【MUN2211T1系列首选设备偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络此新系列数字晶体】,IC型号MUN2211T3G,MUN2211T3G PDF资料,MUN2211T3G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MUN2211T1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻

晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管

由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极

电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少

系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

SC- 59封装，是专为低功耗表面

安装应用程序。

特点

http://onsemi.com

NPN硅

偏置电阻

晶体管

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

湿度敏感度等级： 1

ESD额定值 - 人体模型：第1类

- 机器型号：B类

在SC- 59封装可以焊接使用波或回流

修改后的鸥翼信息吸收热应力在

焊接消除损伤到芯片的可能性

无铅包可用

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

销2

BASE

（输入）

R

1

R

2

3脚

集热器

（输出）

销1

辐射源

（接地）

3

2

1

SC-59

CASE 318D

风格1

标记图

8X M

G

1

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

热阻，结到铅

结温和存储温度

范围

符号

P

D

最大

230 （注1 ）

338 （注2）

1.8 （注1 ）

2.7 （注2）

540 （注1 ）

370 （注2）

264 （注1 ）

287 （注2）

- 55 + 150

单位

mW

° C / W

°C

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

8X =设备代码（参见第2页）

M

=日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

订购信息

查看详细的订购和发货信息在桌子上

本数据手册的第2页。

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1， FR- 4 @最小焊盘。

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。

器件标识信息

具体见标识信息的器件标识和

电阻值，该数据表的第2页上的表。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

1

2007年7月 - 13牧师

出版订单号：

MUN2211T1/D

MUN2211T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN2211T1

MUN2211T1G

MUN2211T3

MUN2211T3G

MUN2212T1

MUN2212T1G

MUN2213T1

MUN2213T1G

MUN2214T1

MUN2214T1G

MUN2214T3

MUN2214T3G

MUN2215T1

MUN2215T1G

MUN2216T1

MUN2216T1G

MUN2230T1

MUN2230T1G

MUN2231T1 （注3）

MUN2231T1G （注3）

MUN2232T1

MUN2232T1G

MUN2233T1

MUN2233T1G

MUN2234T1 （注3）

MUN2234T1G （注3）

MUN2236T1

MUN2236T1G

MUN2237T1

MUN2237T1G

MUN2240T1 （注3）

MUN2240T1G （注3）

MUN2241T1 （注3）

MUN2241T1G （注3）

包

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

SC-59

（无铅）

记号

8A

8B

8C

8D

8E

8F

8G

8H

8J

8K

8L

8N

8P

8T

8U

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

100

47

100

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

∞

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

http://onsemi.com

2

MUN2211T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN2211T1 ，G

MUN2212T1 ，G

MUN2213T1 ，G

MUN2214T1 ，G

MUN2215T1 ，G

MUN2216T1 ，G

MUN2230T1 ，G

MUN2231T1 ，G

MUN2232T1 ，G

MUN2233T1 ，G

MUN2234T1 ，G

MUN2236T1 ，G

MUN2237T1 ，G

MUN2240T1 ，G

MUN2241T1 ，G

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

-

50

-

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.05

0.13

0.2

0.1

-

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN2211T1 ，G

MUN2212T1 ，G

MUN2213T1 ，G

MUN2214T1 ，G

MUN2215T1 ，G

MUN2216T1 ，G

MUN2230T1 ，G

MUN2231T1 ，G

MUN2232T1 ，G

MUN2233T1 ，G

MUN2234T1 ，G

MUN2236T1 ，G

MUN2237T1 ，G

MUN2240T1 ，G

MUN2241T1 ，G

MUN2211T1 ，G

MUN2212T1 ，G

MUN2213T1 ，G

MUN2214T1 ，G

MUN2233T1 ，G

MUN2236T1 ，G

MUN2230T1 ，G

MUN2231T1 ，G

MUN2237T1 ，G

MUN2241T1 ，G

MUN2215T1 ，G

MUN2216T1 ，G

MUN2232T1 ，G

MUN2234T1 ，G

MUN2240T1 ，G

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

160

-

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

350

-

VDC

0.25

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

V

CE （ SAT ）

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％。

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3

MUN2211T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

（注5 ）（续）

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

OL

MUN2211T1 ，G

MUN2212T1 ，G

MUN2214T1 ，G

MUN2215T1 ，G

MUN2216T1 ，G

MUN2230T1 ，G

MUN2231T1 ，G

MUN2232T1 ，G

MUN2233T1 ，G

MUN2234T1 ，G

MUN2213T1 ，G

MUN2240T1 ，G

MUN2236T1 ，G

MUN2237T1 ，G

MUN2241T1 ，G

V

OH

MUN2211T1 ，G

MUN2212T1 ，G

MUN2213T1 ，G

MUN2214T1 ，G

MUN2233T1 ，G

MUN2234T1 ，G

MUN2230T1 ，G

MUN2215T1 ，G

MUN2216T1 ，G

MUN2231T1 ，G

MUN2232T1 ，G

MUN2236T1 ，G

MUN2237T1 ，G

MUN2240T1 ，G

MUN2241T1 ，G

MUN2211T1 ，G

MUN2212T1 ，G

MUN2213T1 ，G

MUN2214T1 ，G

MUN2215T1 ，G

MUN2216T1 ，G

MUN2230T1 ，G

MUN2231T1 ，G

MUN2232T1 ，G

MUN2233T1 ，G

MUN2234T1 ，G

MUN2236T1 ，G

MUN2237T1 ，G

MUN2240T1 ，G

MUN2241T1 ，G

R

1

4.9

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

70

32.9

70

0.8

0.17

-

0.8

0.055

0.38

0.8

1.7

-

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

100

47

100

1.0

0.21

-

1.0

0.12

0.47

1.0

2.15

-

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

130

61.1

130

1.2

0.25

-

1.2

0.185

0.56

1.2

2.6

-

kW

-

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输入电阻

MUN2211T1 ，G

MUN2212T1 ，G

MUN2213T1 ，G

MUN2214T1 ，G

MUN2215T1 ，G

MUN2216T1 ，G

MUN2230T1 ，G

MUN2231T1 ，G

MUN2232T1 ，G

MUN2233T1 ，G

MUN2234T1 ，G

MUN2236T1 ，G

MUN2237T1 ，G

MUN2240T1 ，G

MUN2241T1 ，G

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％。

电阻率

R

1

/R

2

http://onsemi.com

4

MUN2211T1系列

350

P

D

，功耗（毫瓦）

300

250

200

150

100

50

0

- 50

R

qJA

= 370 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

5

MUN2211 ， MMUN2211L ，

MUN5211 ， DTC114EE ，

DTC114EM3 ， NSBC114EF3

数字晶体管（ BRT ）

R 1 = 10千瓦， R2 = 10千瓦

NPN晶体管与单片偏置

电阻网络

这一系列的数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻

晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管

网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一个基线

发射极电阻。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少

系统成本和电路板空间。

特点

销1

BASE

（输入）

http://onsemi.com

引脚连接

3脚

集热器

（输出）

R1

R2

销2

辐射源

（接地）

标记DIAGRAMS

SC59

CASE 318D

风格1

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

S和NSV前缀为汽车和其他需要的应用

独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101

合格的，有能力PPAP

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

最大额定值

(T

A

= 25°C)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

连续

输入正向电压

输入反向电压

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

V

IN（ FWD ）

V

在（转）

最大

50

100

40

10

单位

VDC

MADC

VDC

XX MG

G

1

XXX MG

G

1

XX MG

G

1

XX M

1

XX M

1

XM 1

XXX

M

G

SOT23

CASE 318

类型6

SC70/SOT323

CASE 419

方式3

SC75

CASE 463

风格1

SOT723

CASE 631AA

风格1

SOT1123

CASE 524AA

风格1

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

=具体设备守则

=日期代码*

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

订购信息

查看详细的订购，标记，并在发货信息

包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。

半导体元件工业有限责任公司， 2012

2012年8月

第4版

1

出版订单号：

DTC114E/D

MUN2211 ， MMUN2211L ， MUN5211 ， DTC114EE ， DTC114EM3 ， NSBC114EF3

表1.订购信息

设备

MUN2211T1G ， SMUN2211T1G

MUN2211T3G ， SMUN2211T3G

MMUN2211LT1G ， SMMUN2211LT1G

MMUN2211LT3G ， SMMUN2211LT3G

MUN5211T1G ， SMUN5211T1G

SMUN5211T3G

DTC114EET1G ， SDTC114EET1G

DTC114EM3T5G

NSBC114EF3T5G

最热

8A

A8A

8A

A

包

SC59

SOT23

SC70/SOT323

SC75

SOT723

SOT1123

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

8000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

50

(1) (2) (3) (4) (5)

（ 1 ） SC- 75和SC- 70 / SOT323 ;最小焊盘

（ 2 ） SC- 59 ;最小焊盘

（ 3 ） SOT- 23 ;最小焊盘

（ 4 ） SOT- 1123 ; 100毫米

2

， 1盎司铜线

（ 5 ） SOT- 723 ;最小焊盘

25

0

25

50

75

100

125

150

环境温度（ ℃）

图1.降额曲线

http://onsemi.com

2

MUN2211 ， MMUN2211L ， MUN5211 ， DTC114EE ， DTC114EM3 ， NSBC114EF3

表2.热特性

特征

热特性（ SC - 59 ）（ MUN2211 ）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

热阻，

交界处领导

结温和存储温度范围

热特性（ SOT -23 ）（ MUNN2211L ）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

热阻，

交界处领导

结温和存储温度范围

热特性（ SC - 70 / SOT- 323 ）（ MUN5211 ）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

热阻，

交界处领导

结温和存储温度范围

热特性（ SC - 75 ）（ DTC114EE ）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

结温和存储温度范围

热特性（ SOT- 723 ）（ DTC114EM3 ）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

结温和存储温度范围

1.

2.

3.

4.

FR- 4 @最小焊盘。

FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。

FR-4 @ 100毫米

2

， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。

FR-4 @ 500毫米

2

， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注2 ）

P

D

260

600

2.0

4.8

480

205

55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注2 ）

P

D

200

300

1.6

2.4

600

400

55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注2 ）

P

D

202

310

1.6

2.5

618

403

280

332

55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注2 ）

P

D

246

400

2.0

3.2

508

311

174

208

55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注2 ）

P

D

230

338

1.8

2.7

540

370

264

287

55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

符号

最大

单位

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

R

qJA

T

J

, T

英镑

R

qJA

T

J

, T

英镑

http://onsemi.com

3

MUN2211 ， MMUN2211L ， MUN5211 ， DTC114EE ， DTC114EM3 ， NSBC114EF3

表2.热特性

特征

热特性（ SOT- 1123）（ NSBC114EF3 ）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

热阻，结领导

结温和存储温度范围

1.

2.

3.

4.

FR- 4 @最小焊盘。

FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。

FR-4 @ 100毫米

2

， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。

FR-4 @ 500毫米

2

， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。

（注3）

（注4 ）

（注3）

（注4 ）

（注3）

（注4 ）

（注3）

P

D

254

297

2.0

2.4

493

421

193

55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

符号

最大

单位

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

表3.电气特性

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 基极截止电流

(V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流

(V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

集电极 - 基极击穿电压

(I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

基本特征

DC电流增益（注5）

(I

C

= 5.0毫安， V

CE

= 10 V)

集电极 - 发射极饱和电压（注5 ）

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

输入电压（OFF）的

(V

CE

= 5.0 V，I

C

= 100

毫安）

输入电压（ ON）的

(V

CE

- 0.2 V，I

C

= 10 mA）的

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输入电阻

电阻率

5.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比

≤

2%.

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

我（关闭）

V

我（上）

V

OL

V

OH

R1

R

1

/R

2

35

4.9

7.0

0.8

60

1.2

2.0

10

1.0

0.25

0.2

13

1.2

VDC

kW

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

50

100

500

0.5

NADC

MADC

VDC

符号

民

典型值

最大

单位

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4

MUN2211 ， MMUN2211L ， MUN5211 ， DTC114EE ， DTC114EM3 ， NSBC114EF3

典型特征

MUN2211 ， MMUN2211L ， MUN5211 ， DTC114EE ， DTC114EM3

V

CE （ SAT ）

，集电极 - 发射极电压（ V）

1

1000

V

CE

= 10 V

T

A

=

25°C

75°C

h

FE

，直流电流增益

25°C

0.1

25°C

T

A

= 75°C

25°C

I

C

/I

B

= 10

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

3.6

C

ob

，输出电容（ pF）的

I

C

，集电极电流（毫安）

3.2

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

10

20

30

40

V

R

，反向电压（V）的

50

F = 10千赫

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

10

T

A

= 75°C

25°C

1

0.1

0.01

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（ V）

8

9

10

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

25°C

V

in

，输入电压（ V）

25°C

T

A

= 75°C

1

V

O

= 0.2 V

0.1

0

10

20

30

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

图6.输入电压与输出电流

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