摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MUN2211T1 / D
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个
晶体管与单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别组件
通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在所述SC- 59封装，其目的是
针对低功耗表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
在SC- 59封装可以用波或回流焊接。
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
R1
PIN2 R2
BASE
（输入）
PIN1
辐射源
（接地）
PIN3
集热器
（输出）
MUN2211T1
系列
摩托罗拉的首选设备
NPN硅
偏置电阻
晶体管
3
2
1
CASE 318D -03 ，风格1
(SC–59)
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
减免上述25℃
符号
VCBO
VCEO
IC
PD
价值
50
50
100
*200
1.6
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
热特性
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的，
在焊接洗澡时间
R
θJA
TJ ， TSTG
TL
625
- 65 + 150
260
10
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
器件标识和电阻值
设备
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1(2)
MUN2216T1(2)
MUN2230T1(2)
MUN2231T1(2)
MUN2232T1(2)
MUN2233T1(2)
MUN2234T1(2)
记号
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
8H
8J
8K
8L
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
转4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MUN2211T1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50 V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 6.0 V， IC = 0 ）
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
ICBO
ICEO
IEBO
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
—
—
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
A,
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ） （ IC = 2.0 mA时， IB = 0 ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
(3)
直流电流增益
（ VCE = 10 V ， IC = 5.0 mA）的
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
的hFE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
—
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.3 mA）的
（ IC = 10 mA时， IB = 5 mA）的MUN2230T1 / MUN2231T1
（ IC = 10 mA时， IB = 1 mA）的MUN2215T1 / MUN2216T1 /
MUN2232T1/MUN2233T1/MUN2234T1
输出电压（上）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5 V ， RL = 1.0千欧）
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2213T1
VCE （ SAT ）
VOL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
VDC
（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5 V ， RL = 1.0千欧）
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MUN2211T1系列
电气特性
（续）
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
输出电压（关） （ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5 V ， RL = 1.0千欧）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.050 V， RL = 1.0千欧） MUN2230T1
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25 V， RL = 1.0千欧） MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2233T1
输入电阻
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2211T1/MUN2212T1/MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1/MUN2216T1
MUN2230T1/MUN2231T1/MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
符号
VOH
民
4.9
典型值
—
最大
—
单位
VDC
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
k
电阻率
R1/R2
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
150
100
R
θJA
= 625 ° C / W
50
0
– 50
0
50
100
TA ，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MUN2211T1系列
器件标识和电阻值
设备
MUN2211T1
MUN2211T1G
MUN2212T1
MUN2212T1G
MUN2213T1
MUN2213T1G
MUN2214T1
MUN2214T1G
MUN2215T1 （注3）
MUN2215T1G （注3）
MUN2216T1 （注3）
MUN2216T1G （注3）
MUN2230T1 （注3）
MUN2231T1 （注3）
MUN2232T1 （注3）
MUN2232T1G （注3）
MUN2233T1 （注3）
MUN2233T1G （注3）
MUN2234T1 （注3）
MUN2236T1
MUN2237T1
MUN2237T1G
MUN2240T1 （注3）
MUN2241T1 （注3）
包
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
记号
8A
8A
8B
8B
8C
8C
8D
8D
8E
8E
8F
8F
8G
8H
8J
8J
8K
8K
8L
8N
8P
8P
8T
8U
R1 （ K）
10
10
22
22
47
47
10
10
10
10
4.7
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
4.7
4.7
22
100
47
47
47
100
R2 （ K）
10
10
22
22
47
47
47
47
∞
∞
∞
∞
1.0
2.2
4.7
4.7
47
47
47
100
22
22
∞
∞
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
http://onsemi.com
2
MUN2211T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2236T1
MUN2237T1
MUN2240T1
MUN2241T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.05
0.13
0.2
0.1
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2236T1
MUN2237T1
MUN2240T1
MUN2241T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
160
160
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
150
140
350
350
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
MUN2230T1/MUN2231T1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
MUN2215T1/MUN2216T1/
MUN2232T1/MUN2233T1/MUN2234T1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2213T1
MUN2240T1
MUN2236T1
MUN2237T1
MUN2241T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V,
(V
CC
= 5.0 V,
(V
CC
= 5.0 V,
V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
B
= 5.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
http://onsemi.com
3
MUN2211T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注5 ） （续）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN2230T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2233T1
MUN2240T1
输入电阻
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2235T1
MUN2236T1
MUN2237T1
MUN2240T1
MUN2241T1
MUN2211T1/MUN2212T1/MUN2213T1/
MUN2236T1
MUN2214T1
MUN2215T1/MUN2216T1/MUN2240T1/
MUN2241T1
MUN2230T1/MUN2231T1/MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2237T1
V
OH
4.9
VDC
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
70
70
32.9
32.9
70
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
100
100
47
47
100
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
130
130
61.1
61.1
100
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
2.6
kW
电阻率
R
1
/R
2
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
350
P
D
，功耗（毫瓦）
300
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 370 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
4
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MUN2211T1 / D
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个
晶体管与单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别组件
通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在所述SC- 59封装，其目的是
针对低功耗表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
在SC- 59封装可以用波或回流焊接。
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
R1
PIN2 R2
BASE
（输入）
PIN1
辐射源
（接地）
PIN3
集热器
（输出）
MUN2211T1
系列
摩托罗拉的首选设备
NPN硅
偏置电阻
晶体管
3
2
1
CASE 318D -03 ，风格1
(SC–59)
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
减免上述25℃
符号
VCBO
VCEO
IC
PD
价值
50
50
100
*200
1.6
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
热特性
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的，
在焊接洗澡时间
R
θJA
TJ ， TSTG
TL
625
- 65 + 150
260
10
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
器件标识和电阻值
设备
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1(2)
MUN2216T1(2)
MUN2230T1(2)
MUN2231T1(2)
MUN2232T1(2)
MUN2233T1(2)
MUN2234T1(2)
记号
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
8H
8J
8K
8L
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
转4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MUN2211T1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50V， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50 V ， IB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 6.0 V， IC = 0 ）
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
ICBO
ICEO
IEBO
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
—
—
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
A,
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ） （ IC = 2.0 mA时， IB = 0 ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
(3)
直流电流增益
（ VCE = 10 V ， IC = 5.0 mA）的
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
的hFE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
—
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.3 mA）的
（ IC = 10 mA时， IB = 5 mA）的MUN2230T1 / MUN2231T1
（ IC = 10 mA时， IB = 1 mA）的MUN2215T1 / MUN2216T1 /
MUN2232T1/MUN2233T1/MUN2234T1
输出电压（上）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5 V ， RL = 1.0千欧）
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2213T1
VCE （ SAT ）
VOL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
VDC
（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5 V ， RL = 1.0千欧）
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MUN2211T1系列
电气特性
（续）
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
输出电压（关） （ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5 V ， RL = 1.0千欧）
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.050 V， RL = 1.0千欧） MUN2230T1
（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25 V， RL = 1.0千欧） MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2233T1
输入电阻
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2211T1/MUN2212T1/MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1/MUN2216T1
MUN2230T1/MUN2231T1/MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
符号
VOH
民
4.9
典型值
—
最大
—
单位
VDC
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
k
电阻率
R1/R2
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
150
100
R
θJA
= 625 ° C / W
50
0
– 50
0
50
100
TA ，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
乐山无线电公司， LTD 。
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个设备和
其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）中含有
与单片偏置网络包括两个电阻单个晶体管;一
一系列基极电阻和基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些indi-
维杜阿尔组件由
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在所述SC- 59封装，是
专为低功率表面贴装应用。
简化电路设计
- 减少电路板空间
减少元件数量
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值 - 人体模型：第1类
ESD额定值
- 机器型号：B类
在SC- 59封装可以采用波或回流焊接。修改
焊接消除了在鸥翼引线吸收热应力
可能损坏模具。
提供8毫米压纹带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
MUN2211T1
系列
NPN硅
偏置电阻
晶体管
3
2
1
SC–59
CASE 318D ，风格1
销2
BASE
（输入）
R
1
3脚
集热器
（输出）
R
2
销1
辐射源
（接地）
MARKINGDIAGRAM
器件标识信息
*请参阅在设备本数据手册的第2页上的标识表中的特定标识的信息。
8X
M
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
符号
价值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
V
CBO
V
首席执行官
I
C
符号
P
D
50
50
100
8X =具体设备守则*
M =日期代码
单位
VDC
VDC
MADC
最大
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
230 （注1 ）
338 （注2）
1.8 （注1 ）
2.7 （注2）
540 （注1 ）
370 （注2）
264 （注1 ）
287 （注2）
-55到+150
MUN2211T1系列 - 1月11日
乐山无线电公司， LTD 。
MUN2211T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2236T1
MUN2237T1
MUN2240T1
MUN2241T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
50
50
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.05
0.13
0.2
0.1
–
–
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2236T1
MUN2237T1
MUN2240T1
MUN2241T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
160
160
–
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
150
140
350
350
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MUN2230T1 / MUN2231T1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MUN2215T1 / MUN2216T1 /
MUN2232T1/MUN2233T1/MUN2234T1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k)
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2213T1
MUN2240T1
MUN2236T1
MUN2237T1
MUN2241T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.0 V ，R
L
= 1.0 k)
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
MUN2211T1系列 - 3月11日
乐山无线电公司， LTD 。
MUN2211T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注5 ） （续）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0 k)
MUN2230T1
MUN2215T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k)
MUN2216T1
MUN2233T1
MUN2240T1
输入电阻
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2235T1
MUN2236T1
MUN2237T1
MUN2240T1
MUN2241T1
MUN2211T1/MUN2212T1/MUN2213T1/
MUN2236T1
MUN2214T1
MUN2215T1/MUN2216T1/MUN2240T1/
MUN2241T1
MUN2230T1/MUN2231T1/MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2237T1
V
OH
4.9
–
–
VDC
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
70
32.9
70
32.9
70
0.8
0.17
–
0.8
0.055
0.38
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
100
47
100
47
100
1.0
0.21
–
1.0
0.1
0.47
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
130
61.1
130
61.1
100
1.2
0.25
–
1.2
0.185
0.56
2.6
k
电阻率
R
1
/R
2
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
350
P
D
，功耗（毫瓦）
300
250
200
150
100
50
0
–50
R
θJA
= 370 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
MUN2211T1系列- 4/11
QQ：2881677436 复制
