产品规格
半导体技术， INC 。
S. E. JAY STREET 3131 ， STUART ，FL 34997
PH ： （ 561 ） 283-4500传真： （ 561 ） 286-8914
网址： http://www.semi-tech-inc.com
案例外形：
TO-220
类型：
MTP3N55
高压功率MOSFET
N沟道
绝对最大额定值：
漏 - 源极电压
漏极 - 栅极电压
漏电流 - 连续
漏电流 - 脉冲
栅 - 源电压
功耗
感应电流
工作和存储温度
焊接温度从案例
VDSS
VDGR
ID
IDM
VGS
PD
IL
TJ & TSTG
TL
550
550
3.0
10
±20
75
-65到+150
275
VDC
VDC
ADC
ADC
VDC
瓦
ADC
°C
°C
电气特性TA 25°C
°
参数
符号
测试条件
漏源
BVDSS ID = 0.25毫安
击穿电压
栅极阈值电压VGS （ TH） ID = 1.0毫安
ID = 1.0毫安， TJ = 100℃
门 - 体泄漏
IGSS
VGS = 20V
当前
零栅极电压
IDSS
VDS = 550V
漏电流
VDS = 440V ， T J = 125°C
在国家漏极电流
ID （上）
漏源开
阻力
前锋
跨
漏源开 -
电压
漏源开 -
电压
输入电容
输出电容
反向传输
电容
RDS （ ON）
政府飞行服务队
VDS （上）
VDS （上）
西塞
科斯
CRSS
VDS = 25V ， F = 1兆赫
ID = 1.5A ， VGS = 10V ，
ID = 1.5A ， VDS = 15V ，
ID = 3.0A VGS = 10V
ID = 1.5A ， VGS = 10V TJ = 100℃
民
550
2.0
1.5
典型值
最大
单位
VDC
VDC
nA
mA
mA
ADC
4.5
4.0
100
0.2
1.0
2.5
1.5
9.0
7.5
欧
姆欧
VDC
VDC
VDC
1000 pF的
300
80
pF
pF
第1页2
类型： MTP3N55
漏源二极管特性
正向电压上
反向恢复时间
向前开启时间
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
VDS = 440V ， ID = 3.0A ， VDS = 10V
IS = 3.0A
符号
VSD
TRR
吨
Qg
QGS
QGD
16
8.0
8.0
18
民
典型值
1.1
165
最大
单位
VDC
ns
ns
nC
nC
nC
开关特性
开启时间
打开-O FF时间
延迟时间（打开）
上升时间
延迟时间（关闭）
下降时间
VDD = 25V ， ID = 1.5A
RGEN = 50Ω
符号
吨
花花公子
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
民
典型值
最大
单位
50
100
180
80
ns
ns
ns
ns
热特性
结到外壳
结到环境
内部封装电感
内部排水电感
内部源极电感
符号
R
θJC
R
θJA
符号
Ld
Ls
1.67
62.5
典型值
3.5
7.5
最大
单位
° C / W
° C / W
单位
nH
nH
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产品规格
半导体技术， INC 。
S. E. JAY STREET 3131 ， STUART ，FL 34997
PH ： （ 561 ） 283-4500传真： （ 561 ） 286-8914
网址： http://www.semi-tech-inc.com
案例外形：
TO-220
类型：
MTP3N55
高压功率MOSFET
N沟道
绝对最大额定值：
漏 - 源极电压
漏极 - 栅极电压
漏电流 - 连续
漏电流 - 脉冲
栅 - 源电压
功耗
感应电流
工作和存储温度
焊接温度从案例
VDSS
VDGR
ID
IDM
VGS
PD
IL
TJ & TSTG
TL
550
550
3.0
10
±20
75
-65到+150
275
VDC
VDC
ADC
ADC
VDC
瓦
ADC
°C
°C
电气特性TA 25°C
°
参数
符号
测试条件
漏源
BVDSS ID = 0.25毫安
击穿电压
栅极阈值电压VGS （ TH） ID = 1.0毫安
ID = 1.0毫安， TJ = 100℃
门 - 体泄漏
IGSS
VGS = 20V
当前
零栅极电压
IDSS
VDS = 550V
漏电流
VDS = 440V ， T J = 125°C
在国家漏极电流
ID （上）
漏源开
阻力
前锋
跨
漏源开 -
电压
漏源开 -
电压
输入电容
输出电容
反向传输
电容
RDS （ ON）
政府飞行服务队
VDS （上）
VDS （上）
西塞
科斯
CRSS
VDS = 25V ， F = 1兆赫
ID = 1.5A ， VGS = 10V ，
ID = 1.5A ， VDS = 15V ，
ID = 3.0A VGS = 10V
ID = 1.5A ， VGS = 10V TJ = 100℃
民
550
2.0
1.5
典型值
最大
单位
VDC
VDC
nA
mA
mA
ADC
4.5
4.0
100
0.2
1.0
2.5
1.5
9.0
7.5
欧
姆欧
VDC
VDC
VDC
1000 pF的
300
80
pF
pF
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类型： MTP3N55
漏源二极管特性
正向电压上
反向恢复时间
向前开启时间
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
VDS = 440V ， ID = 3.0A ， VDS = 10V
IS = 3.0A
符号
VSD
TRR
吨
Qg
QGS
QGD
16
8.0
8.0
18
民
典型值
1.1
165
最大
单位
VDC
ns
ns
nC
nC
nC
开关特性
开启时间
打开-O FF时间
延迟时间（打开）
上升时间
延迟时间（关闭）
下降时间
VDD = 25V ， ID = 1.5A
RGEN = 50Ω
符号
吨
花花公子
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
民
典型值
最大
单位
50
100
180
80
ns
ns
ns
ns
热特性
结到外壳
结到环境
内部封装电感
内部排水电感
内部源极电感
符号
R
θJC
R
θJA
符号
Ld
Ls
1.67
62.5
典型值
3.5
7.5
最大
单位
° C / W
° C / W
单位
nH
nH
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