【MUN5111DW1T1系列首选设备双偏置电阻晶体管PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络http】,IC型号MUN511,MUN511 PDF资料,MUN511经销商,ic,电子元器件-51电子网

MUN5111DW1T1系列

首选设备

双偏置电阻

晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

http://onsemi.com

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管

单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管

设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置

网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。在MUN5111DW1T1系列，

2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想

针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个

溢价。

(3)

R

1

Q

1

(2)

R

2

(1)

Q

2

R

2

(4)

R

1

(5)

(6)

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

6

1

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

SOT363

CASE 419B

风格1

标记图

6

XX

d

1

XX =具体设备守则

d

=日期代码

=

（见第2页）

热特性

特征

（一路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结存储

温度范围

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

符号

P

D

最大

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

670 （注1 ）

490 （注2 ）

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

R

θJA

器件标识信息

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第2页。

符号

P

D

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

半导体元件工业有限责任公司， 2003

1

2003年12月 - 修订版5

出版订单号：

MUN5111DW1T1/D

MUN5111DW1T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN5111DW1T1

MUN5112DW1T1

MUN5113DW1T1

MUN5114DW1T1

MUN5115DW1T1

MUN5116DW1T1

MUN5130DW1T1

MUN5131DW1T1

MUN5132DW1T1

MUN5133DW1T1

MUN5134DW1T1

MUN5135DW1T1

MUN5136DW1T1

MUN5137DW1T1

包

SOT363

记号

0A

0B

0C

0D

0E

0F

0G

0H

0J

0K

0L

0M

0N

0P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= -50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= -50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= -6.0 V，I

C

= 0)

MUN5111DW1T1

MUN5112DW1T1

MUN5113DW1T1

MUN5114DW1T1

MUN5115DW1T1

MUN5116DW1T1

MUN5130DW1T1

MUN5131DW1T1

MUN5132DW1T1

MUN5133DW1T1

MUN5134DW1T1

MUN5135DW1T1

MUN5136DW1T1

MUN5137DW1T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）（我

C

= -2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

（注3 ）

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= -10毫安，我

E

= -0.3毫安）

(I

C

= -10毫安，我

B

= -5 mA）的MUN5130DW1T1 / MUN5131DW1T1

(I

C

= -10毫安，我

B

= -1 mA）的MUN5115DW1T1 / MUN5116DW1T1

MUN5132DW1T1/MUN5133DW1T1/MUN5134DW1T1

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

V

CE （ SAT ）

0.25

VDC

http://onsemi.com

2

MUN5111DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注4 ）（续）

直流电流增益

(V

CE

= -10 V，I

C

= -5.0毫安）

MUN5111DW1T1

MUN5112DW1T1

MUN5113DW1T1

MUN5114DW1T1

MUN5115DW1T1

MUN5116DW1T1

MUN5130DW1T1

MUN5131DW1T1

MUN5132DW1T1

MUN5133DW1T1

MUN5134DW1T1

MUN5135DW1T1

MUN5136DW1T1

MUN5137DW1T1

MUN5111DW1T1

MUN5112DW1T1

MUN5114DW1T1

MUN5115DW1T1

MUN5116DW1T1

MUN5130DW1T1

MUN5131DW1T1

MUN5132DW1T1

MUN5133DW1T1

MUN5134DW1T1

MUN5135DW1T1

MUN5113DW1T1

MUN5136DW1T1

MUN5137DW1T1

V

OH

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

4.9

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

140

130

140

VDC

0.2

VDC

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= -2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

V

OL

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= -3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= -5.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= -4.0 V ，R

L

= 1.0 k)

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= -0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= -0.05 V ，R

L

= 1.0千欧） MUN5130DW1T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= - 0.25 V ，R

L

= 1.0千欧） MUN5115DW1T1

MUN5116DW1T1

MUN5131DW1T1

MUN5133DW1T1

输入电阻

MUN5111DW1T1

MUN5112DW1T1

MUN5113DW1T1

MUN5114DW1T1

MUN5115DW1T1

MUN5116DW1T1

MUN5130DW1T1

MUN5131DW1T1

MUN5132DW1T1

MUN5133DW1T1

MUN5134DW1T1

MUN5135DW1T1

MUN5136DW1T1

MUN5137DW1T1

R

1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

k

电阻率MUN5111DW1T1 / MUN5112DW1T1 /

MUN5113DW1T1/MUN5136DW1T1

MUN5114DW1T1

MUN5115DW1T1/MUN5116DW1T1

MUN5130DW1T1/MUN5131DW1T1/MUN5132DW1T1

MUN5133DW1T1

MUN5134DW1T1

MUN5135DW1T1

MUN5137DW1T1

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

R

1

/R

2

http://onsemi.com

3

MUN5111DW1T1系列

所有MUN5111DW1T1系列设备

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

50

R

θJA

= 490 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线 - 所有器件

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4

MUN5111DW1T1系列

电气特性 - MUN5111DW1T1

VCE （SAT），集电极电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 25°C

0.1

75°C

25°C

T

A

= 75°C

100

25°C

0.01

0

20

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

l

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

2

0.1

1

0.01

0

1

2

V

O

= 5 V

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

100

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

10

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

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5

MUN5111DW1T1系列

首选设备

双偏置电阻

晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

http://onsemi.com

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管

单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管

设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置

网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。在MUN5111DW1T1系列，

2 BRT设备被容纳在SOT -363封装，这是理想

针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间是一个

溢价。

(3)

R

1

Q

1

(2)

R

2

(1)

Q

2

R

2

(4)

R

1

(5)

(6)

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

6

1

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

SOT363

CASE 419B

风格1

标记图

6

XX

d

1

XX =具体设备守则

d

=日期代码

=

（见第2页）

热特性

特征

（一路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结存储

温度范围

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

符号

P

D

最大

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

670 （注1 ）

490 （注2 ）

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

R

θJA

器件标识信息

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第2页。

符号

P

D

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

半导体元件工业有限责任公司， 2003

1

2003年12月 - 修订版5

出版订单号：

MUN5111DW1T1/D

MUN5111DW1T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN5111DW1T1

MUN5112DW1T1

MUN5113DW1T1

MUN5114DW1T1

MUN5115DW1T1

MUN5116DW1T1

MUN5130DW1T1

MUN5131DW1T1

MUN5132DW1T1

MUN5133DW1T1

MUN5134DW1T1

MUN5135DW1T1

MUN5136DW1T1

MUN5137DW1T1

包

SOT363

记号

0A

0B

0C

0D

0E

0F

0G

0H

0J

0K

0L

0M

0N

0P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= -50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= -50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= -6.0 V，I

C

= 0)

MUN5111DW1T1

MUN5112DW1T1

MUN5113DW1T1

MUN5114DW1T1

MUN5115DW1T1

MUN5116DW1T1

MUN5130DW1T1

MUN5131DW1T1

MUN5132DW1T1

MUN5133DW1T1

MUN5134DW1T1

MUN5135DW1T1

MUN5136DW1T1

MUN5137DW1T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）（我

C

= -2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

（注3 ）

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= -10毫安，我

E

= -0.3毫安）

(I

C

= -10毫安，我

B

= -5 mA）的MUN5130DW1T1 / MUN5131DW1T1

(I

C

= -10毫安，我

B

= -1 mA）的MUN5115DW1T1 / MUN5116DW1T1

MUN5132DW1T1/MUN5133DW1T1/MUN5134DW1T1

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

V

CE （ SAT ）

0.25

VDC

http://onsemi.com

2

MUN5111DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注4 ）（续）

直流电流增益

(V

CE

= -10 V，I

C

= -5.0毫安）

MUN5111DW1T1

MUN5112DW1T1

MUN5113DW1T1

MUN5114DW1T1

MUN5115DW1T1

MUN5116DW1T1

MUN5130DW1T1

MUN5131DW1T1

MUN5132DW1T1

MUN5133DW1T1

MUN5134DW1T1

MUN5135DW1T1

MUN5136DW1T1

MUN5137DW1T1

MUN5111DW1T1

MUN5112DW1T1

MUN5114DW1T1

MUN5115DW1T1

MUN5116DW1T1

MUN5130DW1T1

MUN5131DW1T1

MUN5132DW1T1

MUN5133DW1T1

MUN5134DW1T1

MUN5135DW1T1

MUN5113DW1T1

MUN5136DW1T1

MUN5137DW1T1

V

OH

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

4.9

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

140

130

140

VDC

0.2

VDC

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= -2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

V

OL

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= -3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= -5.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= -4.0 V ，R

L

= 1.0 k)

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= -0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= -0.05 V ，R

L

= 1.0千欧） MUN5130DW1T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= - 0.25 V ，R

L

= 1.0千欧） MUN5115DW1T1

MUN5116DW1T1

MUN5131DW1T1

MUN5133DW1T1

输入电阻

MUN5111DW1T1

MUN5112DW1T1

MUN5113DW1T1

MUN5114DW1T1

MUN5115DW1T1

MUN5116DW1T1

MUN5130DW1T1

MUN5131DW1T1

MUN5132DW1T1

MUN5133DW1T1

MUN5134DW1T1

MUN5135DW1T1

MUN5136DW1T1

MUN5137DW1T1

R

1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

k

电阻率MUN5111DW1T1 / MUN5112DW1T1 /

MUN5113DW1T1/MUN5136DW1T1

MUN5114DW1T1

MUN5115DW1T1/MUN5116DW1T1

MUN5130DW1T1/MUN5131DW1T1/MUN5132DW1T1

MUN5133DW1T1

MUN5134DW1T1

MUN5135DW1T1

MUN5137DW1T1

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

R

1

/R

2

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3

MUN5111DW1T1系列

所有MUN5111DW1T1系列设备

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

50

R

θJA

= 490 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线 - 所有器件

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4

MUN5111DW1T1系列

电气特性 - MUN5111DW1T1

VCE （SAT），集电极电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 25°C

0.1

75°C

25°C

T

A

= 75°C

100

25°C

0.01

0

20

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

l

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

2

0.1

1

0.01

0

1

2

V

O

= 5 V

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

100

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

10

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

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