MTZJ5.6B
二极管
稳压二极管
MTZJ5.6B
应用
恒压控制
外形尺寸
（单位：毫米）
阴极带（黑色）
特点
1）玻璃密封的信封。 （ MSD ）
2）高可靠性。
３
．
６
Ｂ
型号（黑色）
φ0.4±0.1
29±1
2.7±0.3
29±1
φ1.8±0.2
施工
硅刨床
ROHM ： MSD
JEDEC ： DO- 34
EX 。 MTZJ3.6B
编带标准
（单位：毫米）
象牙
H2
蓝
A
E
H2
I
B
标志
記号
标准尺寸
值（毫米）
寸法規格値
(mm)
Ａ
C
L1
H1
G1
F
G2
L2
H1
t
D
T-31 52.4±1.5
T-32 26.0+0.4
'-0
Ｂ
5.0±0.5
Ｃ
0.5ＭＡＸ
Ｄ
0
Ｅ
50.4±0.4
Ｆ
0.3ＭＡＸ
G1
0.1ＭＩＮ
G2
0ＭＩＮ
H1
6.0±0.5
H2
5.0±0.5
I
0.5ＭＡＸ
L1-L2
0.6ＭＡＸ
t
3.2MIN
＊H2(6mm)：BROWN
CF ：有超过± 1.5毫米20间距cumulativ ê间距公差
注) 累積ピッチの許容差は20ピッチで±1.5mm以下とする
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
功耗
结温
储存温度
符号
P
Tj
TSTG
范围
500
175
-65到+175
单位
mW
℃
℃
Rev.A的
1/4
MTZJ5.6B
二极管
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
4.3
0.01
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1 10
11 12 13
3.6
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
安装在环氧板
10
IM=10mA
1ms的添
300us
IF=100mA
1
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
MTZJ5.6B
二极管
10
10000
1000
Ta=125℃
1000
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
齐纳电流： IZ （MA ）
1
Ta=125℃
0.1
Ta=75℃
Ta=175℃
0.01
Ta=25℃
Ta=-25℃
100
10
1
0.1
0.01
0.001
Ta=75℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
100
Ta=25℃
10
Ta=-25℃
0.001
2
3
4
5
6
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
7
0.0001
0
0.5
1
1.5
2
2.5
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
5.8
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
150
0.9
反向电流： IR （ NA）
5.7
齐纳电压： VZ（ V）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.088nA
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
Ta=25℃
VR=2.5V
n=30pcs
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
CT DISRESION地图
AVE ： 121.0pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
5.6
5.5
5.4
AVE ： 5.641V
5.3
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
10000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
1000
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
MTZJ6.2B
二极管
稳压二极管
MTZJ6.2B
应用
恒压控制
外形尺寸
（单位：毫米）
阴极带（黑色）
特点
1）玻璃密封的信封。 （ MSD ）
2）高可靠性。
３
．
６
Ｂ
型号（黑色）
φ0.4±0.1
29±1
2.7±0.3
29±1
φ1.8±0.2
施工
硅刨床
ROHM ： MSD
JEDEC ： DO- 34
EX 。 MTZJ3.6B
编带标准
（单位：毫米）
象牙
H2
蓝
A
E
H2
I
B
标志
記号
标准尺寸
值（毫米）
寸法規格値
(mm)
Ａ
C
L1
H1
G1
F
G2
L2
H1
t
D
T-31 52.4±1.5
T-32 26.0+0.4
'-0
Ｂ
5.0±0.5
Ｃ
0.5ＭＡＸ
Ｄ
0
Ｅ
50.4±0.4
Ｆ
0.3ＭＡＸ
G1
0.1ＭＩＮ
G2
0ＭＩＮ
H1
6.0±0.5
H2
5.0±0.5
I
0.5ＭＡＸ
L1-L2
0.6ＭＡＸ
t
3.2MIN
＊H2(6mm)：BROWN
CF ：有超过± 1.5毫米20间距cumulativ ê间距公差
注) 累積ピッチの許容差は20ピッチで±1.5mm以下とする
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
功耗
结温
储存温度
符号
P
Tj
TSTG
范围
500
175
-65到+175
单位
mW
℃
℃
Rev.A的
1/4
MTZJ6.2B
二极管
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
4.3
0.01
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1 10
11 12 13
3.6
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
安装在环氧板
10
IM=10mA
1ms的添
300us
IF=100mA
1
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
MTZJ6.2B
二极管
10
Ta=175℃
Ta=25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=-25℃
10000
1000
Ta=175℃
1000
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
1
100
10
1
0.1
0.01
0.001
Ta=75℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=125℃
100
0.1
Ta=25℃
Ta=-25℃
10
0.01
0.001
3
4
5
6
7
8
0.0001
0
1
2
3
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
1
2
3
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
6.9
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
150
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
6.8
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.132nA
Ta=25℃
VR=3.0V
n=30pcs
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
CT DISRESION地图
AVE ： 103.1pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
6.7
6.6
6.5
AVE ： 6.664V
6.4
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
MTZJ6.8B
二极管
稳压二极管
MTZJ6.8B
应用
恒压控制
外形尺寸
（单位：毫米）
阴极带（黑色）
特点
1）玻璃密封的信封。 （ MSD ）
2）高可靠性。
３
．
６
Ｂ
型号（黑色）
φ0.4±0.1
29±1
2.7±0.3
29±1
φ1.8±0.2
施工
硅刨床
ROHM ： MSD
JEDEC ： DO- 34
EX 。 MTZJ3.6B
编带标准
（单位：毫米）
象牙
H2
蓝
A
E
H2
I
B
标志
記号
标准尺寸
值（毫米）
寸法規格値
(mm)
Ａ
C
L1
H1
G1
F
G2
L2
H1
t
D
T-31 52.4±1.5
T-32 26.0+0.4
'-0
Ｂ
5.0±0.5
Ｃ
0.5ＭＡＸ
Ｄ
0
Ｅ
50.4±0.4
Ｆ
0.3ＭＡＸ
G1
0.1ＭＩＮ
G2
0ＭＩＮ
H1
6.0±0.5
H2
5.0±0.5
I
0.5ＭＡＸ
L1-L2
0.6ＭＡＸ
t
3.2MIN
＊H2(6mm)：BROWN
CF ：有超过± 1.5毫米20间距cumulativ ê间距公差
注) 累積ピッチの許容差は20ピッチで±1.5mm以下とする
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
功耗
结温
储存温度
符号
P
Tj
TSTG
范围
500
175
-65到+175
单位
mW
℃
℃
Rev.A的
1/4
MTZJ6.8B
二极管
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
4.3
0.01
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1 10
11 12 13
3.6
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
安装在环氧板
10
IM=10mA
1ms的添
300us
IF=100mA
1
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
MTZJ6.8B
二极管
10
10000
Ta=175℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
1000
反向电流： IR （ NA）
Ta=25℃
Ta=75℃
Ta=125℃
Ta=175℃
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
f=1MHz
齐纳电流： IZ （MA ）
1
Ta=-25℃
0.1
之间的电容
端子的CT （PF ）
4
100
0.01
Ta=-25℃
0.001
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0.0001
0
1
2
3
10
0
1
2
3
4
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
7
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
Ta=25℃
VR=3.5V
n=30pcs
150
140
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
6.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.126nA
130
120
110
100
90
80
70
60
50
AVE ： 89.8pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
6.8
6.7
6.6
AVE ： 6.60V
6.5
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
MTZJ8.2B
二极管
稳压二极管
MTZJ8.2B
应用
恒压控制
外形尺寸
（单位：毫米）
阴极带（黑色）
特点
1）玻璃密封的信封。 （ MSD ）
2）高可靠性。
３
．
６
Ｂ
型号（黑色）
φ0.4±0.1
29±1
2.7±0.3
29±1
φ1.8±0.2
施工
硅刨床
ROHM ： MSD
JEDEC ： DO- 34
EX 。 MTZJ3.6B
编带标准
（单位：毫米）
象牙
H2
蓝
A
E
H2
I
B
标志
記号
标准尺寸
值（毫米）
寸法規格値
(mm)
C
L1
H1
G1
F
G2
L2
H1
t
D
T-31 52.4±1.5
T-32 26.0+0.4
'-0
Ｂ
5.0±0.5
Ｃ
0.5ＭＡＸ
Ｄ
0
Ｅ
50.4±0.4
Ｆ
0.3ＭＡＸ
G1
0.1ＭＩＮ
G2
0ＭＩＮ
H1
6.0±0.5
H2
5.0±0.5
I
0.5ＭＡＸ
L1-L2
0.6ＭＡＸ
t
3.2MIN
Ａ
＊H2(6mm)：BROWN
CF ：有超过± 1.5毫米20间距cumulativ ê间距公差
注) 累積ピッチの許容差は20ピッチで±1.5mm以下とする
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
功耗
结温
储存温度
符号
P
Tj
TSTG
范围
500
175
-65到+175
单位
mW
℃
℃
Rev.A的
1/4
MTZJ8.2B
二极管
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
4.3
0.01
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1 10
11 12 13
3.6
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
安装在环氧板
10
IM=10mA
1ms的添
300us
IF=100mA
1
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
MTZJ8.2B
二极管
Ta=75℃
10
Ta=25℃
1
Ta=-25℃
10000
1000
反向电流： IR （ NA）
Ta=175℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
1000
f=1MHz
之间的电容
端子的CT （PF ）
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=125℃
100
10
1
0.1
0.01
0.001
100
0.1
10
0.01
Ta=175℃
Ta=-25℃
0.001
7
7.5
8
8.5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
9
0.0001
0
1
2
3
4
5
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
1
2
3
4
5
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
8.2
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
反向电流： IR （ NA）
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
150
齐纳电压： VZ（ V）
8.1
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.081nA
Ta=25℃
VR=5.0V
n=30pcs
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
AVE ： 85.1pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
8
7.9
7.8
AVE ： 7.882V
7.7
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
100
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
MTZJ9.1B
二极管
稳压二极管
MTZJ9.1B
应用
恒压控制
外形尺寸
（单位：毫米）
阴极带（黑色）
特点
1）玻璃密封的信封。 （ MSD ）
2）高可靠性。
３
．
６
Ｂ
型号（黑色）
φ0.4±0.1
29±1
2.7±0.3
29±1
φ1.8±0.2
施工
硅刨床
ROHM ： MSD
JEDEC ： DO- 34
EX 。 MTZJ3.6B
编带标准
（单位：毫米）
象牙
H2
蓝
A
E
H2
I
B
标志
記号
标准尺寸
值（毫米）
寸法規格値
(mm)
Ａ
C
L1
H1
G1
F
G2
L2
H1
t
D
T-31 52.4±1.5
T-32 26.0+0.4
'-0
Ｂ
5.0±0.5
Ｃ
0.5ＭＡＸ
Ｄ
0
Ｅ
50.4±0.4
Ｆ
0.3ＭＡＸ
G1
0.1ＭＩＮ
G2
0ＭＩＮ
H1
6.0±0.5
H2
5.0±0.5
I
0.5ＭＡＸ
L1-L2
0.6ＭＡＸ
t
3.2MIN
＊H2(6mm)：BROWN
CF ：有超过± 1.5毫米20间距cumulativ ê间距公差
注) 累積ピッチの許容差は20ピッチで±1.5mm以下とする
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
功耗
结温
储存温度
符号
P
Tj
TSTG
范围
500
175
-65到+175
单位
mW
℃
℃
Rev.A的
1/4
MTZJ9.1B
二极管
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
4.3
0.01
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1 10
11 12 13
3.6
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
安装在环氧板
10
IM=10mA
1ms的添
300us
IF=100mA
1
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
MTZJ9.1B
二极管
10
10000
1000
Ta=175℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
1000
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
1
100
10
1
0.1
0.01
0.001
之间的电容
端子的CT （PF ）
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=125℃
Ta=25℃
0.1
100
Ta=75℃
Ta=-25℃
Ta=175℃
10
0.01
Ta=-25℃
0.001
7
8
9
10
11
0.0001
0
1
2
3
4
5
6
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
1
2
3
4
5
6
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
100
9
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
Ta=25℃
VR=6.0V
n=30pcs
90
齐纳电压： VZ（ V）
8.9
反向电流： IR （ NA）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.106nA
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
CT DISRESION地图
AVE ： 70.7pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
8.8
8.7
8.6
AVE ： 8.779V
8.5
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
100
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
10
1
0.1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
MTZJ11B
二极管
稳压二极管
MTZJ11B
应用
恒压控制
外形尺寸
（单位：毫米）
阴极带（黑色）
特点
1）玻璃密封的信封。 （ MSD ）
2）高可靠性。
３
．
６
Ｂ
型号（黑色）
φ0.4±0.1
29±1
2.7±0.3
29±1
φ1.8±0.2
施工
硅刨床
ROHM ： MSD
JEDEC ： DO- 34
EX 。 MTZJ3.6B
编带标准
（单位：毫米）
象牙
H2
蓝
A
E
H2
I
B
标志
記号
标准尺寸
值（毫米）
寸法規格値
(mm)
C
L1
H1
G1
F
G2
L2
H1
t
D
T-31 52.4±1.5
T-32 26.0+0.4
'-0
Ｂ
5.0±0.5
Ｃ
0.5ＭＡＸ
Ｄ
0
Ｅ
50.4±0.4
Ｆ
0.3ＭＡＸ
G1
0.1ＭＩＮ
G2
0ＭＩＮ
H1
6.0±0.5
H2
5.0±0.5
I
0.5ＭＡＸ
L1-L2
0.6ＭＡＸ
t
3.2MIN
Ａ
＊H2(6mm)：BROWN
CF ：有超过± 1.5毫米20间距cumulativ ê间距公差
注) 累積ピッチの許容差は20ピッチで±1.5mm以下とする
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
功耗
结温
储存温度
符号
P
Tj
TSTG
范围
500
175
-65到+175
单位
mW
℃
℃
Rev.A的
1/4
MTZJ11B
二极管
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
4.3
0.01
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1 10
11 12 13
3.6
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
安装在环氧板
10
IM=10mA
1ms的添
300us
IF=100mA
1
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
MTZJ11B
二极管
10
Ta=25℃
Ta=175℃
10000
1000
1000
Ta=175℃
Ta=125℃
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
齐纳电流： IZ （MA ）
1
Ta=-25℃
0.1
Ta=75℃
0.01
Ta=125℃
100
10
1
0.1
0.01
0.001
之间的电容
端子的CT （PF ）
7
8
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
100
10
0.001
9.5
10
10.5
11
11.5
12
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
12.5
0.0001
0
1
2
3
4
5
6
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
11
1
100
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
10.9
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.120nA
Ta=25℃
VR=8.0V
n=30pcs
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
CT DISRESION地图
AVE ： 54.1pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
10.8
10.7
10.6
AVE ： 10.732V
10.5
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
100
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
MTZJ8.2B
二极管
稳压二极管
MTZJ8.2B
应用
恒压控制
外形尺寸
（单位：毫米）
阴极带（黑色）
特点
1）玻璃密封的信封。 （ MSD ）
2）高可靠性。
３
．
６
Ｂ
型号（黑色）
φ0.4±0.1
29±1
2.7±0.3
29±1
φ1.8±0.2
施工
硅刨床
ROHM ： MSD
JEDEC ： DO- 34
EX 。 MTZJ3.6B
编带标准
（单位：毫米）
象牙
H2
蓝
A
E
H2
I
B
标志
記号
标准尺寸
值（毫米）
寸法規格値
(mm)
C
L1
H1
G1
F
G2
L2
H1
t
D
T-31 52.4±1.5
T-32 26.0+0.4
'-0
Ｂ
5.0±0.5
Ｃ
0.5ＭＡＸ
Ｄ
0
Ｅ
50.4±0.4
Ｆ
0.3ＭＡＸ
G1
0.1ＭＩＮ
G2
0ＭＩＮ
H1
6.0±0.5
H2
5.0±0.5
I
0.5ＭＡＸ
L1-L2
0.6ＭＡＸ
t
3.2MIN
Ａ
＊H2(6mm)：BROWN
CF ：有超过± 1.5毫米20间距cumulativ ê间距公差
注) 累積ピッチの許容差は20ピッチで±1.5mm以下とする
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
功耗
结温
储存温度
符号
P
Tj
TSTG
范围
500
175
-65到+175
单位
mW
℃
℃
Rev.A的
1/4
MTZJ8.2B
二极管
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
4.3
0.01
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1 10
11 12 13
3.6
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
安装在环氧板
10
IM=10mA
1ms的添
300us
IF=100mA
1
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
MTZJ8.2B
二极管
Ta=75℃
10
Ta=25℃
1
Ta=-25℃
10000
1000
反向电流： IR （ NA）
Ta=175℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
1000
f=1MHz
之间的电容
端子的CT （PF ）
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=125℃
100
10
1
0.1
0.01
0.001
100
0.1
10
0.01
Ta=175℃
Ta=-25℃
0.001
7
7.5
8
8.5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
9
0.0001
0
1
2
3
4
5
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
1
2
3
4
5
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
8.2
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
反向电流： IR （ NA）
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
150
齐纳电压： VZ（ V）
8.1
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.081nA
Ta=25℃
VR=5.0V
n=30pcs
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
AVE ： 85.1pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
8
7.9
7.8
AVE ： 7.882V
7.7
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
100
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
MTZJ15B
二极管
稳压二极管
MTZJ15B
应用
恒压控制
外形尺寸
（单位：毫米）
阴极带（黑色）
特点
1）玻璃密封的信封。 （ MSD ）
2）高可靠性。
３
．
６
Ｂ
型号（黑色）
φ0.4±0.1
29±1
2.7±0.3
29±1
φ1.8±0.2
施工
硅刨床
ROHM ： MSD
JEDEC ： DO- 34
EX 。 MTZJ3.6B
编带标准
（单位：毫米）
象牙
H2
蓝
A
E
H2
I
B
标志
記号
标准尺寸
值（毫米）
寸法規格値
(mm)
Ａ
C
L1
H1
G1
F
G2
L2
H1
t
D
T-31 52.4±1.5
T-32 26.0+0.4
'-0
Ｂ
5.0±0.5
Ｃ
0.5ＭＡＸ
Ｄ
0
Ｅ
50.4±0.4
Ｆ
0.3ＭＡＸ
G1
0.1ＭＩＮ
G2
0ＭＩＮ
H1
6.0±0.5
H2
5.0±0.5
I
0.5ＭＡＸ
L1-L2
0.6ＭＡＸ
t
3.2MIN
＊H2(6mm)：BROWN
CF ：有超过± 1.5毫米20间距cumulativ ê间距公差
注) 累積ピッチの許容差は20ピッチで±1.5mm以下とする
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
功耗
结温
储存温度
符号
P
Tj
TSTG
范围
500
175
-65到+175
单位
mW
℃
℃
Rev.A的
1/4
MTZJ15B
二极管
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
4.3
0.01
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1 10
11 12 13
3.6
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
安装在环氧板
10
IM=10mA
1ms的添
300us
IF=100mA
1
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
MTZJ15B
二极管
10
10000
Ta=125℃
反向电流： IR （ NA）
Ta=175℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
1000
f=1MHz
之间的电容
端子的CT （PF ）
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
100
齐纳电流： IZ （MA ）
1
Ta=25℃
Ta=75℃
Ta=-25℃
0.1
Ta=175℃
0.01
10
0.001
13
14
15
16
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
17
0.0001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
2
4
6
8
10
12
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
14.7
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
反向电流： IR （ NA）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
AVE ： 0.089nA
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
Ta=25℃
VR=11V
n=30pcs
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
CT DISRESION地图
AVE ： 47.8pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
齐纳电压： VZ（ V）
14.6
14.5
14.4
14.3
AVE ： 14.40V
14.2
10000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
1000
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
MTZJ16B
二极管
稳压二极管
MTZJ16B
应用
恒压控制
外形尺寸
（单位：毫米）
阴极带（黑色）
特点
1）玻璃密封的信封。 （ MSD ）
2）高可靠性。
３
．
６
Ｂ
型号（黑色）
φ0.4±0.1
29±1
2.7±0.3
29±1
φ1.8±0.2
施工
硅刨床
ROHM ： MSD
JEDEC ： DO- 34
EX 。 MTZJ3.6B
编带标准
（单位：毫米）
象牙
H2
蓝
A
E
H2
I
B
标志
記号
标准尺寸
值（毫米）
寸法規格値
(mm)
C
L1
H1
G1
F
G2
L2
H1
t
D
T-31 52.4±1.5
T-32 26.0+0.4
'-0
Ｂ
5.0±0.5
Ｃ
0.5ＭＡＸ
Ｄ
0
Ｅ
50.4±0.4
Ｆ
0.3ＭＡＸ
G1
0.1ＭＩＮ
G2
0ＭＩＮ
H1
6.0±0.5
H2
5.0±0.5
I
0.5ＭＡＸ
L1-L2
0.6ＭＡＸ
t
3.2MIN
Ａ
＊H2(6mm)：BROWN
CF ：有超过± 1.5毫米20间距cumulativ ê间距公差
注) 累積ピッチの許容差は20ピッチで±1.5mm以下とする
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
功耗
结温
储存温度
符号
P
Tj
TSTG
范围
500
175
-65到+175
单位
mW
℃
℃
Rev.A的
1/4
MTZJ16B
二极管
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
4.3
0.01
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1 10
11 12 13
3.6
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
安装在环氧板
10
IM=10mA
1ms的添
300us
IF=100mA
1
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
MTZJ16B
二极管
10
1000
Ta=125℃
反向电流： IR （ NA）
100
10
1
0.1
0.01
Ta=175℃
Ta=125℃
1000
f=1MHz
100
齐纳电流： IZ （MA ）
1
Ta=25℃
0.1
Ta=75℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
10
0.01
0.001
Ta=-25℃
0.001
14
15
16
17
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
Ta=175℃
0.0001
0.00001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
2
4
6
8
10
12
18
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
15.8
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
反向电流： IR （ NA）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
AVE ： 0.125nA
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
Ta=25℃
VR=12V
n=30pcs
50
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
AVE ： 41.8pF
齐纳电压： VZ（ V）
15.7
40
15.6
30
15.5
20
15.4
AVE ： 15.53V
15.3
10
0
CT DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
MTZJ18B
二极管
稳压二极管
MTZJ18B
应用
恒压控制
外形尺寸
（单位：毫米）
阴极带（黑色）
特点
1）玻璃密封的信封。 （ MSD ）
2）高可靠性。
３
．
６
Ｂ
型号（黑色）
φ0.4±0.1
29±1
2.7±0.3
29±1
φ1.8±0.2
施工
硅刨床
ROHM ： MSD
JEDEC ： DO- 34
EX 。 MTZJ3.6B
编带标准
（单位：毫米）
象牙
H2
蓝
A
E
H2
I
B
标志
記号
标准尺寸
值（毫米）
寸法規格値
(mm)
Ａ
C
L1
H1
G1
F
G2
L2
H1
t
D
T-31 52.4±1.5
T-32 26.0+0.4
'-0
Ｂ
5.0±0.5
Ｃ
0.5ＭＡＸ
Ｄ
0
Ｅ
50.4±0.4
Ｆ
0.3ＭＡＸ
G1
0.1ＭＩＮ
G2
0ＭＩＮ
H1
6.0±0.5
H2
5.0±0.5
I
0.5ＭＡＸ
L1-L2
0.6ＭＡＸ
t
3.2MIN
＊H2(6mm)：BROWN
CF ：有超过± 1.5毫米20间距cumulativ ê间距公差
注) 累積ピッチの許容差は20ピッチで±1.5mm以下とする
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
功耗
结温
储存温度
符号
P
Tj
TSTG
范围
500
175
-65到+175
单位
mW
℃
℃
Rev.A的
1/4
MTZJ18B
二极管
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
4.3
0.01
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1 10
11 12 13
3.6
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
安装在环氧板
10
IM=10mA
1ms的添
300us
IF=100mA
1
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
MTZJ18B
二极管
Ta=25℃
Ta=75℃
Ta=125℃
10
Ta=-25℃
10000
1000
Ta=175℃
Ta=125℃
1000
f=1MHz
之间的电容
端子的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电流： IZ （MA ）
1
100
10
1
0.1
0.01
Ta=75℃
100
0.1
Ta=25℃
Ta=-25℃
10
0.01
Ta=175℃
0.001
0.001
16
17
18
19
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
20
0.0001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
1
0
2
4
6
8
10
12
14
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
100
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
Ta=25℃
VR=13V
n=30pcs
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
17.5
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
反向电流： IR （ NA）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
VZ DISRESION地图
AVE ： 0.113nA
齐纳电压： VZ（ V）
17.4
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
17.3
17.2
17.1
AVE ： 17.33V
17
AVE ： 37.1pF
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
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订单在日本。
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