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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2446页 > MUN2114T1G
MUN2111T1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。该
偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管
单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。在BRT消除这些
各个组分通过将它们集成到单个设备中。该
使用BRT可降低系统成本和电路板空间。该装置
被容纳在所述SC- 59包被设计为低功耗
表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值
人体模型：第1类
ESD额定值
机器型号：B类
在SC- 59封装可以用波或回流焊接。
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
6X M
http://onsemi.com
3脚
集热器
（输出）
R1
销2
BASE
（输入）
R2
销1
辐射源
（接地）
3
2
1
SC59
CASE 318D
塑料
标记图
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
热阻
结到铅
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
230 （注1 ）
338 （注2）
1.8 （注1 ）
2.7 （注2）
540 （注1 ）
370 （注2）
264 （注1 ）
287 （注2）
55
+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
6X =具体设备守则*
M =日期代码
订购信息
查看详细的订购和发货信息第2页
此数据表。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
器件标识信息
*请参阅器件标识表本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
2005年1月，
启示录14
1
出版订单号：
MUN2111T1/D
MUN2111T1系列
器件标识和电阻值
设备
MUN2111T1
MUN2111T1G
MUN2112T1
MUN2112T1G
MUN2113T1
MUN2113T1G
MUN2114T1
MUN2114T1G
MUN2115T1 （注3）
MUN2116T1 （注3）
MUN2116T1G （注3）
MUN2130T1 （注3）
MUN2131T1 （注3）
MUN2132T1 （注3）
MUN2132T1G （注3）
MUN2133T1 （注3）
MUN2134T1 （注3）
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2140T1 （注3）
包
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
SC59
SC59
SC59
记号
6A
6A
6B
6B
6C
6C
6D
6D
6E
6F
6F
6G
6H
6J
6J
6K
6L
6N
6P
6T
R1 （ K）
10
10
22
22
47
47
10
10
10
4.7
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
4.7
22
100
47
47
R2 （ K）
10
10
22
22
47
47
47
47
∞
∞
∞
1.0
2.2
4.7
4.7
47
47
100
22
∞
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
http://onsemi.com
2
MUN2111T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2140T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.05
0.13
0.20
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2140T1
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2130T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2131T1
MUN2116T1
MUN2132T1
MUN2134T1
MUN2140T1
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2113T1
MUN2140T1
MUN2136T1
MUN2137T1
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
120
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
150
140
250
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
V
CE （ SAT ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5.0 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
OL
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
http://onsemi.com
3
MUN2111T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
基本特征
（注4 ）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN2130T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2140T1
输入电阻
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2140T1
MUN2111T1/MUN2112T1/MUN2113T1/
MUN2136T1
MUN2114T1
MUN2115T1/MUN2116T1/MUN2140T1
MUN2130T1/MUN2131T1/MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2137T1
V
OH
4.9
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
70
32.9
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
100
47
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
130
61.1
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
2.6
kW
电阻率
R
1
/R
2
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
350
P
D,
功耗（MW ）
300
250
200
150
100
50
0
50
0
50
100
150
R
qJA
= 370 ° C / W
+12 V
典型用途
对于PNP BRTS
负载
T
A
，环境温度（ 5℃ ）
图1.降额曲线
图2.价格便宜，非常规电流源
http://onsemi.com
4
MUN2111T1系列
典型电气特性
MUN2111T1
V
CE （SAT） ，
最大集电极电压
（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
=
2°5C
75°C
0.1
h
FE ，
直流电流增益
1000
V
CE
= 10 V
25°C
T
A
= 75°C
100
25°C
25°C
0.01
0
40
60
I
C
，集电极电流（毫安）
20
80
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3. V
CE （ SAT ）
与我
C
4
I
C,
集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
图4.直流电流增益
75°C
25°C
T
A
=
25°C
C
OB ，
电容（pF）
3
10
1
2
0.1
V
O
= 5 V
1
0.01
0.001
0
1
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
6
7
8
2
3
4
5
V
in
，输入电压（伏）
9
10
图5.输出电容
100
V
O
= 0.2 V
V
IN，
输入电压（伏特）
图6.输出电流与输入电压
10
T
A
=
25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
MUN2111T1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。该
偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管
单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。在BRT消除这些
各个组分通过将它们集成到单个设备中。该
使用BRT可降低系统成本和电路板空间。该装置
被容纳在所述SC- 59包被设计为低功耗
表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
3脚
集热器
（输出）
R1
销2
BASE
（输入）
R2
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值 - 人体模型：第1类
- 机器型号：B类
在SC- 59封装可以焊接使用波或回流
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除损伤到芯片的可能性
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
辐射源
（接地）
3
2
1
SC59
CASE 318D
塑料
标记图
6X M
G
G
1
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
结到铅
结温和存储温度
范围
符号
P
D
最大
230 （注1 ）
338 （注2）
1.8 （注1 ）
2.7 （注2）
540 （注1 ）
370 （注2）
264 （注1 ）
287 （注2）
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
6x
=具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
订购信息
°C
查看详细的订购和发货信息第2页
此数据表。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。
器件标识信息
请参见本数据手册的第2页上的器件标识表。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年9月 - 17牧师
1
出版订单号：
MUN2111T1/D
MUN2111T1系列
器件标识和电阻值
设备
MUN2111T1
MUN2111T1G
MUN2111T3G
MUN2112T1
MUN2112T1G
MUN2113T1
MUN2113T1G
MUN2114T1
MUN2114T1G
MUN2115T1 （注3）
MUN2115T1G （注3）
MUN2116T1 （注3）
MUN2116T1G （注3）
MUN2130T1 （注3）
MUN2130T1G （注3）
MUN2131T1 （注3）
MUN2131T1G （注3）
MUN2132T1 （注3）
MUN2132T1G （注3）
MUN2133T1 （注3）
MUN2133T1G （注3）
MUN2134T1 （注3）
MUN2134T1G （注3）
MUN2136T1
MUN2136T1G
MUN2137T1
MUN2137T1G
MUN2140T1 （注3）
MUN2140T1G （注3）
包
SC59
SC59
（无铅）
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
记号
6A
6A
6A
6B
6B
6C
6C
6D
6D
6E
6E
6F
6F
6G
6G
6H
6H
6J
6J
6K
6K
6L
6L
6N
6N
6P
6P
6T
6T
R1 （ K）
10
10
10
22
22
47
47
10
10
10
10
4.7
4.7
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
4.7
4.7
22
22
100
100
47
47
47
47
R2 （ K）
10
10
10
22
22
47
47
47
47
∞
∞
∞
∞
1.0
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
47
47
47
47
100
100
22
22
∞
∞
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
航运
万/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
http://onsemi.com
2
MUN2111T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2140T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.05
0.13
0.20
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2140T1
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2130T1
MUN2133T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2131T1
MUN2116T1
MUN2132T1
MUN2134T1
MUN2140T1
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
120
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
150
140
250
VDC
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
VDC
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
V
CE （ SAT ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5.0 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
OL
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2113T1
MUN2140T1
MUN2136T1
MUN2137T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
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3
MUN2111T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
基本特征
（注4 ）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
OH
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2130T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2140T1
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2140T1
MUN2111T1/MUN2112T1/MUN2113T1/
MUN2136T1
MUN2114T1
MUN2115T1/MUN2116T1/MUN2140T1
MUN2130T1/MUN2131T1/MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2137T1
R1
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
70
32.9
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
100
47
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
130
61.1
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
2.6
kW
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
R
1
/R
2
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
350
P
D,
功耗（MW ）
300
250
200
150
R
qJA
= 370 ° C / W
100
50
0
50
0
50
100
150
+12 V
典型用途
对于PNP BRTS
负载
T
A
，环境温度（ 5℃ ）
图1.降额曲线
图2.价格便宜，非常规电流源
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4
MUN2111T1系列
电气特性 - MUN2111T1
V
CE （SAT） ，
最大集电极电压
（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 2°5C
75°C
0.1
h
FE ，
直流电流增益
1000
V
CE
= 10 V
25°C
T
A
= 75°C
100
25°C
25°C
0.01
0
40
60
I
C
，集电极电流（毫安）
20
80
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3. V
CE （ SAT ）
与我
C
图4.直流电流增益
4
I
C,
集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
10
25°C
T
A
= 25°C
C
OB ，
电容（pF）
3
1
2
0.1
V
O
= 5 V
1
0.01
0.001
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0
1
6
7
8
2
3
4
5
V
in
，输入电压（伏）
9
10
图5.输出电容
图6.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
V
IN，
输入电压（伏特）
10
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.输入电压与输出电流
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5
MUN2111T1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。该
偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管
单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。在BRT消除这些
各个组分通过将它们集成到单个设备中。该
使用BRT可降低系统成本和电路板空间。该装置
被容纳在所述SC- 59包被设计为低功耗
表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值
人体模型：第1类
ESD额定值
机器型号：B类
在SC- 59封装可以用波或回流焊接。
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
6X M
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3脚
集热器
（输出）
R1
销2
BASE
（输入）
R2
销1
辐射源
（接地）
3
2
1
SC59
CASE 318D
塑料
标记图
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
热阻
结到铅
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
230 （注1 ）
338 （注2）
1.8 （注1 ）
2.7 （注2）
540 （注1 ）
370 （注2）
264 （注1 ）
287 （注2）
55
+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
6X =具体设备守则*
M =日期代码
订购信息
查看详细的订购和发货信息第2页
此数据表。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
器件标识信息
*请参阅器件标识表本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
2005年1月，
启示录14
1
出版订单号：
MUN2111T1/D
MUN2111T1系列
器件标识和电阻值
设备
MUN2111T1
MUN2111T1G
MUN2112T1
MUN2112T1G
MUN2113T1
MUN2113T1G
MUN2114T1
MUN2114T1G
MUN2115T1 （注3）
MUN2116T1 （注3）
MUN2116T1G （注3）
MUN2130T1 （注3）
MUN2131T1 （注3）
MUN2132T1 （注3）
MUN2132T1G （注3）
MUN2133T1 （注3）
MUN2134T1 （注3）
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2140T1 （注3）
包
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
SC59
SC59
SC59
记号
6A
6A
6B
6B
6C
6C
6D
6D
6E
6F
6F
6G
6H
6J
6J
6K
6L
6N
6P
6T
R1 （ K）
10
10
22
22
47
47
10
10
10
4.7
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
4.7
22
100
47
47
R2 （ K）
10
10
22
22
47
47
47
47
∞
∞
∞
1.0
2.2
4.7
4.7
47
47
100
22
∞
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
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2
MUN2111T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2140T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.05
0.13
0.20
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2140T1
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2130T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2131T1
MUN2116T1
MUN2132T1
MUN2134T1
MUN2140T1
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2113T1
MUN2140T1
MUN2136T1
MUN2137T1
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
120
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
150
140
250
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
V
CE （ SAT ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5.0 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
OL
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
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3
MUN2111T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
基本特征
（注4 ）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN2130T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2140T1
输入电阻
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2140T1
MUN2111T1/MUN2112T1/MUN2113T1/
MUN2136T1
MUN2114T1
MUN2115T1/MUN2116T1/MUN2140T1
MUN2130T1/MUN2131T1/MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2137T1
V
OH
4.9
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
70
32.9
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
100
47
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
130
61.1
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
2.6
kW
电阻率
R
1
/R
2
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
350
P
D,
功耗（MW ）
300
250
200
150
100
50
0
50
0
50
100
150
R
qJA
= 370 ° C / W
+12 V
典型用途
对于PNP BRTS
负载
T
A
，环境温度（ 5℃ ）
图1.降额曲线
图2.价格便宜，非常规电流源
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4
MUN2111T1系列
典型电气特性
MUN2111T1
V
CE （SAT） ，
最大集电极电压
（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
=
2°5C
75°C
0.1
h
FE ，
直流电流增益
1000
V
CE
= 10 V
25°C
T
A
= 75°C
100
25°C
25°C
0.01
0
40
60
I
C
，集电极电流（毫安）
20
80
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3. V
CE （ SAT ）
与我
C
4
I
C,
集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
图4.直流电流增益
75°C
25°C
T
A
=
25°C
C
OB ，
电容（pF）
3
10
1
2
0.1
V
O
= 5 V
1
0.01
0.001
0
1
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
6
7
8
2
3
4
5
V
in
，输入电压（伏）
9
10
图5.输出电容
100
V
O
= 0.2 V
V
IN，
输入电压（伏特）
图6.输出电流与输入电压
10
T
A
=
25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.输入电压与输出电流
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5
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