CYStech电子股份有限公司
P沟道增强型功率MOSFET
规格。编号: C394N6
发行日期: 2007年12月28日
修订日期:
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MTP2603N6
描述
该MTP2603N6是一个P沟道增强型MOSFET ,可提供设计具有最佳
结合快速开关,坚固耐用的设备设计,低导通电阻和成本效益。
采用SOT -26封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用。
特点
简单的驱动要求
低导通电阻
封装尺寸小
无铅封装
等效电路
MTP2603N6
G:门
S:源
D:漏
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@T
A
=25
°C
连续漏电流@T
A
=70
°C
漏电流脉冲
(注2,3)
符号
V
DS
V
GS
(注1 )
(注1 )
范围
-20
±12
-5
-4
-20
2
0.016
-55~+150
62.5
单位
V
V
A
A
A
W
W /
°C
°C
° C / W
I
D
I
D
I
DM
Pd
TJ , TSTG
RTH , JA
总功率耗散@ T
A
=25
°C
线性降额因子
工作结温贮藏温度范围
热阻,结到环境
(注1 )
注: 1.Surface安装在1平方英寸的FR - 4电路板的铜焊盘。 156
℃
/安装在最小的铜垫当W 。
2.Pulse宽度有限的最高结温。
3.Pulse宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 %
MTP2603N6
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
SOT- 26 DIMENSION
A
D
d1
6
d2
5
4
风格:
PIN 1.排放
2.引脚漏
引脚3门
销4.源
5.引脚漏
6.引脚漏
规格。编号: C394N6
发行日期: 2007年12月28日
修订日期:
页页次: 5/5
标记:
B C
3
E
1
2
(D)
(D)
(G)
(S)
(D)
(D)
设备名称
日期代码
2603
□□□□
I
F
G
H
J
K
L
6引脚SOT- 26塑料
表面贴装封装
CYStek包装代码: N6
暗淡
A
B
C
D
d1
d2
E
英寸
分钟。
马克斯。
0.1063
0.1220
0.1024
0.1181
0.0551
0.0709
参考0.0748
0.0374参考
0.0374参考
0.0118
0.0217
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
1.90 REF
0.95 REF
0.95 REF
0.30
0.55
暗淡
F
G
H
I
J
K
L
英寸
分钟。
马克斯。
0.0472 REF
0
0.0039
-
0.0079
0.0047 REF
0.0146 REF
0.0236 REF
0°
10°
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
1.20 REF
0
0.10
-
0.20
0.12 REF
0.37 REF
0.60 REF
0°
10°
注意事项:
1.Controlling尺寸:毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问,请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质:
模塑料:环氧树脂系列,可燃性固体燃烧等级: UL94V- 0
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品,恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
MTP2603N6
CYStek产品规格