MTP3055E
N - CHANNEL 60V - 0.1Ω - 12A TO- 220
的STripFET MOSFET
牛逼YPE
MTP3055E
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.15
I
D
12 A
典型
DS （ ON）
= 0.1
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
175
o
C的工作温度
面向应用
表征
3
1
2
应用
s
大电流，高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
稳压器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电机控制，音频放大器
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
I
DM
()
P
合计
T
s TG
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（脉冲）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
60
60
±
20
12
9
48
40
-65 175
175
取消它
V
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
该日期代码为钾或第一个数字标识硅特征本数据表。
1999年7月
1/8
摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
订购此文件
通过MTP3055V / D
TMOS
功率场效应晶体管
TMOS V是设计来实现导通电阻的新技术
tance面积产品约一半是标准的MOSFET。这
新技术的一倍以上，目前的细胞密度我们
50和60伏的TMOS装置。正如我们的TMOS E- FET
设计中， TMOS V被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。专为低电压，高
电源供应器，转换器，开关速度快和应用
动力马达控制，这些设备特别适合于
桥式电路中的二极管速度和换向安全工作
区域是关键的，提供对附加的安全余量
意外的电压瞬变。
TMOS V的新功能
导通电阻区域产品大约有一半的标准
MOSFET的用新的低电压，低RDS（ON ）技术
更快的开关比E- FET前辈
常用功能TMOS V和TMOS E-场效应管
较高的雪崩能量
IDSS和VDS （ ON）指定高温
静态参数是相同的两个TMOS V和
TMOS E- FET
数据表
V
MTP3055V
摩托罗拉的首选设备
N沟道增强型硅栅
TMOS功率场效应晶体管
12安培
60伏特
RDS （ ON）= 0.15 OHM
TM
D
G
S
CASE 221A -06型5
TO–220AB
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅源电压 - 连续
栅源电压
- 不重复（ TP
≤
10毫秒）
漏电流 - 连续@ 25°C
漏电流
- 连续@ 100℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功率耗散@ 25℃
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 25伏直流电， VGS = 10 VDC ， IL = 12 APK， L = 1.0 mH的， RG = 25
)
热阻 - 结到管壳
热阻
- 结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
EAS
R
θJC
R
θJA
TL
价值
60
60
±
20
±
25
12
7.3
37
48
0.32
- 55 175
72
3.13
62.5
260
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
瓦
W / ℃，
°C
mJ
° C / W
°C
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
E- FET ，设计师和TMOS V是摩托罗拉公司的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
摩托罗拉TMOS
摩托罗拉公司1996年
功率MOSFET晶体管器件数据
1
MTP3055V
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏）
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0 ）
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
温度系数（负）
静态漏源导通电阻（ VGS = 10 VDC ， ID = 6.0 ADC ）
漏源电压（ VGS = 10 V直流）
（ID = 12 ADC）
（ID = 6.0 ADC ， TJ = 150 ° C）
正向跨导（ VDS = 7.0伏， ID = 6.0 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性（ 2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（参见图8）
（ VDS = 48伏直流电， ID = 12的ADC ，
VGS = 10 V直流）
（ VDD = 30 V直流， ID = 12的ADC ，
VGS = 10 VDC ，
RG = 9.1
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
（ IS = 12 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = 12 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
VSD
—
—
TRR
（ IS = 12 ADC ， VGS = 0伏，
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复电荷存储
内部封装电感
内部排水电感
（从接触被测螺纹的标签，模具中心）
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
LD
—
LS
—
3.5
4.5
7.5
—
—
nH
nH
ta
tb
QRR
—
—
—
—
1.0
0.91
56
40
16
0.128
1.6
—
—
—
—
—
C
ns
VDC
—
—
—
—
—
—
—
—
7.0
34
17
18
12.2
3.2
5.2
5.5
10
60
30
50
17
—
—
—
nC
ns
（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0伏，
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
410
130
25
500
180
50
pF
VGS （ TH）
2.0
—
RDS （ ON）
VDS （上）
—
—
政府飞行服务队
4.0
1.3
—
5.0
2.2
1.9
—
姆欧
—
2.7
5.4
0.10
4.0
—
0.15
VDC
毫伏/°C的
欧姆
VDC
V（ BR ） DSS
60
—
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
10
100
100
NADC
—
65
—
—
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
（参见图15）
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTP3055V
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是负责控制的。
各种开关间隔的长度（ΔT）是阻止 -
由如何快速FET输入电容可充电开采
由来自发电机的电流。
已发布的电容数据是难以用于calculat-
荷兰国际集团的兴衰，因为漏 - 栅电容变化
大大随施加电压。因此，栅极电荷数据
使用。在大多数情况下，令人满意的平均输入的估计
电流（IG （AV） ）可以从一个基本的分析来作出
的驱动电路，使得
T = Q / IG （ AV ）
在上升和下降时间间隔，当切换电阻
略去负载，V GS保持几乎恒定在已知为平
高原电压， VSGP 。因此，上升和下降时间可
来近似由下面的：
TR = Q2 X RG / （ VGG - VGSP ）
TF = Q2 X RG / VGSP
哪里
VGG =栅极驱动电压，其变化从零到VGG
RG =栅极驱动电阻
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用适当val-
在一个标准方程用于从所述电容曲线的UE
电压的变化的RC网络。该方程为：
TD （ ON） = RG西塞在[ VGG / （ VGG - VGSP ）
TD （关闭） = RG西塞在（ VGG / VGSP ）
1200
1000
C，电容（pF ）
800
600
CRSS
400
200
0
10
5
VGS
0
VDS
5
10
15
20
25
科斯
CRSS
西塞
电容（西塞）从电容曲线上读出在
校准 - 当相应于关断状态的条件的电压
culating TD（上），并读出对应于所述的电压
导通状态时，计算TD（关闭）。
在高开关速度，寄生电路元件的COM
折扇的分析。 MOSFET的源极电感
铅，内包和在所述电路布线是
共用的漏极和栅极的电流路径，产生一个
电压在这减小了栅极驱动器的电流源。
该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的是一个函数
漏极电流的灰，其数学解决方案是复杂的。
MOSFET的输出电容也复杂化了
数学。最后， MOSFET的有限的内部栅极
电阻，这有效地增加了的电阻
驱动源，但内部电阻是困难来测量
确定，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与栅电阻
tance （图9）展示了如何切换的典型表现
受寄生电路元件。如果寄生
不存在时，曲线的斜率将保持
团结的价值，无论开关速度。该电路
用于获得数据被构造为最小化共
电感在漏极和门电路的循环，并且被认为
容易实现与电路板安装的组件。最
电力电子负载是感性的;在该图中的数据是
使用电阻性负载，它近似于一个最佳取
冷落感性负载。功率MOSFET可以安全OP-
erated成一个感性负载;然而，不压井作业减少
开关损耗。
VDS = 0 V
西塞
VGS = 0 V
TJ = 25°C
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
4
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTP3055V
VGS ，栅极至源极电压（伏）
12
QT
10
8
6
4
2
Q3
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VDS
10
QT间期，总费用（ NC）
Q1
Q2
VGS
50
40
30
20
ID = 12一
10
TJ = 25°C
11
12
0
13
60
1000
VDD = 30 V
ID = 12一
VGS = 10 V
TJ = 25°C
VDS ，漏极至源极电压（伏）
T， TIME （ NS ）
100
tr
TD （关闭）
tf
TD （上）
10
1
1
10
RG ，栅极电阻（欧姆）
100
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
0.13
DIS / DT = 100 A / μs的
VDD = 25 V
TJ = 25°C
12
10
I S ，源电流（安培）
8
6
4
2
0
0.50 0.55 0.60
VGS = 0 V
TJ = 25°C
QRR ，存储电荷（
C)
0.12
0.11
0.10
0.09
0.08
0
2
4
6
8
10
12
0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95
1.0
IS ，源电流（安培）
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
图10.存储电荷
图11.二极管的正向电压与电流
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时，它是换
病房偏颇。曲线是基于最大峰值junc-
化温度为25 ℃的情况下，温度（T ） 。高峰
重复脉冲功率极限通过使用所确定的
在与程序结合使用的热响应数据
在AN569 ， “瞬态热阻，一般讨论
数据和它的使用。 “
关断状态和导通状态之间的切换可以TRA-
诗句所提供的任何负载线既不是额定峰值电流（ IDM ）
也不额定电压（ VDSS ）超标和过渡时间
（ TR ， TF ）不超过10
s.
另外，总功率平均值
年龄超过一个完整的开关周期必须不超过
（ TJ（MAX） - TC） / （r
θJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。对于可靠性
能操作，所存储的能量从电感电路显示
sipated中的晶体管，而在雪崩必须小于
额定极限和调整操作条件的不同
从这些规定。虽然行业惯例是速度
能源方面，雪崩能量功能是不是
常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加，雪崩和峰值结温
perature 。
虽然许多E-场效应管能承受漏极的压力
到源雪崩在电流高达额定脉冲电流
（ IDM ） ，能量等级在额定连续电流规定
租（ID ） ，按照行业惯例。能量额定
荷兰国际集团必须降低温度如图所示
所附的图中（图13） 。在电流最大的能量
低于额定连续编号的租金可以安全地假定
等于指定的值。
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
5
QQ：2881677436 复制
