MUN5111系列
偏置电阻晶体管
PNP硅
集热器
3
BASE
1
R1
R2
3
1
2
2
辐射源
SOT-323(SC-70)
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
VCEO
VCBO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（ 1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
符号
PD
最大
202 (1)
310 (2)
1.6 (1)
2.5 (2)
618
403
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
C
热阻，结到环境（ 1 ）
结温和存储，使用温度范围
R
θ
JA
TJ ， TSTG
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0
l
1.0英寸的垫
l
器件标识和电阻值
设备
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
记号
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6G
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
记号
6H
6J
6K
6L
6M
6N
6P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
1.0
我们ITR 0：N
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MUN5111系列
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
我们将其R ON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 2.0毫安， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = 10微安，IE = 0）的
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= -50 V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE = -50V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 6.0V ， IC = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
ICBO
ICEO
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
IEBO
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
mA
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10毫安， IE = 0.3毫安）
（ I C = 10毫安， I B = 5毫安）
MUN5130/MUN5131
（ IC = 10毫安， I B = 1毫安）
MUN5115/MUN5116
MUN5132/MUN5133/MUN5134
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％
VCE （ SAT ）
-
-
0.25
VDC
WEITRON
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MUN5111系列
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
我们将其R ON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
基本特征
(3)
直流电流增益
（ VCE = -10V ， IC = -5.0mA ）
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
^ h FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.9
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
150
140
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
-
VDC
输出电压（上）
（ VCC = 5.0V ， VB = 2.5V ， R L = 1.0K
)
VOL
（ VCC = 5.0V ， VB = 3.5V ， RL = 1.0K
)
（ VCC = 5.0V ，V B = 5.5V ， R L = 1.0K
)
（ VCC = 5.0V ， VB = 4.0V ， RL = 1.0K
)
输出电压（关） （ VCC = 5.0V ， VB = 0.5V ， RL = 1.0K
)
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.05V ， R L = 1.0K
)
MUN5130
MUN5115
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.25V ， R L = 1.0K
)
MUN5116
MUN5131
MUN5133
3.脉冲测试：脉冲宽度300我们，占空比2.0 ％
V
V
VOH
VDC
WEITRON
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MUN5111系列
电气特性
基本特征
输入电阻
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
(T
A
= 25°C除非另有说明）
我们将其R ON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
电阻率MUN5111 / MUN5112 / MUN5113
MUN5136
MUN5114
MUN5115/MUN5116
MUN5130/MUN5131/MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5137
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％
R1/R2
MUN51111T1系列
所有MUN5111系列设备
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
150
100
R
θJA
= 833 C / W
50
0
- 50
0
50
100
T
A
，环境温
TURE （ C）
150
图1降额曲线
WEITRON
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MUN5111系列
MUN51111系列
我们将其R ON
1000
了典型的电气特性， MUN5135
1
V
权证（S AT ）
，最大C OLLE TOR
V OLTAG E（ V OLT S）
h
F ê
， DC C-UR 鄂西北摹AIN
75 C
100
25 C
10
-25 C
0.1
75 C
25 C
-25 C
0.01
0
5
10
15
20
25
I
C
，C OLLE TOR C-UR 鄂西北（毫安）
30
35
1
0
20
40
60
80
100
I
C
，C OLLE TOR C-UR 鄂西北（毫安）
120
图2最大集电极电压与
集电极电流
10
9
C
ob
，C APAC ITANC E（ pF）的
8
7
6
5
4
3
2
1
0
I
C
，C OLLE TOR C-UR 鄂西北（毫安）
100
75 C
10
图3直流电流增益
-25 C
25 C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
V
R
，R ê V è R 5 E B IAS V OLTAG E（ V OLT S）
60
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
in
， INP UT V OLTAG E（ V OLT S）
图4输出电容
10
V
in
， INP UT V OLTAG E（ V OLT S）
图5输出电流与输入电压
-25 C
75 C
1
25 C
0.1
0
5
10
15
20 25 30
35 40
I
C
， OUT P UT C-UR 鄂西北（毫安）
45
50
图6输入电压与输出电流
WEITRON
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