MUN5111DW系列
双偏置电阻晶体管
PNP硅
3
2
1
6 5
4
1
4
5
6
2
3
SOT-363(SC-88)
PNP + PNP
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
VCEO
VCBO
IC
价值
-50
-50
-100
单位
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（ 1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（ 1 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
R
θ
JA
TJ ， TSTG
最大
187
1.5
670
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
C
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0
l
1.0英寸的垫
l
器件标识和电阻值
设备
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
记号
0A
0B
0C
0D
0E
0F
0G
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
记号
0H
0J
0K
0L
0M
0N
0P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
1.0
我们ITR 0：N
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MUN5111DW系列
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
我们将其R ON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -2.0mA ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = -10微安，IE = 0）
集电极 - 基Cuto FF电压
(V
CB
= -50 V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流
（ ICE = -50V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（VEB = -6.0V ， IC = 0）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
ICBO
ICEO
MUN5111DW
MUN5112DW
MUN5113DW
MUN5114DW
MUN5115DW
MUN5116DW
MUN5130DW
MUN5131DW
MUN5132DW
MUN5133DW
MUN5134DW
MUN5135DW
MUN5136DW
MUN5137DW
IEBO
-50
-50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-100
-500
-0.5
-0.2
-0.1
-0.2
-0.9
-1.9
-4.3
-2.3
-1.5
-0.18
-0.13
-0.2
-0.05
-0.13
V
V
nA
nA
mA
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = -10mA ， IE = -0.3mA ）
（ IC = -10mA ， I B = - 5毫安）
MUN5137DW/MUN5131DW
（ IC = -10mA ， I B = - 1毫安）
MUN5115DW/MUN5116DW
MUN5132DW/MUN5133DW/MUN5134DW
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％
VCE （ SAT ）
-
-
-0.25
VDC
WEITRON
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MUN5111DW系列
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
我们将其R ON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
基本特征
(3)
直流电流增益
（ VCE = -10V ， IC = -5.0mA ）
MUN5111DW
MUN5112DW
MUN5113DW
MUN5114DW
MUN5115DW
MUN5116DW
MUN5130DW
MUN5131DW
MUN5132DW
MUN5133DW
MUN5134DW
MUN5135DW
MUN5136DW
MUN5137DW
MUN5111DW
MUN5112DW
MUN5113DW
MUN5114DW
MUN5115DW
MUN5116DW
MUN5130DW
MUN5131DW
MUN5132DW
MUN5133DW
MUN5134DW
MUN5135DW
MUN5136DW
MUN5137DW
^ h FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-4.9
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
150
140
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-
VDC
输出电压（上）
（ VCC = -5.0V ， VB = -2.5V ， RL = 1.0K
)
VOL
（ VCC = -5.0V ， VB = -3.5V ， R L = 1.0K
)
（ VCC = -5.0V ，V B = -5.5V ， R L = 1.0K
)
（ VCC = -5.0V ， VB = -4.0V ， R L = 1.0K
)
输出电压（关） （ VCC = -5.0V ， VB = -0.5V ， RL = 1.0K
)
（ VCC = -5.0V ， VB = -0.05V ， RL = 1.0K
)
MUN5130DW
MUN5115DW
（ VCC = -5.0V ， VB = -0.25V ， RL = 1.0K
)
MUN5116DW
MUN5131DW
MUN5133DW
3.脉冲测试：脉冲宽度300我们，占空比2.0 ％
V
V
VOH
VDC
WEITRON
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MUN5111DW系列
电气特性
基本特征
输入电阻
MUN5111DW
MUN5112DW
MUN5113DW
MUN5114DW
MUN5115DW
MUN5116DW
MUN5130DW
MUN5131DW
MUN5132DW
MUN5133DW
MUN5134DW
MUN5135DW
MUN5136DW
MUN5137DW
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
(T
A
= 25°C除非另有说明）
我们将其R ON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
电阻率MUN5111DW / MUN5112DW
MUN5113DW/MUN5136DW
MUN5114DW
MUN5115DW/MUN5116DW
MUN5130DW/MUN5131DW/MUN5132DW
MUN5133DW
MUN5134DW
MUN5135DW
MUN5137DW
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％
R1/R2
MUN5111DW1T1系列
所有MUN5111DW1T1系列设备
300
P
D
，P OWE DIS S IPAT ION （MW ）
250
200
150
100
50
0
- 50
R
θJ
A
= 490℃ / W
0
50
100
T
A
安博IE NT T E MP è R成为UR E（ 5C ）
150
图1降额曲线 - 所有器件
WEITRON
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MUN5111DW系列
MUN5111DW系列
我们将其R ON
1000
V
CE
= 10 V
典型的电特征 - MUN5111DW
VCE （SAT） ，集电极电压（伏）
I
C
/I
B
= 10
的hFE ， DC电流增益（标准化）
1
T
A
= -25 C
0.1
75 C
25 C
T
A
= 75 C
25 C
100
-25 C
0.01
0
10
20
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2 V
CE （ SAT ）
与我
C
图3直流电流增益
4
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25 C
100
75 C
25 C
T
A
= -25 C
IC ，集电极电流（毫安）
COB，电容（pF ）
3
10
1
2
0.1
1
0.01
1
2
V
O
= 5 V
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
0
图4输出电容
图5输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
10
T
A
= -25 C
25 C
75 C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图6输入电压与输出电流
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