【MUN2211T1系列首选设备偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络此新系列数字晶体】,IC型号MUN22xxT1,MUN22xxT1 PDF资料,MUN22xxT1经销商,ic,电子元器件-51电子网

MUN2211T1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻

晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管

由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极

电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少

系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

SC- 59封装，是专为低功耗表面

安装应用程序。

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

湿度敏感度等级： 1

ESD额定值

人体模型：第1类

ESD额定值

机器型号：B类

在SC- 59封装可以用波或回流焊接。该

焊接过程中修改鸥翼引线吸收热应力

消除损坏模具的可能性。

可在8毫米压纹带和卷轴

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

无铅包可用

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

8X =具体设备守则*

M =日期代码

http://onsemi.com

NPN硅

偏置电阻

晶体管

3脚

集热器

（输出）

销1

辐射源

（接地）

销2

BASE

（输入）

R

1

R

2

3

2

1

标记图

8X M

SC59

CASE 318D

风格1

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻

结到环境

热阻

结到铅

结存储

温度范围

符号

P

D

最大

230 （注1 ）

338 （注2）

1.8 （注1 ）

2.7 （注2）

540 （注1 ）

370 （注2）

264 （注1 ）

287 （注2）

55

+150

单位

mW

° C / W

°C

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

器件标识信息

*请参阅在设备标识表中的特定标识信息

在本数据手册的第2页。

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR- 4 @最小焊盘。

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。

1

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年1月，

启示录11

出版订单号：

MUN2211T1/D

MUN2211T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN2211T1

MUN2211T1G

MUN2212T1

MUN2212T1G

MUN2213T1

MUN2213T1G

MUN2214T1

MUN2214T1G

MUN2215T1 （注3）

MUN2215T1G （注3）

MUN2216T1 （注3）

MUN2216T1G （注3）

MUN2230T1 （注3）

MUN2231T1 （注3）

MUN2232T1 （注3）

MUN2232T1G （注3）

MUN2233T1 （注3）

MUN2233T1G （注3）

MUN2234T1 （注3）

MUN2236T1

MUN2237T1

MUN2237T1G

MUN2240T1 （注3）

MUN2241T1 （注3）

包

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

记号

8A

8B

8C

8D

8E

8F

8G

8H

8J

8K

8L

8N

8P

8T

8U

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

100

47

100

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

∞

航运

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

http://onsemi.com

2

MUN2211T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2236T1

MUN2237T1

MUN2240T1

MUN2241T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.05

0.13

0.2

0.1

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2236T1

MUN2237T1

MUN2240T1

MUN2241T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

160

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

350

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的

MUN2230T1/MUN2231T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的

MUN2215T1/MUN2216T1/

MUN2232T1/MUN2233T1/MUN2234T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2213T1

MUN2240T1

MUN2236T1

MUN2237T1

MUN2241T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V,

(V

CC

= 5.0 V,

(V

CC

= 5.0 V,

V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

B

= 5.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

0.2

VDC

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％。

http://onsemi.com

3

MUN2211T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注5 ）（续）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN2230T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2233T1

MUN2240T1

输入电阻

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2235T1

MUN2236T1

MUN2237T1

MUN2240T1

MUN2241T1

MUN2211T1/MUN2212T1/MUN2213T1/

MUN2236T1

MUN2214T1

MUN2215T1/MUN2216T1/MUN2240T1/

MUN2241T1

MUN2230T1/MUN2231T1/MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2237T1

V

OH

4.9

VDC

R

1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

70

32.9

70

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

100

47

100

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

130

61.1

100

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

2.6

kW

电阻率

R

1

/R

2

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％。

350

P

D

，功耗（毫瓦）

300

250

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 370 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

4

MUN2211T1系列

典型电气特性

MUN2211T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

的hFE ， DC电流增益

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

100

0.1

0.01

0.001

0

20

40

60

I

C

，集电极电流（毫安）

80

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

25°C

T

A

= 25°C

OB ，电容（pF ）

3

2

1

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

50

0.001

V

R

，反向偏置电压（伏）

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图6.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

5

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MUN2211T1 / D

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管，

单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其

外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个

晶体管与单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别组件

通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统

成本和电路板空间。该设备被容纳在所述SC- 59封装，其目的是

针对低功耗表面贴装应用。

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

在SC- 59封装可以用波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

可在8毫米压纹带和卷轴

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

R1

PIN2 R2

BASE

（输入）

PIN1

辐射源

（接地）

PIN3

集热器

（输出）

MUN2211T1

系列

摩托罗拉的首选设备

NPN硅

偏置电阻

晶体管

3

2

1

CASE 318D -03 ，风格1

(SC–59)

最大额定值

（ TA = 25° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）

减免上述25℃

符号

VCBO

VCEO

IC

PD

价值

50

100

*200

1.6

单位

VDC

MADC

mW

毫瓦/°C的

热特性

热电阻 - 结到环境（表面贴装）

工作和存储温度范围

最大焊接温度的目的，

在焊接洗澡时间

R

θJA

TJ ， TSTG

TL

625

- 65 + 150

260

10

° C / W

°C

美国证券交易委员会

器件标识和电阻值

设备

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1(2)

MUN2216T1(2)

MUN2230T1(2)

MUN2231T1(2)

MUN2232T1(2)

MUN2233T1(2)

MUN2234T1(2)

记号

8A

8B

8C

8D

8E

8F

8G

8H

8J

8K

8L

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。

2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

热复合是贝格斯公司的商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

转4

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

1

MUN2211T1系列

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50V， IE = 0 ）

集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50 V ， IB = 0 ）

发射基截止电流

（ VEB = 6.0 V， IC = 0 ）

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

ICBO

ICEO

IEBO

—

50

—

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

—

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10

A,

IE = 0 ）

集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）（ IC = 2.0 mA时， IB = 0 ）

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

VDC

基本特征

(3)

直流电流增益

（ VCE = 10 V ， IC = 5.0 mA）的

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

的hFE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

—

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

—

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.3 mA）的

（ IC = 10 mA时， IB = 5 mA）的MUN2230T1 / MUN2231T1

（ IC = 10 mA时， IB = 1 mA）的MUN2215T1 / MUN2216T1 /

MUN2232T1/MUN2233T1/MUN2234T1

输出电压（上）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5 V ， RL = 1.0千欧）

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2213T1

VCE （ SAT ）

VOL

—

0.2

VDC

（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5 V ， RL = 1.0千欧）

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

2

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MUN2211T1系列

电气特性

（续）

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

输出电压（关）（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5 V ， RL = 1.0千欧）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.050 V， RL = 1.0千欧） MUN2230T1

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25 V， RL = 1.0千欧） MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2233T1

输入电阻

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2211T1/MUN2212T1/MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1/MUN2216T1

MUN2230T1/MUN2231T1/MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

符号

VOH

民

4.9

典型值

—

最大

—

单位

VDC

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

0.8

0.17

—

0.8

0.055

0.38

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

1.0

0.21

—

1.0

0.1

0.47

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

1.2

0.25

—

1.2

0.185

0.56

k

电阻率

R1/R2

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

R

θJA

= 625 ° C / W

50

0

– 50

0

50

100

TA ，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

3

MUN2211T1系列

电气特性 - MUN2211T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

IC / IB = 10

TA = -25°C

25°C

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

VCE = 10 V

TA = 75℃

25°C

–25°C

100

0.1

0.01

0.001

0

20

40

60

IC ，集电极电流（毫安）

80

10

1

10

IC ，集电极电流（毫安）

100

图2的VCE （饱和）与集成电路

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

IE = 0 V

TA = 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25°C

TA = -25°C

COB，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

VO = 5 V

0

1

2

4

5

6

7

输入电压，输入电压（伏）

3

8

9

10

0

10

20

30

40

VR ，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

VO = 0.2 V

V在，输入电压（伏）

TA = -25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

40

IC ，集电极电流（毫安）

50

图6.输入电压与输出电流

4

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MUN2211T1系列

电气特性 - MUN2212T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

IC / IB = 10

TA = -25°C

25°C

75°C

HFE ， DC电流增益（标准化）

1000

VCE = 10 V

TA = 75℃

25°C

–25°C

100

0.1

0.01

0.001

0

20

40

60

IC ，集电极电流（毫安）

80

10

1

10

IC ，集电极电流（毫安）

100

图7的VCE （饱和）与集成电路

图8.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

IE = 0 V

TA = 25°C

100

IC ，集电极电流（毫安）

75°C

25°C

TA = -25°C

COB，电容（pF ）

3

10

1

2

0.1

1

0.01

VO = 5 V

0

10

20

30

40

50

0.001

0

2

4

6

8

10

VR ，反向偏置电压（伏）

输入电压，输入电压（伏）

图9.输出电容

图10.输出电流与输入电压

100

VO = 0.2 V

V在，输入电压（伏）

TA = -25°C

10

75°C

25°C

1

0.1

0

10

20

30

IC ，集电极电流（毫安）

40

50

图11.输入电压与输出电流

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

5

乐山无线电公司， LTD 。

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单个设备和

其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）中含有

与单片偏置网络包括两个电阻单个晶体管;一

一系列基极电阻和基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些indi-

维杜阿尔组件由

它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统

成本和电路板空间。该设备被容纳在所述SC- 59封装，是

专为低功率表面贴装应用。

简化电路设计

- 减少电路板空间

减少元件数量

湿度敏感度等级： 1

ESD额定值 - 人体模型：第1类

ESD额定值

- 机器型号：B类

在SC- 59封装可以采用波或回流焊接。修改

焊接消除了在鸥翼引线吸收热应力

可能损坏模具。

提供8毫米压纹带和卷轴

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

MUN2211T1

系列

NPN硅

偏置电阻

晶体管

3

2

1

SC–59

CASE 318D ，风格1

销2

BASE

（输入）

R

1

3脚

集热器

（输出）

R

2

销1

辐射源

（接地）

MARKINGDIAGRAM

器件标识信息

*请参阅在设备本数据手册的第2页上的标识表中的特定标识的信息。

8X

M

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

符号

价值

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结存储

温度范围

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

V

CBO

V

首席执行官

I

C

符号

P

D

50

100

8X =具体设备守则*

M =日期代码

单位

VDC

MADC

最大

单位

mW

° C / W

°C

230 （注1 ）

338 （注2）

1.8 （注1 ）

2.7 （注2）

540 （注1 ）

370 （注2）

264 （注1 ）

287 （注2）

-55到+150

MUN2211T1系列 - 1月11日

乐山无线电公司， LTD 。

MUN2211T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1 （注3）

MUN2216T1 （注3）

MUN2230T1 （注3）

MUN2231T1 （注3）

MUN2232T1 （注3）

MUN2233T1 （注3）

MUN2234T1 （注3）

MUN2236T1

MUN2237T1

MUN2240T1 （注3）

MUN2241T1 （注3）

包

SC–59

记号

8A

8B

8C

8D

8E

8F

8G

8H

8J

8K

8L

8N

8P

8T

8U

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

100

47

100

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

∞

航运

3000 /磁带&卷轴

3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

MUN2211T1系列- 2/11

乐山无线电公司， LTD 。

MUN2211T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2236T1

MUN2237T1

MUN2240T1

MUN2241T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

–

50

–

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.05

0.13

0.2

0.1

–

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2236T1

MUN2237T1

MUN2240T1

MUN2241T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

160

–

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

350

–

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的MUN2230T1 / MUN2231T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的MUN2215T1 / MUN2216T1 /

MUN2232T1/MUN2233T1/MUN2234T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2213T1

MUN2240T1

MUN2236T1

MUN2237T1

MUN2241T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

–

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.0 V ，R

L

= 1.0 k)

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

MUN2211T1系列 - 3月11日

乐山无线电公司， LTD 。

MUN2211T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注5 ）（续）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN2230T1

MUN2215T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN2216T1

MUN2233T1

MUN2240T1

输入电阻

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2235T1

MUN2236T1

MUN2237T1

MUN2240T1

MUN2241T1

MUN2211T1/MUN2212T1/MUN2213T1/

MUN2236T1

MUN2214T1

MUN2215T1/MUN2216T1/MUN2240T1/

MUN2241T1

MUN2230T1/MUN2231T1/MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2237T1

V

OH

4.9

–

VDC

R

1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

70

32.9

70

32.9

70

0.8

0.17

–

0.8

0.055

0.38

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

100

47

100

47

100

1.0

0.21

–

1.0

0.1

0.47

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

130

61.1

130

61.1

100

1.2

0.25

–

1.2

0.185

0.56

2.6

k

电阻率

R

1

/R

2

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

350

P

D

，功耗（毫瓦）

300

250

200

150

100

50

0

–50

R

θJA

= 370 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

MUN2211T1系列- 4/11

乐山无线电公司， LTD 。

MUN2211T1系列

电气特性 - MUN2211T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

的hFE ， DC电流增益

T

A

= -25°C

25°C

75°C

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

-25°C

100

0.1

0.01

0.001

0

20

40

60

I

C

，集电极电流（毫安）

80

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

25°C

T

A

= -25°C

COB，电容（pF ）

3

2

1

V

O

= 5 V

0

1

2

5

6

7

4

V

in

，输入电压（伏）

3

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= -25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

MUN2211T1系列- 5/11

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MUN2211T1 / D

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管，

单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其

外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个

晶体管与单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别组件

通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统

成本和电路板空间。该设备被容纳在所述SC- 59封装，其目的是

针对低功耗表面贴装应用。

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

在SC- 59封装可以用波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

可在8毫米压纹带和卷轴

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

R1

PIN2 R2

BASE

（输入）

PIN1

辐射源

（接地）

PIN3

集热器

（输出）

MUN2211T1

系列

摩托罗拉的首选设备

NPN硅

偏置电阻

晶体管

3

2

1

CASE 318D -03 ，风格1

(SC–59)

最大额定值

（ TA = 25° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）

减免上述25℃

符号

VCBO

VCEO

IC

PD

价值

50

100

*200

1.6

单位

VDC

MADC

mW

毫瓦/°C的

热特性

热电阻 - 结到环境（表面贴装）

工作和存储温度范围

最大焊接温度的目的，

在焊接洗澡时间

R

θJA

TJ ， TSTG

TL

625

- 65 + 150

260

10

° C / W

°C

美国证券交易委员会

器件标识和电阻值

设备

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1(2)

MUN2216T1(2)

MUN2230T1(2)

MUN2231T1(2)

MUN2232T1(2)

MUN2233T1(2)

MUN2234T1(2)

记号

8A

8B

8C

8D

8E

8F

8G

8H

8J

8K

8L

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。

2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

热复合是贝格斯公司的商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

转4

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

1

MUN2211T1系列

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50V， IE = 0 ）

集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50 V ， IB = 0 ）

发射基截止电流

（ VEB = 6.0 V， IC = 0 ）

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

ICBO

ICEO

IEBO

—

50

—

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

—

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10

A,

IE = 0 ）

集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）（ IC = 2.0 mA时， IB = 0 ）

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

VDC

基本特征

(3)

直流电流增益

（ VCE = 10 V ， IC = 5.0 mA）的

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

的hFE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

—

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

—

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.3 mA）的

（ IC = 10 mA时， IB = 5 mA）的MUN2230T1 / MUN2231T1

（ IC = 10 mA时， IB = 1 mA）的MUN2215T1 / MUN2216T1 /

MUN2232T1/MUN2233T1/MUN2234T1

输出电压（上）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5 V ， RL = 1.0千欧）

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2213T1

VCE （ SAT ）

VOL

—

0.2

VDC

（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5 V ， RL = 1.0千欧）

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

2

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MUN2211T1系列

电气特性

（续）

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

输出电压（关）（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5 V ， RL = 1.0千欧）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.050 V， RL = 1.0千欧） MUN2230T1

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25 V， RL = 1.0千欧） MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2233T1

输入电阻

MUN2211T1

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1

MUN2216T1

MUN2230T1

MUN2231T1

MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

MUN2211T1/MUN2212T1/MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1/MUN2216T1

MUN2230T1/MUN2231T1/MUN2232T1

MUN2233T1

MUN2234T1

符号

VOH

民

4.9

典型值

—

最大

—

单位

VDC

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

0.8

0.17

—

0.8

0.055

0.38

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

1.0

0.21

—

1.0

0.1

0.47

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

1.2

0.25

—

1.2

0.185

0.56

k

电阻率

R1/R2

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

R

θJA

= 625 ° C / W

50

0

– 50

0

50

100

TA ，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

3

MUN2211T1系列

电气特性 - MUN2211T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

IC / IB = 10

TA = -25°C

25°C

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

VCE = 10 V

TA = 75℃

25°C

–25°C

100

0.1

0.01

0.001

0

20

40

60

IC ，集电极电流（毫安）

80

10

1

10

IC ，集电极电流（毫安）

100

图2的VCE （饱和）与集成电路

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

IE = 0 V

TA = 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25°C

TA = -25°C

COB，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

VO = 5 V

0

1

2

4

5

6

7

输入电压，输入电压（伏）

3

8

9

10

0

10

20

30

40

VR ，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

VO = 0.2 V

V在，输入电压（伏）

TA = -25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

40

IC ，集电极电流（毫安）

50

图6.输入电压与输出电流

4

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MUN2211T1系列

电气特性 - MUN2212T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

IC / IB = 10

TA = -25°C

25°C

75°C

HFE ， DC电流增益（标准化）

1000

VCE = 10 V

TA = 75℃

25°C

–25°C

100

0.1

0.01

0.001

0

20

40

60

IC ，集电极电流（毫安）

80

10

1

10

IC ，集电极电流（毫安）

100

图7的VCE （饱和）与集成电路

图8.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

IE = 0 V

TA = 25°C

100

IC ，集电极电流（毫安）

75°C

25°C

TA = -25°C

COB，电容（pF ）

3

10

1

2

0.1

1

0.01

VO = 5 V

0

10

20

30

40

50

0.001

0

2

4

6

8

10

VR ，反向偏置电压（伏）

输入电压，输入电压（伏）

图9.输出电容

图10.输出电流与输入电压

100

VO = 0.2 V

V在，输入电压（伏）

TA = -25°C

10

75°C

25°C

1

0.1

0

10

20

30

IC ，集电极电流（毫安）

40

50

图11.输入电压与输出电流

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

5