集电极 - 发射极击穿电压（ 4 ）（ IC = 2.0毫安， IB = 0 ）

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％

我CBO

I CEO

我EBO

-

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

-

NADC

MADC

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

50

VDC

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2/9

Rev.A的29日-12月05

MUN5211DW系列

电气特性

（ TA = 25℃除非另有说明）（ Countinued ）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

(4)

直流电流增益

（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 10V直流）

MUN5211DW

MUN5212DW

MUN5213DW

MUN5214DW

MUN5215DW

MUN5216DW

MUN5230DW

MUN5231DW

MUN5232DW

MUN5233DW

MUN5234DW

MUN5235DW

MUN5236DW

MUN5237DW

的hFE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

-

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

-

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 10 MADC ， IB = 0.3mAdc ）

（ IC = 10 MADC ， IB = 5.0mAdc ）

MUN5230DW/MUN5231DW

（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0mAdc ）

MUN5215DW/MUN5216DW

VCE （ SAT ）

0.25

VDC

MUN5232DW/MUN5233DW/MUN5234DW

输出电压（上）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5V ， R L = 1.0 K）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5V ， RL = 1.0 K）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 5.5V ， RL = 1.0 K）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 4.0V ， R L = 1.0 K）

输出电压（关）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5V ， R L = 1.0 K）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.05V ， R L = 1.0 K）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25V ， R L = 1.0 K）

MUN5211DW

MUN5212DW

MUN5214DW

MUN5215DW

MUN5216DW

MUN5230DW

MUN5231DW

MUN5232DW

MUN5233DW

MUN5234DW

MUN5235DW

MUN5213DW

MUN5236DW

MUN5237DW

VOL

-

0.2

-

VDC

VOL

4.9

VDC

MUN5230DW

MUN5215DW

MUN5216DW

MUN5233DW

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％

WEITRON

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Rev.A的29日-12月05

MUN5211DW系列

电气特性

（ TA = 25℃除非另有说明）（ Countinued ）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

(5)

输入电阻

MUN5211DW

MUN5212DW

MUN5213DW

MUN5214DW

MUN5215DW

MUN5216DW

MUN5230DW

MUN5231DW

MUN5232DW

MUN5233DW

MUN5234DW

MUN5235DW

MUN5236DW

MUN5237DW

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

-

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

-

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

-

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

k

电阻率

MUN5211DW/MUN5212DW

MUN5213DW/MUN5236DW

MUN5214DW

MUN5215DW/MUN5216DW

MUN5230DW/MUN5231DW/MUN5232DW

MUN5233DW

MUN5234DW

MUN5235DW

MUN5237DW

R1/R2

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％

WEITRON

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4/9

Rev.A的29日-12月05

MUN5211DW系列

电气特性 - MUN5211DW

300

VCE （SAT），集电极电压（伏）

P

D

，P OWE DIS S IPAT ION （MW ）

250

200

150

100

50

0

- 50

R

θJ

A

= 833 C / W

0

50

100

T

A

安博IE NT T E MP è R成为UR E（ C）

150

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= -25 C

25 C

0.1

75 C

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（M A）

50

图1.降额曲线

1000

V

CE

= 10 V

COB，电容（pF ）

T

A

= 75 C

25 C

-25 C

100

3

4

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

的hFE ， DC电流增益（标准化）

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25 C

2

1

10

1

10

I

C

，集电极电流（M A）

100

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置VOL TAGE （伏）

50

图3.直流电流增益

100

75 C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25 C

T

A

= -25 C

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

图4.输出电容

T

A

= -25 C

25 C

75 C

1

0.1

0.01

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0.001

0.1

0

10

40

20

30

I

C

，集电极电流（M A）

50

图5.输出电流与输入电压

图6.输入电压与输出电流

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MUN5211DW系列

表面贴装双偏置电阻晶体管

NPN硅

P B

铅（Pb ） - 免费

4

5

6

3

2

1

6 5

4

1

2

3

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

集电极电流

符号

VCEO

VCBO

IC

NPN + NPN

价值

50

100

SOT-363(SC-88)

单位

VDC

MADC

热特性

特征

(1)

器件总耗散T

A

=25 C

符号

PD

最大

187

(2)

256

(3)

1.5

(2)

2.0

(3)

单位

mW

毫瓦/ C

C / W

C

热阻，结到环境

结贮藏，温度

1.One路口加热

2.FR - 4 @最小焊盘

3.FR - 4 @ 1.0

I

1.0英寸的垫

R

θ

JA

TJ ， TSTG

670

(2)

490

(3)

-55到+150

器件标识和电阻值

设备

MUN5211DW

MUN5212DW

MUN5213DW

MUN5214DW

MUN5215DW

MUN5216DW

MUN5230DW

I

记号

7A

7B

7C

7D

7E

7F

7G

R1(K)

10

22

47

10

4.7

1.0

R2(K)

10

22

47

8 8

设备

MUN5231DW

MUN5232DW

MUN5233DW

MUN5234DW

MUN5235DW

MUN5236DW

MUN5237DW

记号

7H

7J

7K

7L

7M

7N

7P

R1(K)

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2(K)

2.2

4.7

47

100

22

1.0

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MUN5211DW系列

电气特性

(T

A

= 25°C除非另有说明）

符号

民

最大

单位

特征

关C哈日ACTER istics

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50V直流， I E = 0 ）

集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50V直流， IB = 0 ）

发射基截止电流（ VEB = 6.0VDC ，我

C

= 0） MUN5211DW

MUN5212DW

MUN5213DW

MUN5214DW

MUN5215DW

MUN5216DW

MUN5230DW

MUN5231DW

MUN5232DW

MUN5233DW

MUN5234DW

MUN5235DW

MUN5236DW

MUN5237DW

集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10uAdc ， IE = 0 ）

集电极 - 发射极击穿电压（ 4 ）（ IC = 2.0毫安， IB = 0 ）

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％

我CBO

I CEO

我EBO

-

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

-

NADC

MADC

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

50

VDC

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MUN5211DW系列

电气特性

（ TA = 25℃除非另有说明）（ Countinued ）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

(4)

直流电流增益

（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 10V直流）

MUN5211DW

MUN5212DW

MUN5213DW

MUN5214DW

MUN5215DW

MUN5216DW

MUN5230DW

MUN5231DW

MUN5232DW

MUN5233DW

MUN5234DW

MUN5235DW

MUN5236DW

MUN5237DW

的hFE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

-

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

-

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 10 MADC ， IB = 0.3mAdc ）

（ IC = 10 MADC ， IB = 5.0mAdc ）

MUN5230DW/MUN5231DW

（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0mAdc ）

MUN5215DW/MUN5216DW

VCE （ SAT ）

0.25

VDC

MUN5232DW/MUN5233DW/MUN5234DW

输出电压（上）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5V ， R L = 1.0 K）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5V ， RL = 1.0 K）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 5.5V ， RL = 1.0 K）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 4.0V ， R L = 1.0 K）

输出电压（关）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5V ， R L = 1.0 K）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.05V ， R L = 1.0 K）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25V ， R L = 1.0 K）

MUN5211DW

MUN5212DW

MUN5214DW

MUN5215DW

MUN5216DW

MUN5230DW

MUN5231DW

MUN5232DW

MUN5233DW

MUN5234DW

MUN5235DW

MUN5213DW

MUN5236DW

MUN5237DW

VOL

-

0.2

-

VDC

VOL

4.9

VDC

MUN5230DW

MUN5215DW

MUN5216DW

MUN5233DW

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％

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MUN5211DW系列

电气特性

（ TA = 25℃除非另有说明）（ Countinued ）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

(5)

输入电阻

MUN5211DW

MUN5212DW

MUN5213DW

MUN5214DW

MUN5215DW

MUN5216DW

MUN5230DW

MUN5231DW

MUN5232DW

MUN5233DW

MUN5234DW

MUN5235DW

MUN5236DW

MUN5237DW

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

-

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

-

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

-

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

k

电阻率

MUN5211DW/MUN5212DW

MUN5213DW/MUN5236DW

MUN5214DW

MUN5215DW/MUN5216DW

MUN5230DW/MUN5231DW/MUN5232DW

MUN5233DW

MUN5234DW

MUN5235DW

MUN5237DW

R1/R2

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％

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MUN5211DW系列

300

VCE （SAT），集电极电压（伏）

P

D

，P OWE DIS S IPAT ION （MW ）

250

200

150

100

50

0

- 50

R

θJ

A

= 833 C / W

0

50

100

T

A

安博IE NT T E MP è R成为UR E（ C）

150

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= -25 C

25 C

0.1

75 C

0.01

0.001

0

图1.降额曲线

1000

V

CE

= 10 V

COB，电容（pF ）

T

A

= 75 C

25 C

-25 C

100

3

4

20

40

I

C

，集电极电流（M A）

50

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

的hFE ， DC电流增益（标准化）

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25 C

2

1

10

1

10

I

C

，集电极电流（M A）

100

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置VOL TAGE （伏）

50

图3.直流电流增益

100

75 C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25 C

T

A

= -25 C

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

图4.输出电容

T

A

= -25 C

25 C

75 C

1

0.1

0.01

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0.001

0.1

0

10

40

20

30

I

C

，集电极电流（M A）

50

图5.输出电流与输入电压

图6.输入电压与输出电流

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MUN5211DW1T1系列

首选设备

双偏置电阻

晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

http://onsemi.com

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管

单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管

设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置

网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，

2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想

针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个

溢价。

(3)

R

1

Q

1

(2)

R

2

(1)

Q

2

R

2

(4)

R

1

(5)

(6)

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

6

1

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

SOT363

CASE 419B

风格1

标记图

6

XX

d

1

XX =具体设备守则

d

=日期代码

=

（见第2页）

热特性

特征

（一路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结温和存储温度

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

符号

P

D

最大

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

670 （注1 ）

490 （注2 ）

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

R

θJA

器件标识信息

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第2页。

符号

P

D

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

半导体元件工业有限责任公司， 2003

1

2003年12月 - 修订版5

出版订单号：

MUN5211DW1T1/D

MUN5211DW1T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

包

SOT363

记号

7A

7B

7C

7D

7E

7F

7G

7H

7J

7K

7L

7M

7N

7P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）（我

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

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2

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1

MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

MUN5230DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5233DW1T1

4.9

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0 k)

输出电压（关）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0 k)

VDC

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

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3

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注5 ）（续）

输入电阻

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

k

电阻率MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 /

MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5237DW1T1

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

R1/R2

所有MUN5211DW1T1系列设备

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

50

R

θJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

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4

MUN5211DW1T1系列

电气特性 - MUN5211DW1T1

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

VCE （SAT），集电极电压（伏）

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

2

1

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

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5

MUN5211DW1T1系列

首选设备

双偏置电阻

晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

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快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管

单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管

设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置

网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，

2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想

针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个

溢价。

(3)

R

1

Q

1

(2)

R

2

(1)

Q

2

R

2

(4)

R

1

(5)

(6)

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

6

1

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

SOT363

CASE 419B

风格1

标记图

6

XX

d

1

XX =具体设备守则

d

=日期代码

=

（见第2页）

热特性

特征

（一路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结温和存储温度

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

符号

P

D

最大

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

670 （注1 ）

490 （注2 ）

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

R

θJA

器件标识信息

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第2页。

符号

P

D

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

半导体元件工业有限责任公司， 2003

1

2003年12月 - 修订版5

出版订单号：

MUN5211DW1T1/D

MUN5211DW1T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

包

SOT363

记号

7A

7B

7C

7D

7E

7F

7G

7H

7J

7K

7L

7M

7N

7P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）（我

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

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2

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1

MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

MUN5230DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5233DW1T1

4.9

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0 k)

输出电压（关）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0 k)

VDC

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

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3

MUN5211DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注5 ）（续）

输入电阻

MUN5211DW1T1

MUN5212DW1T1

MUN5213DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1

MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1

MUN5231DW1T1

MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5236DW1T1

MUN5237DW1T1

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

k

电阻率MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 /

MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1

MUN5214DW1T1

MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1

MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1

MUN5233DW1T1

MUN5234DW1T1

MUN5235DW1T1

MUN5237DW1T1

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

R1/R2

所有MUN5211DW1T1系列设备

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

50

R

θJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

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4

MUN5211DW1T1系列

电气特性 - MUN5211DW1T1

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

VCE （SAT），集电极电压（伏）

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

2

1

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

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