【MUN2111T1系列首选设备偏置电阻晶体管PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络此新系列数字晶体】,IC型号MUN2113T1,MUN2113T1 PDF资料,MUN2113T1经销商,ic,电子元器件-51电子网

MUN2111T1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。该

偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管

单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。在BRT消除这些

各个组分通过将它们集成到单个设备中。该

使用BRT可降低系统成本和电路板空间。该装置

被容纳在所述SC- 59包被设计为低功耗

表面贴装应用。

特点

http://onsemi.com

3脚

集热器

（输出）

R1

销2

BASE

（输入）

R2

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

湿度敏感度等级： 1

ESD额定值 - 人体模型：第1类

- 机器型号：B类

在SC- 59封装可以焊接使用波或回流

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除损伤到芯片的可能性

无铅包可用

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

销1

辐射源

（接地）

3

2

1

SC59

CASE 318D

塑料

标记图

6X M

G

1

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

热阻，

结到铅

结温和存储温度

范围

符号

P

D

最大

230 （注1 ）

338 （注2）

1.8 （注1 ）

2.7 （注2）

540 （注1 ）

370 （注2）

264 （注1 ）

287 （注2）

-55到+150

单位

mW

° C / W

6x

=具体设备守则

M

=日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

订购信息

°C

查看详细的订购和发货信息第2页

此数据表。

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1， FR- 4 @最小焊盘。

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。

器件标识信息

请参见本数据手册的第2页上的器件标识表。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年9月 - 17牧师

1

出版订单号：

MUN2111T1/D

MUN2111T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN2111T1

MUN2111T1G

MUN2111T3G

MUN2112T1

MUN2112T1G

MUN2113T1

MUN2113T1G

MUN2114T1

MUN2114T1G

MUN2115T1 （注3）

MUN2115T1G （注3）

MUN2116T1 （注3）

MUN2116T1G （注3）

MUN2130T1 （注3）

MUN2130T1G （注3）

MUN2131T1 （注3）

MUN2131T1G （注3）

MUN2132T1 （注3）

MUN2132T1G （注3）

MUN2133T1 （注3）

MUN2133T1G （注3）

MUN2134T1 （注3）

MUN2134T1G （注3）

MUN2136T1

MUN2136T1G

MUN2137T1

MUN2137T1G

MUN2140T1 （注3）

MUN2140T1G （注3）

包

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

记号

6A

6B

6C

6D

6E

6F

6G

6H

6J

6K

6L

6N

6P

6T

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

∞

3000 /磁带&卷轴

航运

万/磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

http://onsemi.com

2

MUN2111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2140T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.05

0.13

0.20

NADC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2140T1

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2130T1

MUN2133T1

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2131T1

MUN2116T1

MUN2132T1

MUN2134T1

MUN2140T1

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

120

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

150

140

250

VDC

0.25

VDC

0.2

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

V

CE （ SAT ）

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5.0 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0 mA）的

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

OL

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2113T1

MUN2140T1

MUN2136T1

MUN2137T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％。

http://onsemi.com

3

MUN2111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

基本特征

（注4 ）

输出电压（关）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

OH

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2130T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2140T1

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2140T1

MUN2111T1/MUN2112T1/MUN2113T1/

MUN2136T1

MUN2114T1

MUN2115T1/MUN2116T1/MUN2140T1

MUN2130T1/MUN2131T1/MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2137T1

R1

4.9

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

2.6

kW

VDC

符号

民

典型值

最大

单位

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输入电阻

电阻率

R

1

/R

2

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％。

350

P

D,

功耗（MW ）

300

250

200

150

R

qJA

= 370 ° C / W

100

50

0

50

0

50

100

150

+12 V

典型用途

对于PNP BRTS

负载

T

A

，环境温度（ 5℃ ）

图1.降额曲线

图2.价格便宜，非常规电流源

http://onsemi.com

4

MUN2111T1系列

电气特性 - MUN2111T1

V

CE （SAT），

最大集电极电压

（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 2°5C

75°C

0.1

h

FE ，

直流电流增益

1000

V

CE

= 10 V

25°C

T

A

= 75°C

100

25°C

0.01

0

40

60

I

C

，集电极电流（毫安）

20

80

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图3. V

CE （ SAT ）

与我

C

图4.直流电流增益

4

I

C,

集电极电流（毫安）

F = 1 MHz的

l

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

10

25°C

T

A

= 25°C

C

OB ，

电容（pF）

3

1

2

0.1

V

O

= 5 V

1

0.01

0.001

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0

1

6

7

8

2

3

4

5

V

in

，输入电压（伏）

9

10

图5.输出电容

图6.输出电流与输入电压

100

V

O

= 0.2 V

V

IN，

输入电压（伏特）

10

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

5

MUN2111T1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。该

偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管

单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。在BRT消除这些

各个组分通过将它们集成到单个设备中。该

使用BRT可降低系统成本和电路板空间。该装置

被容纳在所述SC- 59包被设计为低功耗

表面贴装应用。

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

湿度敏感度等级： 1

ESD额定值

人体模型：第1类

ESD额定值

机器型号：B类

在SC- 59封装可以用波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

无铅包装是否可用

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

6X M

http://onsemi.com

3脚

集热器

（输出）

R1

销2

BASE

（输入）

R2

销1

辐射源

（接地）

3

2

1

SC59

CASE 318D

塑料

标记图

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻

结到环境

热阻

结到铅

结存储

温度范围

符号

P

D

最大

230 （注1 ）

338 （注2）

1.8 （注1 ）

2.7 （注2）

540 （注1 ）

370 （注2）

264 （注1 ）

287 （注2）

55

+150

单位

mW

° C / W

°C

6X =具体设备守则*

M =日期代码

订购信息

查看详细的订购和发货信息第2页

此数据表。

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

器件标识信息

*请参阅器件标识表本数据手册的第2页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR- 4 @最小焊盘。

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年1月，

启示录14

1

出版订单号：

MUN2111T1/D

MUN2111T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN2111T1

MUN2111T1G

MUN2112T1

MUN2112T1G

MUN2113T1

MUN2113T1G

MUN2114T1

MUN2114T1G

MUN2115T1 （注3）

MUN2116T1 （注3）

MUN2116T1G （注3）

MUN2130T1 （注3）

MUN2131T1 （注3）

MUN2132T1 （注3）

MUN2132T1G （注3）

MUN2133T1 （注3）

MUN2134T1 （注3）

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2140T1 （注3）

包

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

记号

6A

6B

6C

6D

6E

6F

6G

6H

6J

6K

6L

6N

6P

6T

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

∞

航运

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

http://onsemi.com

2

MUN2111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2140T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.05

0.13

0.20

NADC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2140T1

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2130T1

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2131T1

MUN2116T1

MUN2132T1

MUN2134T1

MUN2140T1

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2113T1

MUN2140T1

MUN2136T1

MUN2137T1

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

120

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

150

140

250

0.25

0.2

VDC

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

V

CE （ SAT ）

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5.0 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0 mA）的

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

OL

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％。

http://onsemi.com

3

MUN2111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

基本特征

（注4 ）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN2130T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2140T1

输入电阻

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2140T1

MUN2111T1/MUN2112T1/MUN2113T1/

MUN2136T1

MUN2114T1

MUN2115T1/MUN2116T1/MUN2140T1

MUN2130T1/MUN2131T1/MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2137T1

V

OH

4.9

VDC

符号

民

典型值

最大

单位

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

2.6

kW

电阻率

R

1

/R

2

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％。

350

P

D,

功耗（MW ）

300

250

200

150

100

50

0

50

0

50

100

150

R

qJA

= 370 ° C / W

+12 V

典型用途

对于PNP BRTS

负载

T

A

，环境温度（ 5℃ ）

图1.降额曲线

图2.价格便宜，非常规电流源

http://onsemi.com

4

MUN2111T1系列

典型电气特性

MUN2111T1

V

CE （SAT），

最大集电极电压

（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

=

2°5C

75°C

0.1

h

FE ，

直流电流增益

1000

V

CE

= 10 V

25°C

T

A

= 75°C

100

25°C

0.01

0

40

60

I

C

，集电极电流（毫安）

20

80

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图3. V

CE （ SAT ）

与我

C

4

I

C,

集电极电流（毫安）

F = 1 MHz的

l

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

图4.直流电流增益

75°C

25°C

T

A

=

25°C

C

OB ，

电容（pF）

3

10

1

2

0.1

V

O

= 5 V

1

0.01

0.001

0

1

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

6

7

8

2

3

4

5

V

in

，输入电压（伏）

9

10

图5.输出电容

100

V

O

= 0.2 V

V

IN，

输入电压（伏特）

图6.输出电流与输入电压

10

T

A

=

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

5

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MUN2111T1 / D

偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管，

单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其

外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个

晶体管与单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别组件

通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统

成本和电路板空间。该设备被容纳在所述SC- 59封装，其目的是

针对低功耗表面贴装应用。

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

在SC- 59封装可以用波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

可在8毫米压纹带和卷轴

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

R1

PIN2 R2

BASE

（输入）

PIN1

辐射源

（接地）

PIN3

集热器

（输出）

MUN2111T1

系列

摩托罗拉的首选设备

PNP硅

偏置电阻

晶体管

3

2

1

CASE 318D -03 ，风格1

(SC–59)

最大额定值

（ TA = 25° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）

减免上述25℃

符号

VCBO

VCEO

IC

PD

价值

50

100

*200

1.6

单位

VDC

MADC

mW

毫瓦/°C的

热特性

热电阻 - 结到环境（表面贴装）

工作和存储温度范围

最大焊接温度的目的，

在焊接洗澡时间

R

θJA

TJ ， TSTG

TL

625

- 65 + 150

260

10

° C / W

°C

美国证券交易委员会

器件标识和电阻值

设备

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1(2)

MUN2116T1(2)

MUN2130T1(2)

MUN2131T1(2)

MUN2132T1(2)

MUN2133T1(2)

MUN2134T1(2)

记号

6A

6B

6C

6D

6E

6F

6G

6H

6J

6K

6L

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。

2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

热复合是贝格斯公司的商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

第5版

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

1

MUN2111T1系列

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50V， IE = 0 ）

集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50 V ， IB = 0 ）

发射基截止电流

（ VEB = 6.0 V， IC = 0 ）

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

ICBO

ICEO

IEBO

—

50

—

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

—

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10

A,

IE = 0 ）

集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）（ IC = 2.0 mA时， IB = 0 ）

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

VDC

基本特征

(3)

直流电流增益

（ VCE = 10 V ， IC = 5.0 mA）的

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2116T1

MUN2132T1

MUN2134T1

VOL

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2113T1

—

0.2

的hFE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

—

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

—

VDC

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 10 mA时， IB = 0.3 mA）的

VCE （ SAT ）

（ IC = 10 mA时， IB = 5.0 mA）的

（ IC = 10 mA时， IB = 1.0 mA）的

输出电压（上）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5 V ， RL = 1.0千欧）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5 V ， RL = 1.0千欧）

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

2

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MUN2111T1系列

电气特性

（续）

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

输出电压（关）（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5 V ， RL = 1.0千欧）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.050 V， RL = 1.0千欧） MUN2130T1

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25 V， RL = 1.0千欧） MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2131T1

MUN2132T1

输入电阻

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2111T1/MUN2112T1/MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1/MUN2116T1

MUN2130T1/MUN2131T1/MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

符号

VOH

民

4.9

典型值

—

最大

—

单位

VDC

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

0.8

0.17

—

0.8

0.055

0.38

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

1.0

0.21

—

1.0

0.1

0.47

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

1.2

0.25

—

1.2

0.185

0.56

k

电阻率

R1/R2

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

R

θJA

= 625 ° C / W

50

0

– 50

0

50

100

TA ，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

3

MUN2111T1系列

电气特性 - MUN2111T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

IC / IB = 10

TA = -25°C

75°C

0.1

的hFE ， DC电流增益（标准化）

1000

VCE = 10 V

25°C

TA = 75℃

25°C

100

–25°C

0.01

0

20

40

60

IC ，集电极电流（毫安）

80

10

1

10

IC ，集电极电流（毫安）

100

图2的VCE （饱和）与集成电路

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

LE = 0 V

TA = 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25°C

TA = -25°C

COB，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

0.001

0

1

2

VO = 5 V

3

4

5

6

7

输入电压，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

VR ，反向偏置电压（伏）

50

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

100

VO = 0.2 V

V在，输入电压（伏）

10

TA = -25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

IC ，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

4

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MUN2111T1系列

电气特性 - MUN2112T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

10

IC / IB = 10

TA = -25°C

25°C

1

75°C

HFE ， DC电流增益（标准化）

1000

VCE = 10 V

TA = 75℃

25°C

100

–25°C

0.1

0.01

10

0

20

40

60

IC ，集电极电流（毫安）

80

1

10

IC ，集电极电流（毫安）

100

图7的VCE （饱和）与集成电路

图8.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

LE = 0 V

TA = 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25°C

TA = -25°C

COB，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

VO = 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

输入电压，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

VR ，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图9.输出电容

图10.输出电流与输入电压

100

VO = 0.2 V

V在，输入电压（伏）

TA = -25°C

10

75°C

25°C

1

0.1

0

10

20

30

40

50

IC ，集电极电流（毫安）

图11.输入电压与输出电流

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

5

MUN2111T1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。该

偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管

单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。在BRT消除这些

各个组分通过将它们集成到单个设备中。该

使用BRT可降低系统成本和电路板空间。该装置

被容纳在所述SC- 59包被设计为低功耗

表面贴装应用。

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

湿度敏感度等级： 1

ESD额定值

人体模型：第1类

ESD额定值

机器型号：B类

在SC- 59封装可以用波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

无铅包装是否可用

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

6X M

http://onsemi.com

3脚

集热器

（输出）

R1

销2

BASE

（输入）

R2

销1

辐射源

（接地）

3

2

1

SC59

CASE 318D

塑料

标记图

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻

结到环境

热阻

结到铅

结存储

温度范围

符号

P

D

最大

230 （注1 ）

338 （注2）

1.8 （注1 ）

2.7 （注2）

540 （注1 ）

370 （注2）

264 （注1 ）

287 （注2）

55

+150

单位

mW

° C / W

°C

6X =具体设备守则*

M =日期代码

订购信息

查看详细的订购和发货信息第2页

此数据表。

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

器件标识信息

*请参阅器件标识表本数据手册的第2页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR- 4 @最小焊盘。

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年1月，

启示录14

1

出版订单号：

MUN2111T1/D

MUN2111T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN2111T1

MUN2111T1G

MUN2112T1

MUN2112T1G

MUN2113T1

MUN2113T1G

MUN2114T1

MUN2114T1G

MUN2115T1 （注3）

MUN2116T1 （注3）

MUN2116T1G （注3）

MUN2130T1 （注3）

MUN2131T1 （注3）

MUN2132T1 （注3）

MUN2132T1G （注3）

MUN2133T1 （注3）

MUN2134T1 （注3）

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2140T1 （注3）

包

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

（无铅）

SC59

记号

6A

6B

6C

6D

6E

6F

6G

6H

6J

6K

6L

6N

6P

6T

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

∞

航运

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

http://onsemi.com

2

MUN2111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2140T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.05

0.13

0.20

NADC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2140T1

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2130T1

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2131T1

MUN2116T1

MUN2132T1

MUN2134T1

MUN2140T1

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2113T1

MUN2140T1

MUN2136T1

MUN2137T1

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

120

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

150

140

250

0.25

0.2

VDC

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

V

CE （ SAT ）

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5.0 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0 mA）的

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

V

OL

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％。

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3

MUN2111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

基本特征

（注4 ）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN2130T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2140T1

输入电阻

MUN2111T1

MUN2112T1

MUN2113T1

MUN2114T1

MUN2115T1

MUN2116T1

MUN2130T1

MUN2131T1

MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2136T1

MUN2137T1

MUN2140T1

MUN2111T1/MUN2112T1/MUN2113T1/

MUN2136T1

MUN2114T1

MUN2115T1/MUN2116T1/MUN2140T1

MUN2130T1/MUN2131T1/MUN2132T1

MUN2133T1

MUN2134T1

MUN2137T1

V

OH

4.9

VDC

符号

民

典型值

最大

单位

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

2.6

kW

电阻率

R

1

/R

2

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％。

350

P

D,

功耗（MW ）

300

250

200

150

100

50

0

50

0

50

100

150

R

qJA

= 370 ° C / W

+12 V

典型用途

对于PNP BRTS

负载

T

A

，环境温度（ 5℃ ）

图1.降额曲线

图2.价格便宜，非常规电流源

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4

MUN2111T1系列

典型电气特性

MUN2111T1

V

CE （SAT），

最大集电极电压

（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

=

2°5C

75°C

0.1

h

FE ，

直流电流增益

1000

V

CE

= 10 V

25°C

T

A

= 75°C

100

25°C

0.01

0

40

60

I

C

，集电极电流（毫安）

20

80

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图3. V

CE （ SAT ）

与我

C

4

I

C,

集电极电流（毫安）

F = 1 MHz的

l

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

图4.直流电流增益

75°C

25°C

T

A

=

25°C

C

OB ，

电容（pF）

3

10

1

2

0.1

V

O

= 5 V

1

0.01

0.001

0

1

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

6

7

8

2

3

4

5

V

in

，输入电压（伏）

9

10

图5.输出电容

100

V

O

= 0.2 V

V

IN，

输入电压（伏特）

图6.输出电流与输入电压

10

T

A

=

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.输入电压与输出电流

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