MUN5111T1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的
能够显着降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
采用SC-70 / SOT- 323封装，专为低功耗
表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
PNP硅
偏置电阻
晶体管
3脚
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹带和卷轴 - 使用的设备号
订购的7英寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与“ T3 ”的
设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
BASE
（输入）
R
1
R
2
3
1
2
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
6X M
G
G
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
热阻，结到铅
结温和存储温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
202 （注1）
310 （注2）
1.6 （注1 ）
2.5 （注2）
618 （注1 ）
403 （注2）
280 （注1 ）
332 （注2）
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
6X =器件代码
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
订购信息
看到包的订货和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月 - 修订版8
出版订单号：
MUN5111T1/D
MUN5111T1系列
订购信息和电阻值
设备
MUN5111T1
MUN5111T1G
MUN5112T1
MUN5112T1G
MUN5113T1
MUN5113T1G
MUN5113T3
MUN5113T3G
MUN5113T1G
MUN5114T1
MUN5114T1G
MUN5115T1 （注3）
MUN5115T1G （注3）
MUN5116T1 （注3）
MUN5116T1G （注3）
MUN5130T1 （注3）
MUN5130T1G （注3）
MUN5131T1 （注3）
MUN5131T1G （注3）
MUN5132T1 （注3）
MUN5132T1G （注3）
MUN5133T1 （注3）
MUN5133T1G （注3）
MUN5134T1 （注3）
MUN5134T1G （注3）
MUN5135T1 （注3）
MUN5135T1G （注3）
MUN5136T1
MUN5136T1G
MUN5137T1
MUN5137T1G
包
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
记号
6A
6A
6B
6B
6C
6C
6C
6C
6C
6D
6D
6E
6E
6F
6F
6G
6G
6H
6H
6J
6J
6K
6K
6L
6L
6M
6M
6N
6N
6P
6P
R1 （ K）
10
10
22
22
47
47
47
47
47
10
10
10
10
4.7
4.7
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
4.7
4.7
22
22
2.2
2.2
100
100
47
47
R2 （ K）
10
10
22
22
47
47
47
47
47
47
47
∞
∞
∞
∞
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
47
47
47
47
47
47
100
100
22
22
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
http://onsemi.com
2
MUN5111T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
E
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
MUN5130T1/MUN5131T1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
MUN5115T1/MUN5116T1/
MUN5132T1/MUN5133T1/MUN5134T1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5113T1
MUN5136T1
MUN5137T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
http://onsemi.com
3
MUN5111T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5130T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5131T1
MUN5132T1
输入电阻
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
电阻率
MUN5111T1/MUN5112T1/MUN5113T1/MUN5136T1
MUN5114T1
MUN5115T1/MUN5116T1
MUN5130T1/MUN5131T1/MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5137T1
R
1
/R
2
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
符号
V
OH
民
4.9
典型值
最大
单位
VDC
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
kW
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
4
MUN5111T1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的
能够显着降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
采用SC-70 / SOT- 323封装，专为低功耗
表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
PNP硅
偏置电阻
晶体管
无铅包可用
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹带和卷轴 - 使用的设备号
订购的7英寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与“ T3 ”的
设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
BASE
（输入）
R
1
R
2
3脚
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
3
1
2
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
6X M
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
热阻，结到铅
结温和存储温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
202 （注1）
310 （注2）
1.6 （注1 ）
2.5 （注2）
618 （注1 ）
403 （注2）
280 （注1 ）
332 （注2）
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
6x
M
=具体设备守则
（请参阅订购信息表）
=日期代码
订购信息
看到包的订货和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 修订版7
出版订单号：
MUN5111T1/D
MUN5111T1系列
订购信息和电阻值
设备
MUN5111T1
MUN5111T1G
MUN5112T1
MUN5112T1G
MUN5113T1
MUN5113T3
MUN5113T1G
MUN5114T1
MUN5114T1G
MUN5115T1 （注3）
MUN5115T1G （注3）
MUN5116T1 （注3）
MUN5130T1 （注3）
MUN5130T1G （注3）
MUN5131T1 （注3）
MUN5131T1G （注3）
MUN5132T1 （注3）
MUN5132T1G （注3）
MUN5133T1 （注3）
MUN5133T1G （注3）
MUN5134T1 （注3）
MUN5135T1 （注3）
MUN5136T1
MUN5137T1
包
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
SC70/SOT323
SC70/SOT323
记号
6A
6A
6B
6B
6C
6C
6D
6D
6E
6E
6F
6G
6G
6H
6H
6J
6J
6K
6K
6L
6M
6N
6P
R1 （ K）
10
10
22
22
47
47
10
10
10
10
4.7
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2 （ K）
10
10
22
22
47
47
47
47
∞
∞
∞
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
47
47
47
47
100
22
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
http://onsemi.com
2
MUN5111T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
E
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MUN5130T1 / MUN5131T1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MUN5115T1 / MUN5116T1 /
MUN5132T1/MUN5133T1/MUN5134T1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5113T1
MUN5136T1
MUN5137T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
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3
MUN5111T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5130T1
MUN5115T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5116T1
MUN5131T1
MUN5132T1
输入电阻
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
MUN5111T1/MUN5112T1/MUN5113T1/
MUN5136T1
MUN5114T1
MUN5115T1/MUN5116T1
MUN5130T1/MUN5131T1/MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5137T1
符号
V
OH
民
4.9
典型值
最大
单位
VDC
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
kW
电阻率
R
1
/R
2
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
4
MUN5111T1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的
能够显着降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
采用SC-70 / SOT- 323封装，专为低功耗
表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
PNP硅
偏置电阻
晶体管
无铅包可用
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹带和卷轴 - 使用的设备号
订购的7英寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与“ T3 ”的
设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
BASE
（输入）
R
1
R
2
3脚
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
3
1
2
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
6X M
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
热阻，结到铅
结温和存储温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
202 （注1）
310 （注2）
1.6 （注1 ）
2.5 （注2）
618 （注1 ）
403 （注2）
280 （注1 ）
332 （注2）
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
6x
M
=具体设备守则
（请参阅订购信息表）
=日期代码
订购信息
看到包的订货和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 修订版7
出版订单号：
MUN5111T1/D
MUN5111T1系列
订购信息和电阻值
设备
MUN5111T1
MUN5111T1G
MUN5112T1
MUN5112T1G
MUN5113T1
MUN5113T3
MUN5113T1G
MUN5114T1
MUN5114T1G
MUN5115T1 （注3）
MUN5115T1G （注3）
MUN5116T1 （注3）
MUN5130T1 （注3）
MUN5130T1G （注3）
MUN5131T1 （注3）
MUN5131T1G （注3）
MUN5132T1 （注3）
MUN5132T1G （注3）
MUN5133T1 （注3）
MUN5133T1G （注3）
MUN5134T1 （注3）
MUN5135T1 （注3）
MUN5136T1
MUN5137T1
包
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
（无铅）
SC70/SOT323
SC70/SOT323
SC70/SOT323
SC70/SOT323
记号
6A
6A
6B
6B
6C
6C
6D
6D
6E
6E
6F
6G
6G
6H
6H
6J
6J
6K
6K
6L
6M
6N
6P
R1 （ K）
10
10
22
22
47
47
10
10
10
10
4.7
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2 （ K）
10
10
22
22
47
47
47
47
∞
∞
∞
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
47
47
47
47
100
22
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
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2
MUN5111T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
E
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MUN5130T1 / MUN5131T1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MUN5115T1 / MUN5116T1 /
MUN5132T1/MUN5133T1/MUN5134T1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5113T1
MUN5136T1
MUN5137T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
http://onsemi.com
3
MUN5111T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5130T1
MUN5115T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5116T1
MUN5131T1
MUN5132T1
输入电阻
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
MUN5111T1/MUN5112T1/MUN5113T1/
MUN5136T1
MUN5114T1
MUN5115T1/MUN5116T1
MUN5130T1/MUN5131T1/MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5137T1
符号
V
OH
民
4.9
典型值
最大
单位
VDC
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
kW
电阻率
R
1
/R
2
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
4
MUN2131 ， MMUN2131L ，
MUN5131 ， DTA123EE ，
DTA123EM3
数字晶体管（ BRT ）
R 1 = 2.2千瓦，R 2 = 2.2千瓦
PNP晶体管与单片偏置
电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一个基线
发射极电阻。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。
特点
销1
BASE
（输入）
http://onsemi.com
引脚连接
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
标记DIAGRAMS
SC59
CASE 318D
风格1
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101标准
和PPAP有能力
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
12
10
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
XX MG
G
1
XXX MG
G
1
XX MG
G
1
XX M
1
XX M
1
XXX
M
G
SOT23
CASE 318
类型6
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
SC75
CASE 463
风格1
SOT723
CASE 631AA
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第1版
1
出版订单号：
DTA123E/D
MUN2131 ， MMUN2131L ， MUN5131 ， DTA123EE ， DTA123EM3
表1.订购信息
设备
MUN2131T1G
MMUN2131LT1G
MUN5131T1G ， NSVMUN5131T1G
DTA123EET1G
DTA123EM3T5G
最热
6H
A6H
6H
6H
6H
包
SC59
SOT23
SC70/SOT323
SC75
SOT723
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
(1) (2) (3) (4)
（ 1 ） SC- 75和SC- 70 / SOT- 323 ;最小焊盘
（ 2 ） SC- 59 ;最小焊盘
（ 3 ） SOT- 23 ;最小焊盘
（ 4 ） SOT- 723 ;最小焊盘
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
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2
MUN2131 ， MMUN2131L ， MUN5131 ， DTA123EE ， DTA123EM3
表2.热特性
特征
热特性（ SC - 59 ） （ MUN2131 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SOT -23 ） （ MUNN2131L ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 70 / SOT- 323 ） （ MUN5131 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 75 ） （ DTA123EE ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
热特性（ SOT- 723 ） （ DTA123EM3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
260
600
2.0
4.8
480
205
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
200
300
1.6
2.4
600
400
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
202
310
1.6
2.5
618
403
280
332
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
246
400
2.0
3.2
508
311
174
208
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
230
338
1.8
2.7
540
370
264
287
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
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3
MUN2131 ， MMUN2131L ， MUN5131 ， DTA123EE ， DTA123EM3
表3.电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
DC电流增益（注3）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5.0 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 1.0 mA）的
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 20 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
3.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
≤
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
V
我（上）
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
8.0
4.9
1.5
0.8
15
1.2
1.9
2.2
1.0
0.25
0.2
2.9
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
kW
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
2.3
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
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4
MUN2131 ， MMUN2131L ， MUN5131 ， DTA123EE ， DTA123EM3
典型特征
MUN2131 ， MMUN2131L ， MUN5131 ， DTA123EE ， DTA123EM3
1
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
电压（V）的
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
100
150°C
55°C
10
1000
25°C
0.1
150°C
25°C
55°C
1
V
CE
= 10 V
0.01
0
10
20
30
40
50
0.1
0.1
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
10
C
ob
，输出电容（ pF）的
I
C
，集电极电流（毫安）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
F = 10千赫
I
E
= 0 A
T
A
= 25°C
100
图3.直流电流增益
150°C
10
25°C
55°C
1
V
O
= 5 V
0.1
0
1
2
V
in
，输入电压（ V）
3
4
0
10
20
30
40
50
V
R
，反向电压（V）的
图4.输出电容
100
图5.输出电流与输入电压
V
in
，输入电压（ V）
10
25°C
55°C
1
150°C
V
O
= 0.2 V
0
10
20
30
40
50
0.1
I
C
，集电极电流（毫安）
图6.输入电压与输出电流
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5
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