CYStech电子股份有限公司
P沟道增强型功率MOSFET
规格。编号： C386N6
发行日期： 2013年8月19日
修订日期： 2013年9月6日
页页次： 1/9
MTP6405N6
描述
BV
DSS
I
D
R
DSON （最大）
@V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
R
DSON （最大）
@V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
-30V
-6.5A
24mΩ(typ.)
34mΩ(typ.)
该MTP6405N6是一个P沟道增强型MOSFET ，可提供设计具有最佳
结合快速开关，坚固耐用的设备设计，低导通电阻和成本效益。
采用SOT -26封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用。
特点
简单的驱动要求
低导通电阻
封装尺寸小
无铅镀铅包
等效电路
MTP6405N6
G：门
S：来源D：漏
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
T
C
=25
°C
T
C
=70
°C
T
A
=25
°C
T
A
=70
°C
符号
V
DS
V
GS
（注1 ）
（注1 ）
I
D
漏电流脉冲
（注2,3）
I
DM
T
C
=25
°C
T
C
=70
°C
总功耗
T
A
=25
°C
T
A
=70
°C
工作结温贮藏温度范围
P
D
TJ ， TSTG
范围
-30
±20
-8.2
-6.6
-6.5
-5.2
-30
3.2
2.1
2
1.25
-55~+150
单位
V
A
W
°C
MTP6405N6
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
热数据
参数
热阻，结到外壳，最大
热阻，结到环境，最大
符号
R
日，J -C
R
θJA
规格。编号： C386N6
发行日期： 2013年8月19日
修订日期： 2013年9月6日
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（注1 ）
注： 1.Surface安装在1平方英寸的FR - 4电路板的铜垫， t≤5秒。 156
℃
/安装在最小的铜垫当W 。
2.Pulse宽度有限的最高结温。
3.Pulse宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 ％
价值
39
62.5
单位
° C / W
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有说明）
符号
STATIC
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ ΔTJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
*R
DS （ ON）
分钟。
-30
-
-0.8
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.03
-1.2
-
-
-
24
34
16.6
1316
143
118
14
7
50
23
16
4.9
5.2
-
-
-0.75
23
14
马克斯。
-
-
-2.5
±100
-100
-10
32
45
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-3.5
-14
-1
-
-
单位
V
V/℃
V
nA
μA
mΩ
S
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250μA
参考25
℃
, I
D
=-250μA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250μA
V
GS
=±20V, V
DS
=0
V
DS
=-24V, V
GS
= 0 ， TJ = 25 ℃
V
DS
=-24V, V
GS
= 0 ， TJ = 55 ℃
I
D
= -5A ，V
GS
=-10V
I
D
= -4A ，V
GS
=-4.5V
V
DS
= -5V ，我
D
=-5A
*G
FS
动态
西塞
-
科斯
-
CRSS
-
t
D（上）
-
t
r
-
t
D（关闭）
-
t
f
-
Qg
-
QGS
-
QGD
-
源极 - 漏极二极管
*I
S
-
*I
SM
-
*V
SD
-
*T
rr
-
Q
rr
-
pF
V
DS
=-15V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
ns
V
DS
= -15V ，我
D
= -1A ，V
GS
= -10V ，R
G
=6
nC
V
DS
= -15V ，我
D
= -6.5A ，V
GS
=-10V
A
V
ns
nC
I
S
=-1A,V
GS
=0V
I
S
=-6.5A,V
GS
=0V,dI/dt=100A/μs
*脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 ％
订购信息
设备
MTP6405N6-0-T1-G
包
SOT-26
（无铅引脚电镀和无卤素封装）
航运
3000个/带卷&
MTP6405N6
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
典型特征
典型的输出特性
30
25
-I
D
,
漏电流（ A）
20
15
-V
GS
=3V
10V,9V,8V,7V,6V,5V
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Brekdown电压随环境温度
1.4
-bv
DSS
归一化的漏 - 源
击穿电压
-V
GS
=4V
1.2
1
0.8
0.6
0.4
I
D
=-250
μ
A,
V
GS
=0V
10
5
0
0
1
2
3
4
-V
DS
,
漏源极电压（ V）
5
-V
GS
=2.5V
-75 -50 -25
0 25 50 75 100 125 150 175
TJ ，结温（ ° C）
静态漏源通态电阻与漏电流
反向漏电流与源极 - 漏极电压
1.2
-V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
1
0.8
Tj=150°C
V
GS
=0V
Tj=25°C
1000
R
DS （ ON）
，静态漏源导通状态
电阻（mΩ ）
100
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-3V
0.6
0.4
0.2
V
GS
=-10V
10
0.01
0.1
1
-I
D
，漏电流（ A）
10
0
2
4
6
8
-I
DR
，反向漏电流（ A）
10
静态漏源通态电阻与栅源
电压
漏源通态电阻与结Tempearture
200
R
DS （ ON）
，归一化静态漏极 -
源通态电阻
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-60
-20
20
60
100
140
TJ ，结温（ ° C）
180
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
R
DS （ ON）
，静态漏源开 -
状态电阻（mΩ ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
-V
GS
，栅源电压（ V）
10
I
D
=-5A
I
D
=-4A
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CYStek产品规格
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典型特征（续）
典型的传输特性
30
V
DS
=-10V
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单脉冲最大功率耗散
1000
900
瞬态峰值功率（ W）
25
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0.0001 0.001
-I
D
，漏电流（ A）
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
-V
GS
，栅源电压（ V）
功率降额曲线
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120
T
A
，环境温度（ ℃ ）
140
160
5
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
θ
JA
=62.5°C/W
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
10
100
1000
功率降额曲线
4
P
D
，功耗（ W）
P
D
，功耗（ W）
安装在FR- 4电路板
与1
垫区
3.6
3.2
2.8
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
20
40
60
80 100 120
T
C
，外壳温度（ ℃ ）
140
160
瞬态热响应曲线
1
R（T ） ，归EffectiveTransient热
阻力
D=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
1.R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θJA
2.Duty因子，D = T
1
/t
2
3.T
JM
-T
A
=P
DM
*R
θ
JA
(t)
4.R
θJA
=62.5
° C / W
单脉冲
0.001
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
t
1
，方波脉冲持续时间（ S）
MTP6405N6
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