积极向上
混频器
产品特点
集成的单片GaAs MESFET
有源混频器模块包
表面贴装混合型&卷轴包装
无需匹配电路
降低制造成本
更高的生产力和可靠性
超低噪声指数&低失真
无铅/符合RoHS标准
MU2141
应用
中继器
基站
RF子系统
封装类型： HY - 1
描述
所述IC从一个正极+ 5V电源消耗的电流125毫安操作而只需要2 ±2 dBm的
在MCM与可靠，成熟的GaAs MESFET技术来实现。
LO驱动器。
特定网络阳离子
IF
频率
（兆赫）
70
LO
频率
（兆赫）
1830-2080
2080-2130
RF
频率
（兆赫）
1900-2150
2150-2200
转变
收益
（ dB）的
5
5
（ dBm的）
25.5
24.5
OIP3
（工作温度： -30 ° C + 70 ° C）
LO至RF
泄漏
（ dBm的）
-15
-15
IF与RF
泄漏
（ dBm的）
-70
-70
5V/125mA
5V/125mA
VDD / IDD
工作原理图
3
IF输入
`
功能引脚布局
9
RF输出
PIN号
1或5的
3
7
9
功能
Vdd+5V
在IF
罗在
RF OUT
地
7
LO输入
2,4,6,8,10
包装尺寸
（类型： HY- 1）
顶部
电话： 82-31-250-5011
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SIDE
建议模式
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积极向上
混频器
在25℃时的典型性能
MU2141
测试条件： IF = 70MHz时@ -10dBm ， LO = 1830 2130MHz @ 2dBm的， RF = 1900 2200MHz的
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