MUN5211系列
NPN硅偏置电阻晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
R1
R2
3
1
2
SOT-323(SC-70)
最大额定值
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
VCEO
VCBO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（ 1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（ 1 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
RJ-A
TJ ， TSTG
最大
202
1.6
618
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
C
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0
l
1.0英寸的垫
l
器件标识和电阻值
设备
MUN5211
MUN5212
MUN5213
MUN5214
MUN5215
MUN5216
MUN5230
记号
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
MUN5231
MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5236
MUN5237
记号
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
1.0
我们ITR 0：N
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Rev.A的30日-12月05
MUN5211系列
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 2.0毫安， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = 10微安，IE = 0）的
集电极 - 基Cuto FF电压
(V
CB
= 50V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流
（ ICE = 50V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 6.0V ， IC = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
ICBO
ICEO
MUN5211
MUN5212
MUN5213
MUN5214
MUN5215
MUN5216
MUN5230
MUN5231
MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5236
MUN5237
IEBO
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
mA
WEITRON
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MUN5211系列
电气特性
基本特征
(3)
直流电流增益
（ VCE = 10V ， IC = 5.0毫安）
MUN5211
MUN5212
MUN5213
MUN5214
MUN5215
MUN5216
MUN5230
MUN5231
MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5236
MUN5237
^ h FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
-
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， I B = 0.3毫安）
（ IC = 10毫安， I B = 5毫安）
MUN5230/MUN5231
（ IC = 10毫安， I B = 1毫安）
MUN5215/MUN5216
MUN5232/MUN5233/MUN5234
输出电压（上）
（ VCC = 5.0V ， VB = 2.5V ， RL = 1.0K
)
MUN5211
MUN5212
MUN5214
MUN5215
MUN5216
MUN5230
MUN5231
MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5213
MUN5236
MUN5237
VCE （ SAT ）
VOL
（ VCC = 5.0V ， VB = 3.5V ， RL = 1.0K ）
（ VCC = 5.0V ， VB = 5.5V ， RL = 1.0K ）
（ VCC = 5.0V ， VB = 4.0V ， RL = 1.0K ）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
-
VDC
输出电压（关）
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.5V ， RL = 1.0K ）
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.050V ， R L = 1.0K ） MUN5230
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.25V ， RL = 1.0K ） MUN5215 / MUN5216 / MUN5233
3.脉冲测试：脉冲宽度300我们，占空比2.0 ％
V
V
VOH
VDC
WEITRON
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MUN5211系列
电气特性
基本特征
输入电阻
MUN5211
MUN5212
MUN5213
MUN5214
MUN5215
MUN5216
MUN5230
MUN5231
MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5236
MUN5237
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
电阻率MUN5211 / MUN5212
MUN5213/MUN5236
MUN5214
MUN5215/MUN5216
MUN5230/MUN5231/MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5237
R1/R2
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
MUN5211
VCE （SAT） ，收集或电压（伏）
350
ATION （ mW）的
300
250
200
P
D
，电源DISSIP
150
100
50
0
- 50
R
θJA
= 403 C / W
0
50
T
A
，环境温
100
TURE （ C）
150
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= -25 C
25 C
0.1
75 C
0.01
0.001
0
40
20
I
C
，收集或电流（mA）
50
图1.降额曲线
图2 V
CE （ SAT ）
与我
C
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Rev.A的30日-12月05
MUN5211系列
的hFE ， DC电流增益（标准化）
1000
V
CE
= 10 V
OB ，电容（pF ）
T
A
= 75 C
25 C
-25 C
100
3
4
WEITRON
F = 1M的赫兹
I
E
= 0 V
T
A
= 25 C
2
1
10
1
10
I
C
，收集或电流（M A）
100
0
0
20
30
40
10
V
R
，反向偏置VOL TAGE （伏）
50
图3直流电流增益
100
75 C
IC ，收集或电流（mA）
10
25 C
T
A
= -25 C
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
图4输出电容
T
A
= -25 C
25 C
75 C
1
1
0.1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0.001
0.1
0
10
40
20
30
I
C
，收集或电流（mA）
50
图5输出电流与输入电压
MUN5212
VCE （SAT） ，收集或电压（伏）
的hFE ， DC电流增益（标准化）
1
I
C
/I
B
= 10
25 C
0.1
T
A
= -25 C
75 C
1000
图6输入电压与输出电流
V
CE
= 10 V
T
A
= 75 C
25 C
-25 C
100
0.01
0.001
0
20
I
C
，收集或电流（M A）
40
50
10
1
10
I
C
，收集或电流（M A）
100
FGI.7 VCE （SAT）与I C
图8直流电流增益
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Rev.A的30日-12月05
MUN5211DW1T1系列
首选设备
双偏置电阻
晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
http://onsemi.com
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，
2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想
针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个
溢价。
(3)
R
1
Q
1
(2)
R
2
(1)
Q
2
R
2
(4)
R
1
(5)
(6)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
6
1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT363
CASE 419B
风格1
标记图
6
XX
d
1
XX =具体设备守则
d
=日期代码
=
（见第2页）
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
670 （注1 ）
490 （注2 ）
最大
250 （注1 ）
385 （注2 ）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2 ）
493 （注1 ）
325 （注2 ）
188 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
θJA
器件标识信息
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 修订版5
出版订单号：
MUN5211DW1T1/D
MUN5211DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1
MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k)
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
MUN5230DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5233DW1T1
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0 k)
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k)
VDC
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
http://onsemi.com
3
MUN5211DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注5 ） （续）
输入电阻
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
电阻率MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 /
MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5237DW1T1
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
R1/R2
所有MUN5211DW1T1系列设备
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
θJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
4
MUN5211DW1T1系列
首选设备
双偏置电阻
晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
http://onsemi.com
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，
2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想
针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个
溢价。
(3)
R
1
Q
1
(2)
R
2
(1)
Q
2
R
2
(4)
R
1
(5)
(6)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
6
1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT363
CASE 419B
风格1
标记图
6
XX
d
1
XX =具体设备守则
d
=日期代码
=
（见第2页）
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
670 （注1 ）
490 （注2 ）
最大
250 （注1 ）
385 （注2 ）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2 ）
493 （注1 ）
325 （注2 ）
188 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
θJA
器件标识信息
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 修订版5
出版订单号：
MUN5211DW1T1/D
MUN5211DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1
MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k)
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
MUN5230DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5233DW1T1
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0 k)
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k)
VDC
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
http://onsemi.com
3
MUN5211DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注5 ） （续）
输入电阻
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
电阻率MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 /
MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5237DW1T1
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
R1/R2
所有MUN5211DW1T1系列设备
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
θJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
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4
MUN5211DW1T1系列
首选设备
双偏置电阻
晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
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快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在MUN5211DW1T1系列，
2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想
针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个
溢价。
(3)
R
1
Q
1
(2)
R
2
(1)
Q
2
R
2
(4)
R
1
(5)
(6)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
6
1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT363
CASE 419B
风格1
标记图
6
XX
d
1
XX =具体设备守则
d
=日期代码
=
（见第2页）
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
670 （注1 ）
490 （注2 ）
最大
250 （注1 ）
385 （注2 ）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2 ）
493 （注1 ）
325 （注2 ）
188 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
θJA
器件标识信息
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 修订版5
出版订单号：
MUN5211DW1T1/D
MUN5211DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MUN5230DW1T1 / MUN5231DW1T1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MUN5215DW1T1 / MUN5216DW1T1
MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k)
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
MUN5230DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5233DW1T1
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0 k)
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k)
VDC
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
http://onsemi.com
3
MUN5211DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注5 ） （续）
输入电阻
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
电阻率MUN5211DW1T1 / MUN5212DW1T1 /
MUN5213DW1T1/MUN5236DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5237DW1T1
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
R1/R2
所有MUN5211DW1T1系列设备
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
θJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
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