CYStech电子股份有限公司
P沟道增强型MOSFET
规格。编号: C387N3
发行日期: 2007年6月13日
修订日期:
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MTP3403AN3
特点
V
DS
=-30V
R
DS ( ON)
=85m
Ω
@V
GS
= -4.5V ,我
DS
=-2A
R
DS ( ON)
=120m
Ω
@V
GS
= -2.5V ,我
DS
=-1A
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
低栅电荷
紧凑,薄型SOT- 23封装
无铅封装
等效电路
MTP3403AN3
概要
SOT-23
D
G:门
S:源
D:漏
G
S
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@T
A
=25°C
(注1 )
连续漏电流@T
A
=70°C
(注1 )
漏电流脉冲
(注2 )
最大功率耗散
线性降额因子
工作结温和存储温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
TJ , TSTG
范围
-30
±12
-3.2
-2.6
-10
1.38
0.01
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
°C
注: 1.表面安装在1平方英寸的铜垫FR- 4电路板,安装在最小的铜垫,当270 ° C / W 。
2.脉冲宽度有限的最高结温。
MTP3403AN3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
热性能
参数
热阻,结到环境
符号
RTH , JA
规格。编号: C387N3
发行日期: 2007年6月13日
修订日期:
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极限
90
单位
° C / W
注:表面安装在1平方英寸的铜垫FR- 4板, 270 ° C / W安装在最小的铜垫时。
电气特性(环境温度为25 ℃,除非另有规定)
符号
STATIC
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ ΔTJ
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
DSS
*R
DS ( ON)
分钟。
-30
-
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.1
-
-
-
-
-
-
-
9
735
100
80
7
15
21
15
10
1.8
3.6
-
24
19
马克斯。
-
-
-1.2
±100
-1
-25
70
85
120
-
1325
-
-
-
-
-
-
18
-
-
-1.2
-
-
单位
V
V/
°C
V
nA
A
A
mΩ
S
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250A
参考25
°C,
I
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
V
GS
=±12V, V
DS
=0
V
DS
=-30V, V
GS
=0
V
DS
=-24V, V
GS
= 0 , TJ = 70
°C
I
D
= -2.6A ,V
GS
=-10V
I
D
= -2.0A ,V
GS
=-4.5V
I
D
= -1.0A ,V
GS
=-2.5V
V
DS
= -5V ,我
D
=-3A
*G
FS
动态
西塞
-
科斯
-
CRSS
-
*t
D(上)
-
*t
r
-
*t
D(关闭)
-
*t
f
-
* QG
-
* QGS
-
*的Qgd
-
源极 - 漏极二极管
*V
SD
-
* TRR
-
*的Qrr
-
pF
V
DS
=-25V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
V
DS
= -15V ,我
D
= -3.2A ,V
GS
= -10V ,R
D
=4.6
Ω
,
R
G
=3.3
Ω
V
DS
= -24V ,我
D
=-3.2A,
V
GS
=-4.5V,
V
GS
= 0V时,我
SD
=-1.2A
I
S
= -3.2A ,V
GS
= 0V的di / dt = 100A / μs的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤300s,
值班Cycle≤2 %
ns
nC
V
ns
nC
订购信息
设备
MTP3403AN3
包
SOT-23
(无铅)
航运
3000个/带卷&
记号
3403A
MTP3403AN3
CYStek产品规格