摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MUN5111DW1T1 / D
双偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个整体的单一晶体管
偏置网络包括两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。这些数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在MUN5111DW1T1系列，双BRT设备
被收容在SOT -363封装，非常适合于低功率的表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴。
MUN5111DW1T1
系列
摩托罗拉的首选设备
6
5
4
1
2
3
CASE 419B -01 ，风格1
SOT–363
(3)
(2)
R1
R2
(1)
Q1
Q2
R2
(4)
(5)
R1
(6)
最大额定值
（ TA = 25 ° C除非另有说明，共同为Q1和Q2 ）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
VCBO
VCEO
IC
价值
– 50
–50
–100
单位
VDC
VDC
MADC
热特性
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
总包耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
R
θJA
TJ ， TSTG
PD
833
- 65 + 150
*150
° C / W
°C
mW
器件标识和电阻值： MUN5111DW1T1系列
设备
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1(2)
MUN5116DW1T1(2)
MUN5130DW1T1(2)
MUN5131DW1T1(2)
MUN5132DW1T1(2)
MUN5133DW1T1(2)
MUN5134DW1T1(2)
MUN5135DW1T1(2)
记号
0A
0B
0C
0D
0E
0F
0G
0H
0J
0K
0L
0M
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
47
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
MUN5111DW1T1系列
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明，共同为Q1和Q2 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（ VCB = -50 V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = - 50 V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = - 6.0 V， IC = 0 ）
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
ICBO
ICEO
IEBO
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 50
–50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–100
–500
–0.5
–0.2
–0.1
–0.2
–0.9
–1.9
–4.3
–2.3
–1.5
–0.18
–0.13
–0.2
—
—
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（ IC = -10
A,
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ） （ IC = - 2.0毫安， IB = 0 ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征（ 3 ）
直流电流增益
（ VCE = -10 V ， IC = - 5.0毫安）
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
的hFE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
—
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = -10毫安， IE = -0.3毫安）
（ IC = -10毫安， IB = - 5毫安） MUN5130DW1T1 / MUN5131DW1T1
（ IC = -10毫安， IB = -1 mA）的MUN5115DW1T1 / MUN5116DW1T1 /
MUN5132DW1T1/MUN5133DW1T1/MUN5134DW1T1
输出电压（上）
（ VCC = -5.0 V， VB = -2.5 V， RL = 1.0千欧） MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
（ VCC = -5.0 V， VB = - 3.5 V ， RL = 1.0千欧） MUN5113DW1T1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
VCE （ SAT ）
VOL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
VDC
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MUN5111DW1T1系列
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明，共同为Q1和Q2 ） （续）
特征
输出电压（关） （ VCC = -5.0 V， VB = -0.5 V， RL = 1.0千欧）
（ VCC = -5.0 V， VB = -0.050 V， RL = 1.0千欧） MUN5130DW1T1
（ VCC = -5.0 V， VB = - 0.25 V， RL = 1.0千欧） MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
输入电阻
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
符号
VOH
民
– 4.9
典型值
—
最大
—
单位
VDC
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
0.047
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
0.056
k
电阻率MUN5111DW1T1 / MUN5112DW1T1 / MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1/MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1/MUN5131DW1T1/MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
R1/R2
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
150
100
R
θJA
= 833 ° C / W
50
0
– 50
0
50
100
TA ，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
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