MUN5111系列
偏置电阻晶体管
PNP硅
集热器
3
BASE
1
R1
R2
3
1
2
2
辐射源
SOT-323(SC-70)
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
VCEO
VCBO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（ 1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
符号
PD
最大
202 (1)
310 (2)
1.6 (1)
2.5 (2)
618
403
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
C
热阻，结到环境（ 1 ）
结温和存储，使用温度范围
R
θ
JA
TJ ， TSTG
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0
l
1.0英寸的垫
l
器件标识和电阻值
设备
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
记号
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6G
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
记号
6H
6J
6K
6L
6M
6N
6P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
1.0
我们ITR 0：N
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MUN5111系列
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
我们将其R ON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 2.0毫安， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = 10微安，IE = 0）的
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= -50 V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE = -50V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 6.0V ， IC = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
ICBO
ICEO
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
IEBO
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
mA
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10毫安， IE = 0.3毫安）
（ I C = 10毫安， I B = 5毫安）
MUN5130/MUN5131
（ IC = 10毫安， I B = 1毫安）
MUN5115/MUN5116
MUN5132/MUN5133/MUN5134
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％
VCE （ SAT ）
-
-
0.25
VDC
WEITRON
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MUN5111系列
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
我们将其R ON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
基本特征
(3)
直流电流增益
（ VCE = -10V ， IC = -5.0mA ）
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
^ h FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.9
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
150
140
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
-
VDC
输出电压（上）
（ VCC = 5.0V ， VB = 2.5V ， R L = 1.0K
)
VOL
（ VCC = 5.0V ， VB = 3.5V ， RL = 1.0K
)
（ VCC = 5.0V ，V B = 5.5V ， R L = 1.0K
)
（ VCC = 5.0V ， VB = 4.0V ， RL = 1.0K
)
输出电压（关） （ VCC = 5.0V ， VB = 0.5V ， RL = 1.0K
)
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.05V ， R L = 1.0K
)
MUN5130
MUN5115
（ VCC = 5.0V ， VB = 0.25V ， R L = 1.0K
)
MUN5116
MUN5131
MUN5133
3.脉冲测试：脉冲宽度300我们，占空比2.0 ％
V
V
VOH
VDC
WEITRON
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MUN5111系列
电气特性
基本特征
输入电阻
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
(T
A
= 25°C除非另有说明）
我们将其R ON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
电阻率MUN5111 / MUN5112 / MUN5113
MUN5136
MUN5114
MUN5115/MUN5116
MUN5130/MUN5131/MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5137
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％
R1/R2
MUN51111T1系列
所有MUN5111系列设备
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
150
100
R
θJA
= 833 C / W
50
0
- 50
0
50
100
T
A
，环境温
TURE （ C）
150
图1降额曲线
WEITRON
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MUN5111系列
MUN51111系列
我们将其R ON
1000
了典型的电气特性， MUN5135
1
V
权证（S AT ）
，最大C OLLE TOR
V OLTAG E（ V OLT S）
h
F ê
， DC C-UR 鄂西北摹AIN
75 C
100
25 C
10
-25 C
0.1
75 C
25 C
-25 C
0.01
0
5
10
15
20
25
I
C
，C OLLE TOR C-UR 鄂西北（毫安）
30
35
1
0
20
40
60
80
100
I
C
，C OLLE TOR C-UR 鄂西北（毫安）
120
图2最大集电极电压与
集电极电流
10
9
C
ob
，C APAC ITANC E（ pF）的
8
7
6
5
4
3
2
1
0
I
C
，C OLLE TOR C-UR 鄂西北（毫安）
100
75 C
10
图3直流电流增益
-25 C
25 C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
V
R
，R ê V è R 5 E B IAS V OLTAG E（ V OLT S）
60
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
in
， INP UT V OLTAG E（ V OLT S）
图4输出电容
10
V
in
， INP UT V OLTAG E（ V OLT S）
图5输出电流与输入电压
-25 C
75 C
1
25 C
0.1
0
5
10
15
20 25 30
35 40
I
C
， OUT P UT C-UR 鄂西北（毫安）
45
50
图6输入电压与输出电流
WEITRON
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MUN2113 ， MMUN2113L ，
MUN5113 ， DTA144EE ，
DTA144EM3 ， NSBA144EF3
数字晶体管（ BRT ）
R 1 = 47千瓦， R2 = 47千瓦
PNP晶体管与单片偏置
电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一个基线
发射极电阻。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。
特点
销1
BASE
（输入）
http://onsemi.com
引脚连接
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
标记DIAGRAMS
SC59
CASE 318D
风格1
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101标准
和PPAP有能力
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
40
10
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
XX MG
G
1
XXX MG
G
1
XX MG
G
1
XX M
1
XX M
1
XM 1
XXX
M
G
SOT23
CASE 318
类型6
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
SC75
CASE 463
风格1
SOT723
CASE 631AA
风格1
SOT1123
CASE 524AA
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第1版
1
出版订单号：
DTA144E/D
MUN2113 ， MMUN2113L ， MUN5113 ， DTA144EE ， DTA144EM3 ， NSBA144EF3
表1.订购信息
设备
MUN2113T1G ， SMUN2113T1G
MMUN2113LT1G ， SMMUN2113LT1G
MMUN2113LT3G
MUN5113T1G ， SMUN5113T1G
MUN5113T3G
DTA144EET1G
DTA144EM3T5G
NSBA144EF3T5G
最热
6C
A6C
A6C
6C
6C
6C
6C
E
包
SC59
SOT23
SOT23
SC70/SOT323
SC70/SOT323
SC75
SOT723
SOT1123
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
(1) (2) (3) (4) (5)
（ 1 ） SC- 75和SC- 70 / SOT- 323 ;最小焊盘
（ 2 ） SC- 59 ;最小焊盘
（ 3 ） SOT- 23 ;最小焊盘
（ 4 ） SOT- 1123 ; 100毫米
2
， 1盎司铜线
（ 5 ） SOT- 723 ;最小焊盘
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
http://onsemi.com
2
MUN2113 ， MMUN2113L ， MUN5113 ， DTA144EE ， DTA144EM3 ， NSBA144EF3
表2.热特性
特征
热特性（ SC - 59 ） （ MUN2113 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SOT -23 ） （ MUNN2113L ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 70 / SOT- 323 ） （ MUN5113 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 75 ） （ DTA144EE ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
热特性（ SOT- 723 ） （ DTA144EM3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
260
600
2.0
4.8
480
205
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
200
300
1.6
2.4
600
400
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
202
310
1.6
2.5
618
403
280
332
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
246
400
2.0
3.2
508
311
174
208
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
230
338
1.8
2.7
540
370
264
287
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
http://onsemi.com
3
MUN2113 ， MMUN2113L ， MUN5113 ， DTA144EE ， DTA144EM3 ， NSBA144EF3
表2.热特性
特征
热特性（ SOT- 1123 ） （ NSBA144EF3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，结领导
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注3）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
（注3）
P
D
254
297
2.0
2.4
493
421
193
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
表3.电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
DC电流增益（注5）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集电极 - 发射极饱和电压（注5 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 3.0 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
5.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
≤
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
V
我（上）
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
80
4.9
32.9
0.8
140
1.2
2.0
47
1.0
0.25
0.2
61.1
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
kW
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.1
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
4
MUN2113 ， MMUN2113L ， MUN5113 ， DTA144EE ， DTA144EM3 ， NSBA144EF3
典型特征
MUN2113 ， MMUN2113L ， MUN5113 ， DTA144EE ， DTA144EM3
1
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
电压（V）的
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，电流增益
T
A
= 75°C
25°C
100
25°C
1000
T
A
=
25°C
0.1
75°C
25°C
0.01
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
10
C
ob
，输出电容（ pF）的
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
50
I
C
，集电极电流（毫安）
F = 10千赫
l
E
= 0 A
T
A
= 25°C
100
10
1
图3.直流电流增益
T
A
= 75°C
25°C
25°C
0.1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.001
V
in
，输入电压（ V）
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
V
in
，输入电压（ V）
T
A
=
25°C
10
75°C
V
O
= 2 V
25°C
1
0.1
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图6.输入电压与输出电流
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5
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