MUN5111DW1T1系列
首选设备
双偏置电阻
晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基极电阻
和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管被设计成
代替一个单一的设备和它的外部电阻偏置网络。快速公交
通过将它们集成到一个单一的消除这些单独的部件
装置。在MUN5111DW1T1系列， 2 BRT的装置被安置在
采用SOT -363封装，非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
(3)
R
1
Q
1
Q
2
R
2
(4)
R
1
(5)
(6)
(2)
R
2
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
无铅包可用
1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT363
CASE 419B
风格1
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
结到铅
结温和存储温度范围
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2）
1.5 （注1）
2.0 （注2）
670 （注1 ）
490 （注2）
最大
250 （注1 ）
385 （注2）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2）
493 （注1 ）
325 （注2）
188 （注1 ）
208 （注2）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
标记图
6
XX M
G
G
1
R
qJA
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
xx
M
G
=设备代码（参见第2页）
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
订购信息
查看详细的订购和发货信息在桌子上
本数据手册的第2页。
器件标识信息
°C
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年9月 - 修订版6
出版订单号：
MUN5111DW1T1/D
MUN5111DW1T1系列
器件标识和电阻值
设备
MUN5111DW1T1
MUN5111DW1T1G
MUN5112DW1T1
MUN5112DW1T1G
MUN5113DW1T1
MUN5113DW1T1G
MUN5114DW1T1
MUN5114DW1T1G
MUN5115DW1T1
MUN5115DW1T1G
MUN5116DW1T1
MUN5116DW1T1G
MUN5130DW1T1
MUN5130DW1T1G
MUN5131DW1T1
MUN5131DW1T1G
MUN5132DW1T1
MUN5132DW1T1G
MUN5133DW1T1
MUN5133DW1T1G
MUN5134DW1T1
MUN5134DW1T1G
MUN5135DW1T1
MUN5135DW1T1G
MUN5136DW1T1
MUN5136DW1T1G
MUN5137DW1T1
MUN5137DW1T1G
包
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
记号
0A
0A
0B
0B
0C
0C
0D
0D
0E
0E
0F
0F
0G
0G
0H
0H
0J
0J
0K
0K
0L
0L
0M
0M
0N
0N
0P
0P
R1 （ K）
10
10
22
22
47
47
10
10
10
10
4.7
4.7
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
4.7
4.7
22
22
2.2
2.2
100
100
47
47
R2 （ K）
10
10
22
22
47
47
47
47
∞
∞
∞
∞
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
47
47
47
47
47
47
100
100
22
22
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MUN5111DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= -50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= -50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= -6.0 V，I
C
= 0)
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ） （我
C
= -2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注3）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -10毫安，我
E
= -0.3毫安）
(I
C
= -10毫安，我
B
= -5毫安）
MUN5130DW1T1/MUN5131DW1T1
(I
C
= -10毫安，我
B
= -1毫安）
MUN5115DW1T1/MUN5116DW1T1
MUN5132DW1T1/MUN5133DW1T1/MUN5134DW1T1
直流电流增益
(V
CE
= -10 V，I
C
= -5.0毫安）
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
V
CE （ SAT ）
0.25
VDC
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
130
140
VDC
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= -2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
OL
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= -3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= -5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= -4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= -0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= -0.05 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5130DW1T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= - 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5133DW1T1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
V
OH
4.9
http://onsemi.com
3
MUN5111DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
基本特征
（注4 ） （续）
输入电阻
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
MUN5111DW1T1/MUN5112DW1T1/
MUN5113DW1T1/MUN5136DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1/MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1/MUN5131DW1T1/MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5137DW1T1
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
W
符号
民
典型值
最大
单位
电阻率
R
1
/R
2
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
所有MUN5111DW1T1系列设备
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 490 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线 - 所有器件
http://onsemi.com
4
乐山无线电公司， LTD 。
双偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个整体偏向单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。这些
数字晶体管被设计为替代单一的设备及其外部电阻偏置网络。
BRT的通过将它们集成到单个设备中消除了这些单独的部件。在
该MUN5111DW1T1系列， 2 BRT设备被容纳在SOT -363封装该
非常适合于低功耗表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。
。简化电路设计
。板级空间缩小
。减少了元件数量
。提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
MUN5111DW1T1
系列
6
5
4
1
2
3
SOT-363
CASE 419B样式1
6
5
4
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
等级
符号价值
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
–50
VDC
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
–50
VDC
集电极电流
I
C
-100 MADC
热特性
特征
（一路口加热）
符号
最大
单位
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度
1. FR-4 @最低垫
P
D
187 （注1 ）
256 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
670 （注1 ）
490 （注2 ）
mW
毫瓦/°C的
° C / W
Q
2
R
2
R
1
1
2
R
1
R
2
Q
1
3
标记图
6
5
4
XX
1
2
3
R
θJA
XX =器件标识
=
（见第2页）
符号
P
D
最大
250 （注1 ）
385 （注2 ）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2 ）
493 （注1 ）
325 （注2 ）
188 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
器件标识
信息
查看具体信息标记
该设备的第2页上的标记表
此数据表。
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
MUN5111dw–1/11
乐山无线电公司， LTD 。
MUN5111DW1T1
器件标识和电阻值
设备
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1 （注3 ）
MUN5116DW1T1 （注3 ）
MUN5130DW1T1 （注3 ）
MUN5131DW1T1 （注3 ）
MUN5132DW1T1 （注3 ）
MUN5133DW1T1 （注3 ）
MUN5134DW1T1 （注3 ）
MUN5135DW1T1 （注3 ）
MUN5136DW1T1 （注3 ）
MUN5137DW1T1 （注3 ）
包
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
记号
0A
0B
0C
0D
0E
0F
0G
0H
0J
0K
0L
0M
0N
0P
R
1
(K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R
2
(K)
10
22
47
47
–
–
1.0
2.2
4.7
47
47
47
100
22
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
特征
符号
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= -50 V，I
E
= 0)
I
CBO
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= -50 V，I
B
= 0)
I
首席执行官
I
EBO
发射基截止电流
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= –10
A,
I
E
= 0)
V
（ BR ） CBO
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）。 （我
C
= -2.0毫安，我
B
=0) V
（ BR ） CEO
基本特征
（注4 ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -10mA ，我
E
= -0.3毫安）
(I
C
= -10mA ，我
B
= -5mA ）
(I
C
= -10mA ，我
B
= -1mA ）
MUN5130DW1T1/MUN5131DW1T1
MUN5115DW1T1/MUN5116DW1T1
V
CE （ SAT ）
民
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–50
–50
–
典型值
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
单位
(V
EB
= -6.0 V，I
C
= 0)
–100
NADC
–500
NADC
-0.5 MADC
–0.2
–0.1
–0.2
–0.9
–1.9
–4.3
–2.3
–1.5
–0.18
–0.13
–0.2
–0.05
–0.13
–
VDC
–
VDC
–0.25
VDC
MUN5132DW1T1/MUN5133DW1T1/MUN5134DW1T1
3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
MUN5111dw–2/11
乐山无线电公司， LTD 。
MUN5111DW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,)
特征
基本特征（注
5.)
输入电阻
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
电阻率
MUN5111DW1T1 / MUN5112DW1T1 / R
1
/R
2
MUN5113DW1T1/MUN5136DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1/MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1/MUN5131DW1T1/MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5137DW1T1
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
–
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
–
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
–
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
符号
（续）
民
典型值
最大
系列
单位
k
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
–50
0
50
100
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图1.降额曲线
MUN5111dw–4/11
MUN5111DW1T1系列
首选设备
双偏置电阻
晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
http://onsemi.com
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在MUN5111DW1T1系列，
2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想
针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个
溢价。
(3)
R
1
Q
1
(2)
R
2
(1)
Q
2
R
2
(4)
R
1
(5)
(6)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
6
1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT363
CASE 419B
风格1
标记图
6
XX
d
1
XX =具体设备守则
d
=日期代码
=
（见第2页）
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
670 （注1 ）
490 （注2 ）
最大
250 （注1 ）
385 （注2 ）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2 ）
493 （注1 ）
325 （注2 ）
188 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
θJA
器件标识信息
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 修订版5
出版订单号：
MUN5111DW1T1/D
MUN5111DW1T1系列
器件标识和电阻值
设备
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
包
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
记号
0A
0B
0C
0D
0E
0F
0G
0H
0J
0K
0L
0M
0N
0P
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
47
100
22
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= -50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= -50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= -6.0 V，I
C
= 0)
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ） （我
C
= -2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注3 ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -10毫安，我
E
= -0.3毫安）
(I
C
= -10毫安，我
B
= -5 mA）的MUN5130DW1T1 / MUN5131DW1T1
(I
C
= -10毫安，我
B
= -1 mA）的MUN5115DW1T1 / MUN5116DW1T1
MUN5132DW1T1/MUN5133DW1T1/MUN5134DW1T1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
V
CE （ SAT ）
0.25
VDC
http://onsemi.com
2
MUN5111DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注4 ） （续）
直流电流增益
(V
CE
= -10 V，I
C
= -5.0毫安）
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
V
OH
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
4.9
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
130
140
VDC
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= -2.5 V ，R
L
= 1.0 k)
V
OL
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= -3.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= -5.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= -4.0 V ，R
L
= 1.0 k)
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= -0.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= -0.05 V ，R
L
= 1.0千欧） MUN5130DW1T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= - 0.25 V ，R
L
= 1.0千欧） MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5133DW1T1
输入电阻
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
电阻率MUN5111DW1T1 / MUN5112DW1T1 /
MUN5113DW1T1/MUN5136DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1/MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1/MUN5131DW1T1/MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5137DW1T1
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
R
1
/R
2
http://onsemi.com
3
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MUN5111DW1T1 / D
双偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个整体的单一晶体管
偏置网络包括两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。这些数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在MUN5111DW1T1系列，双BRT设备
被收容在SOT -363封装，非常适合于低功率的表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴。
MUN5111DW1T1
系列
摩托罗拉的首选设备
6
5
4
1
2
3
CASE 419B -01 ，风格1
SOT–363
(3)
(2)
R1
R2
(1)
Q1
Q2
R2
(4)
(5)
R1
(6)
最大额定值
（ TA = 25 ° C除非另有说明，共同为Q1和Q2 ）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
VCBO
VCEO
IC
价值
– 50
–50
–100
单位
VDC
VDC
MADC
热特性
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
总包耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
R
θJA
TJ ， TSTG
PD
833
- 65 + 150
*150
° C / W
°C
mW
器件标识和电阻值： MUN5111DW1T1系列
设备
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1(2)
MUN5116DW1T1(2)
MUN5130DW1T1(2)
MUN5131DW1T1(2)
MUN5132DW1T1(2)
MUN5133DW1T1(2)
MUN5134DW1T1(2)
MUN5135DW1T1(2)
记号
0A
0B
0C
0D
0E
0F
0G
0H
0J
0K
0L
0M
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
47
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
MUN5111DW1T1系列
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明，共同为Q1和Q2 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（ VCB = -50 V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = - 50 V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = - 6.0 V， IC = 0 ）
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
ICBO
ICEO
IEBO
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 50
–50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–100
–500
–0.5
–0.2
–0.1
–0.2
–0.9
–1.9
–4.3
–2.3
–1.5
–0.18
–0.13
–0.2
—
—
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（ IC = -10
A,
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ） （ IC = - 2.0毫安， IB = 0 ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征（ 3 ）
直流电流增益
（ VCE = -10 V ， IC = - 5.0毫安）
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
的hFE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
—
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = -10毫安， IE = -0.3毫安）
（ IC = -10毫安， IB = - 5毫安） MUN5130DW1T1 / MUN5131DW1T1
（ IC = -10毫安， IB = -1 mA）的MUN5115DW1T1 / MUN5116DW1T1 /
MUN5132DW1T1/MUN5133DW1T1/MUN5134DW1T1
输出电压（上）
（ VCC = -5.0 V， VB = -2.5 V， RL = 1.0千欧） MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
（ VCC = -5.0 V， VB = - 3.5 V ， RL = 1.0千欧） MUN5113DW1T1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
VCE （ SAT ）
VOL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
VDC
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MUN5111DW1T1系列
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明，共同为Q1和Q2 ） （续）
特征
输出电压（关） （ VCC = -5.0 V， VB = -0.5 V， RL = 1.0千欧）
（ VCC = -5.0 V， VB = -0.050 V， RL = 1.0千欧） MUN5130DW1T1
（ VCC = -5.0 V， VB = - 0.25 V， RL = 1.0千欧） MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
输入电阻
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
符号
VOH
民
– 4.9
典型值
—
最大
—
单位
VDC
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
0.047
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
0.056
k
电阻率MUN5111DW1T1 / MUN5112DW1T1 / MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1/MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1/MUN5131DW1T1/MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
R1/R2
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
150
100
R
θJA
= 833 ° C / W
50
0
– 50
0
50
100
TA ，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
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