MTP29N15E
首选设备
功率MOSFET
29安培， 150伏
N沟道TO- 220
这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。高效节能的设计也
提供了漏极 - 源极二极管具有快速的恢复时间。设计
低电压，在电源高速开关应用，
变换器和PWM电机控制。这些器件特别
非常适合桥式电路中的二极管速度和换向
安全工作领域是至关重要的，并提供了额外的安全边际
对意外的电压瞬变。
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
IDSS和VDS （ ON）指定高温
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（ TP
≤
10毫秒）
漏电流 - 连续
漏电流
- 连续@ 100℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = 25伏直流电， VGS = 10伏，峰值
IL = 29 APK， L = 1.0 mH的， RG = 25
W)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10
秒
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
EAS
价值
150
150
±20
±40
29
19
102
125
1.0
-55
150
421
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
瓦
W / ℃，
°C
mJ
2
漏
° C / W
R
θJC
R
θJA
TL
1.0
62.5
260
°C
MTP29N15E
LL
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
1
2
TO–220AB
CASE 221A
风格5
4
S
http://onsemi.com
29安培
150伏
RDS （ ON） = 70毫欧
N沟道
D
G
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
MTP29N15E
LLYWW
3
来源
3
1
门
订购信息
设备
MTP29N15E
包
TO–220AB
航运
50单位/铁
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第2版
出版订单号：
MTP29N15E/D
MTP29N15E
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 0.25 MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 150伏， VGS = 0伏）
（ VDS = 150伏， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±20
VDC ， VDS = 0伏）
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 14.5 ADC ）
漏极 - 源极导通电压
（ VGS = 10 VDC ， ID = 29 ADC ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 14.5 ADC ， TJ = 125°C ）
正向跨导（ VDS = 8.6伏， ID = 14.5 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 120伏， ID = 29的ADC ，
VGS = 10 V直流）
（ VDD = 75 VDC ， ID = 29的ADC ，
VGS = 10 VDC ，
VDC
RG = 9.1
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
（ IS = 29 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = 29 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
反向恢复时间
（ IS = 29 ADC ， VGS = 0伏，
ADC
VDC
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复存储
收费
内部封装电感
内部排水电感
（从接触被测螺纹的标签，模具中心）
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
LD
–
–
LS
–
7.5
–
3.5
4.5
–
–
nH
TRR
ta
tb
QRR
VSD
–
–
–
–
–
–
0.92
0.84
174
126
48
1.4
1.3
–
–
–
–
–
C
ns
VDC
–
–
–
–
–
–
–
–
19
95
90
85
83
12
37
23
40
190
180
170
120
–
–
–
nC
ns
（ VDS = 25 Vd的VGS = 0伏，
VDC ，
Vd
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
2300
450
130
3220
630
260
pF
VGS （ TH）
2.0
–
RDS （ ON）
–
VDS （上）
–
–
政府飞行服务队
10
–
–
20
2.4
2.1
–
姆欧
0.054
0.07
VDC
2.7
5.4
4.0
–
VDC
毫伏/°C的
欧
V（ BR ） DSS
150
–
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
10
100
100
NADC
–
151
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
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2
MTP29N15E
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（ΔT）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（IG （AV） ）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / IG （ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V GS保持几乎恒定的水平
被誉为高原电压， VSGP 。因此，上升和下降
时间可近似由下：
TR = Q2 X RG / （ VGG - VGSP ）
TF = Q2 X RG / VGSP
哪里
VGG =栅极驱动电压，其变化从零到VGG
RG =栅极驱动电阻
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
TD （ ON） = RG西塞在[ VGG / （ VGG - VGSP ）
TD （关闭） = RG西塞在（ VGG / VGSP ）
7500
VDS = 0 V VGS = 0 V
7000
6500西塞
6000
5500
5000的Crss
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
CRSS
500
0
-10
-5
0
5
VGS VDS
电容（西塞）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算TD（上），并读出对应于所述的电压
导通状态时，计算TD（关闭）。
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
西塞
科斯
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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4
MTP29N15E
VGS ，栅极至源极电压（伏）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Q3
0
10
20
30
40
50
VDS
60
70
80
90
QG ，总栅极电荷（ NC）
TJ = 25°C
ID = 29一
Q1
Q2
QT
VGS
120
100
80
60
40
20
0
1000
VDS ，漏极至源极电压（伏）
100
T， TIME （ NS ）
tf
TD （关闭）
TD （上）
tr
10
1
1
10
RG ，栅极电阻（欧姆）
100
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
的MOSFET的体二极管的开关特性
在系统中非常重要的使用它作为一个续流或
整流二极管。特别令人感兴趣的是在反向
其中在起主要作用的恢复特性
确定开关损耗，辐射噪声， EMI和RFI 。
系统的开关损耗主要是由于性质
体二极管本身。体二极管是少数载流子
设备，因此，它具有有限的反向恢复时间，反向恢复时间trr ，由于
到的少数载流子的电荷存储， QRR ，如图
图15.典型的反向恢复波形正是这种
存储的电荷，从所述二极管被清除时，通过
通过一个电位，并限定了能量损失。显然，
多次强迫通过反向恢复二极管
进一步增加了开关损耗。因此，一会
像短反向恢复时间trr与低QRR规格的二极管
尽量减少这些损失。
二极管的反向恢复的突然影响
辐射噪声，尖峰电压和电流的量
响。在工作机制是有限的不可移动
电路的寄生电感和电容作用于其
30
I S ，源电流（安培）
25
20
15
10
5
0
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
VGS = 0 V
TJ = 25°C
高di / DTS 。二极管的负TA时的di / dt是直接
由设备清除所存储的电荷来控制。
然而，结核病中的正的di / dt是一个不可控制的
二极管特性，并且通常是诱导的罪魁祸首
电流振荡。因此，比较二极管时，该
结核病比率/ TA作为复苏的良好指标
突然性，从而给出了一个估计的比较
可能产生的噪声。的1的比率被认为是理想的，并
值小于0.5被认为是活泼的。
相较于安森美半导体标准单元密度
低电压的MOSFET ，高细胞密度的MOSFET二极管
是更快（更短的TRR ） ，较少有存储电荷和柔软
的反向恢复特性。的柔软性优势
在高细胞密度二极管装置，它们可以通过被强制
反向恢复在较高的di / dt大于一个标准信元
在不增加电流振荡或MOSFET的二极管
产生的噪声。另外，功率耗散所产生
从开关二极管将不太由于较短
恢复时间和更低的开关损耗。
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与电流
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5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MTP29N15E / D
产品预览
TMOS E- FET 。
功率场效应晶体管
N沟道增强型硅栅
这种先进的TMOS E- FET的设计可承受高
能在雪崩和减刑模式。新能源
高效的设计也提供了漏极 - 源极二极管具有快速
恢复时间。专为低电压，高速开关
电源供应器，转换器和PWM电机应用
的控制，这些设备特别适合井为电桥电路
其中，二极管速度和换向安全工作区域
批判和对提供额外的意外安全边际
电压瞬变。
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
IDSS和VDS （ ON）指定高温
MTP29N15E
TMOS功率场效应晶体管
29安培
150伏
RDS （ ON）= 0.07 OHM
N沟道
D
G
S
CASE 221A -06 ，
TO–220AB
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅极 - 源极电压 - 连续
栅极 - 源极电压
- 不重复（ TP
≤
10毫秒）
漏电流 - 连续
漏电流
- 连续@ 100℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功耗
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 25伏直流电， VGS = 10伏，峰值IL = 29 APK， L = 1.0 mH的， RG = 25
W
)
热阻 - 结到管壳
热阻
- 结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
E- FET是Motorola ，Inc.的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
EAS
R
θJC
R
θJA
TL
价值
150
150
±
20
±
40
29
19
102
125
1.0
- 55 150
421
1.0
62.5
260
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
瓦
W / ℃，
°C
mJ
° C / W
°C
摩托罗拉TMOS
摩托罗拉1997年公司
功率MOSFET晶体管器件数据
1
MTP29N15E
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 0.25 MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 150伏， VGS = 0伏）
（ VDS = 150伏， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0伏）
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 14.5 ADC ）
漏极 - 源极导通电压
（ VGS = 10 VDC ， ID = 29 ADC ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 14.5 ADC ， TJ = 125°C ）
正向跨导（ VDS = 8.6伏， ID = 14.5 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(
（ VDS = 120伏， ID = 29的ADC ，
VD，
广告，
VGS = 10 V直流）
VDC ，
（ VDD = 75 Vd的ID = 29的ADC ，
Ad
VGS = 10伏直流
VDC ，
RG = 9.1
)
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
（ IS = 29 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = 29 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
反向恢复时间
(
（ IS = 29 ADC ， VGS = 0伏，
广告，
VD，
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复电荷存储
内部封装电感
内部排水电感
（从接触被测螺纹的标签，模具中心）
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
LD
—
—
LS
—
7.5
—
3.5
4.5
—
—
nH
TRR
ta
tb
QRR
VSD
—
—
—
—
—
—
0.92
待定
174
140
34
1.4
1.3
—
—
—
—
—
C
ns
VDC
—
—
—
—
—
—
—
—
17.5
108
90
85
78
12
37
23
40
220
180
170
110
—
—
—
nC
ns
（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0伏，
VDC
VDC
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
2250
455
133
3150
910
190
pF
VGS （ TH）
2.0
—
RDS （ ON）
—
VDS （上）
—
—
政府飞行服务队
10
—
—
18
2.4
2.1
—
姆欧
0.055
0.07
VDC
2.7
待定
4.0
—
VDC
毫伏/°C的
欧
V（ BR ） DSS
150
—
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
10
100
100
NADC
—
待定
—
—
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTP29N15E
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ，科罗拉多州丹佛市80217. 1-303-675-2140或1-800-441-2447
以客户为中心中心： 1-800-521-6274
M传真 ：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键1-602-244-6609
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
摩托罗拉传真返回系统
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
- http://sps.motorola.com/mfax/
主页：
http://motorola.com/sps/
日本：
日本摩托罗拉有限公司： SPD ，战略规划办公室， 4-32-1 ，
西五反田，品川区，东京141 ，日本。 81-3-5487-8488
4
摩托罗拉TMOS功率MOSFET晶体管
MTP29N15E/D
设备数据
QQ：2880707522 复制
