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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1330页 > MTP12P10
MTP12P10
首选设备
功率MOSFET
12安培， 100伏
P沟道TO- 220
这种功率MOSFET是专为中压，高速
功率开关应用，如开关稳压器，转换器，
电磁阀和继电器驱动器。
特点
http://onsemi.com
硅栅的快速开关速度 - 开关时间指定
在100℃下
设计师的数据 - 我
DSS
, V
DS （ ON）
, V
GS （ TH）
与SOA指定
高温
坚固耐用 - SOA是功耗有限公司
源极到漏极二极管的特点是用感性负载
无铅包装是可用*
12安培， 100伏特
R
DS （ ON）
= 300毫瓦
P- CHANNEL
D
G
S
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅源电压
- 连续
- 不重复（T
p
≤
50
女士）
漏电流 - 连续
漏电流
- 脉冲
总功耗
减免上述25℃
工作和存储温度范围
热阻
- 结到外壳
- 结到环境°
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
QJC
R
qJA
T
L
价值
100
100
±
20
±
40
12
28
75
0.6
-65到150
1.67
62.5
260
°C
MTP12P10
A
Y
WW
G
单位
VDC
VDC
4
VDC
VPK
ADC
W
W / ℃，
°C
° C / W
1
2
3
1
门
2
漏
3
来源
TO220AB
CASE 221A
风格5
MTP12P10G
AYWW
标记图
和引脚分配
4
漏
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
MTP12P10
MTP12P10G
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年6月 - 第4版
出版订单号：
MTP12P10/D
MTP12P10
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅极电压漏极电流
(V
DS
=额定V
DSS
, V
GS
= 0)
(V
DS
=额定V
DSS
, V
GS
= 0, T
J
= 125°C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0 mA）的
T
J
= 100°C
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 6.0 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 V)
(I
D
= 12 ADC）
(I
D
= 6.0 ADC ，T
J
= 100°C)
正向跨导（V
DS
= 15 V，I
D
= 6.0 A)
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注1 ） （T
J
= 100°C)
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管的特性
（注1 ）
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
内部封装电感（ TO- 204 ）
内漏电感， （从头部接触的螺旋测接近
源极引脚和模具中心）
内部源极电感
（从源极引脚测得0.25 “从包
到源极焊盘）
内部封装电感（ TO- 220 ）
内部排水电感
（从接触测量螺丝上标签，模具中心）
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
L
d
3.5 （典型值）
4.5 （典型值）
L
s
7.5 （典型值）
nH
L
d
L
s
5.0 （典型值）
12.5
（典型值）
nH
(I
S
=额定我
D
, V
GS
= 0)
V
SD
t
on
t
rr
4.0 （典型值）
5.5
VDC
(V
DS
= 0.8 V额定
DSS
, I
D
=额定我
D
, V
GS
= 10 V)
见图11
(V
DD
= 25 V，I
D
= 0.5额定我
D
, R
G
= 50
W)
请参阅图12和13
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
33 （典型值）
16 （典型值）
17 （典型值）
50
150
150
150
50
nC
ns
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
见图10
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
920
575
200
pF
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
2.0
4.2
3.8
姆欧
2.0
1.5
4.5
4.0
0.3
VDC
W
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
10
100
100
100
NADC
NADC
100
VDC
MADC
符号
民
最大
单位
由杂散电感限制
300
（典型值）
ns
http://onsemi.com
2
MTP12P10
典型电气特性
VGS （ th）时，栅极阈值电压（标准化）
20
18
-I D，漏极电流（ AMPS ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
V
GS
= 20 V
T
J
= 25°C
10 V
1.2
V
DS
= V
GS
I
D
= 1毫安
1.1
8V
7V
1
0.9
6V
5V
0.8
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
9
10
50
25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
图1.区域特征
VBR （ DSS ） ，漏极至源极击穿电压
（归一化）
图2.栅极阈值电压变化
随温度
2
V
GS
= 0
I
D
= 0.25毫安
20
25°C
T
J
= 55°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
16
100°C
1.6
12
1.2
8
V
DS
= 20 V
0.8
4
0.4
0
0
4
8
12
16
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
0
50
75
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
图3.传输特性
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
图4.归一化击穿电压
与温度的关系
RDS （ ON） ，漏极 - 源极电阻
（归一化）
0.5
V
GS
= 15 V
0.4
T
J
= 100°C
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
0.3
25°C
0.2
55°C
0.1
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
，结温（ ° C）
图5.导通电阻与漏电流
图6.导通电阻变化
随温度
http://onsemi.com
3
MTP12P10
安全工作区信息
50
10
ms
I D ，漏极电流（ AMPS ）
I D ，漏极电流（ AMPS ）
1毫秒
10毫秒
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
1
dc
0.1毫秒
40
10
30
20
MTM/MTP12P06
MTM/MTP12P06
R
DS （ ON）
极限
套餐限制
热极限MTM / MTP12P10
10
1
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
10
0
0
10
MTM/MTP12P10
30
50
70
20
40
60
80
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
90
100
图7.最大额定正向偏置
安全工作区
正向偏置安全工作区
图8.最大额定开关
安全工作区
开关安全工作区
该FBSOA曲线定义最大漏 - 源
电压和漏电流的设备可以安全地处理
当正向偏置时，或当它打开时，或处于关闭
上。因为这些曲线包括的局限性
同步高电压和高电流，上升到额定值
该装置的，它们是线性的设计师特别有用
系统。该曲线是基于25 ℃的情况下，温度
和150 ℃的最大结温。限制
对于重复脉冲在不同情况下的温度可
通过使用热响应曲线确定。 ON
半导体应用笔记， AN569 ， “瞬间
热电阻，一般数据及其应用“提供
的详细说明。
图8中的开关的安全操作区（SOA ）是
边界，该负载线可以穿过，而不会产生
损坏到MOSFET 。最根本的限制是
峰值电流，I
DM
和击穿电压V
（ BR ） DSS
.
在图8中所示的开关SOA是适用于两个
导通和关断器件的切换次数少
比一微秒。
电源平均一个完整的开关周期
必须小于：
T
J（下最大）
T
C
R
QJC
1
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05
0.03
0.02
单脉冲
0.01
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
0.01
0.02
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
2
5
吨，时间（ ms）的
10
20
P
（ PK）
R
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.67 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
50
100
200
500
1000
D = 0.5
0.2
图9.热响应
http://onsemi.com
4
MTP12P10
1600
VGS ，门源极电压（伏）
T
C
= 25°C
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
C
国际空间站
800
C
OSS
400
C
RSS
0
0
30
20
V
DS
，源极到漏极电压（伏）
10
40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
80 V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 30 V
50 V
T
J
= 25°C
I
D
= 12 A
C，电容（pF ）
1200
图10.电容变化
图11.栅极电荷与
栅极 - 源极电压
电阻开关
V
DD
t
on
R
L
V
OUT
V
in
脉冲发生器
R
根
50
W
z = 50
W
50
W
输入，V
in
50%
10%
脉冲宽度
DUT
输出，V
OUT
10%
90%
50%
t
D（上）
t
r
90%
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
90%
倒
图12.开关测试电路
图13.开关波形
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5
摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
订购此文件
通过MTP12P10 / D
功率场效应晶体管
这TMOS功率场效应管是专为中等电压，高
高速功率开关应用，如开关稳压器，
器，电磁阀和继电器驱动器。
硅栅的快速开关速度 - 开关时间
规定在100℃下
设计师的数据 - 智能决策支持系统， VDS （ ON） ， VGS （ TH）和SOA指定
高温
坚固耐用 - SOA是功耗有限公司
源极到漏极二极管的特点是用感性负载
数据表
MTP12P10
TMOS功率场效应晶体管
12安培
100伏
RDS （ ON）= 0.3 OHM
P沟道增强型硅栅
D
G
S
CASE 221A -06型5
TO–220AB
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅源电压 - 连续
栅源电压
- 不重复（ TP
≤
50
s)
漏电流 - 连续
漏电流
- 脉冲
总功耗
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
价值
100
100
±
20
±
40
12
28
75
0.6
- 65 150
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
瓦
W / ℃，
°C
热特性
热阻 - 结到管壳
热阻
- 结到环境°
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
R
θJC
R
θJA
TL
1.67
62.5
260
° C / W
°C
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
设计师的是Motorola，Inc.的商标。
REV 1
摩托罗拉TMOS
摩托罗拉公司1996年
功率MOSFET晶体管器件数据
1
MTP12P10
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
（VGS = 0时， ID = 0.25 mA）的
零栅极电压漏极电流
（ VDS =额定VDSS ， VGS = 0 ）
（ VDS =额定VDSS ， VGS = 0 ， TJ = 125°C ）
门体漏电流，正向（ VGSF = 20伏直流电， VDS = 0 ）
门体漏电流，反向（ VGSR = 20伏直流电， VDS = 0 ）
基本特征*
栅极阈值电压（ VDS = VGS ， ID = 1.0 mA）的
TJ = 100℃
静态漏源导通电阻（ VGS = 10 VDC ， ID = 6.0 ADC ）
漏源电压（ VGS = 10V）
（ID = 12 ADC）
（ID = 6.0 ADC ， TJ = 100 ° C）
正向跨导（ VDS = 15V， ID = 6.0 A）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性*
（ TJ = 100 ° C）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
（ VDS = 0.8额定VDSS ，
ID =额定ID ， VGS = 10V）
见图11
（ VDD = 25 V ， ID = 0.5额定ID ，
RG = 50
)
请参阅图12和13
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
—
—
—
—
33 （典型值）
16 （典型值）
17 （典型值）
50
150
150
150
50
—
—
nC
ns
（ VDS = 25 V ， VGS = 0 ，
F = 1.0兆赫）
见图10
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
920
575
200
pF
VGS （ TH）
RDS （ ON）
VDS （上）
—
—
政府飞行服务队
2.0
4.2
3.8
—
姆欧
2.0
1.5
—
4.5
4.0
0.3
VDC
欧姆
VDC
V（ BR ） DSS
IDSS
—
—
IGSSF
IGSSR
—
—
10
100
100
100
NADC
NADC
100
—
VDC
μAdc
符号
民
最大
单位
源极 - 漏极二极管的特性*
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
内部封装电感（ TO- 204 ）
内部排水电感
（从接触螺钉上测量头更靠近
到源极引脚和模具中心）
内部源极电感
（从源极引脚测得0.25 “从包
到源极焊盘）
内部封装电感（ TO- 220 ）
内部排水电感
（从接触测量螺丝上标签，模具中心）
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
Ld
3.5 （典型值）
4.5 （典型值）
Ls
7.5 （典型值）
—
—
—
nH
Ld
5.0 （典型值）
—
nH
（ IS =额定ID ，
VGS = 0）
VSD
吨
TRR
4.0 （典型值）
5.5
VDC
由杂散电感限制
300 （典型值）
—
ns
Ls
12.5 （典型值）
—
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTP12P10
典型电气特性
VGS （ th）时，栅极阈值电压（标准化）
20
18
-I D，漏极电流（ AMPS ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
VGS = -20 V
TJ = 25°C
1.2
VDS = VGS
ID = 1毫安
10 V
1.1
8V
7V
1
0.9
6V
5V
0.8
3
4
5
6
7
8
9
-VDS ，漏极至源极电压（伏）
2
10
–50
–25
0
25
50
75
100
TJ ，结温（ ° C）
125
150
图1.区域特征
VBR （ DSS ） ，漏极至源极击穿电压
（归一化）
图2.栅极阈值电压变化
随温度
20
25°C
TJ = -55°C
2
VGS = 0
ID = 0.25毫安
I D ，漏极电流（ AMPS ）
16
1.6
100°C
12
1.2
8
VDS = 20 V
0.8
4
0.4
0
0
8
12
16
VGS ，栅极至源极电压（伏）
4
20
0
–50
–75
0
25
50
75
100
125
150
TJ ，结温（ ° C）
图3.传输特性
图4.归一化击穿电压
与温度的关系
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
VGS = 15 V
0.4
RDS （ ON） ，漏极 - 源极电阻
（归一化）
0.5
TJ = 100℃
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
VGS = 10 V
ID = 6的
0.3
25°C
0.2
–55°C
0.1
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
ID ，漏极电流（ AMPS ）
TJ ，结温（ ° C）
图5.导通电阻与漏电流
图6.导通电阻变化
随温度
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
3
MTP12P10
安全工作区信息
50
10
s
I D ，漏极电流（ AMPS ）
I D ，漏极电流（ AMPS ）
1毫秒
10毫秒
VGS = 20 V
单脉冲
TC = 25°C
1
dc
0.1毫秒
40
10
30
20
MTM/MTP12P06
MTM/MTP12P06
RDS （ ON）限制
套餐限制
热极限MTM / MTP12P10
10
1
100
VDS ，漏极至源极电压（伏）
10
0
0
10
MTM/MTP12P10
30
50
70
20
40
60
80
VDS ，漏极至源极电压（伏）
90
100
图7.最大额定正向偏置
安全工作区
图8.最大额定开关
安全工作区
正向偏置安全工作区
该FBSOA曲线定义最大漏 - 源
电压和漏电流的设备可以安全地处理
当正向偏置时，或当它开启时，或者被接通。
由于这些曲线包括同时限制
高电压和高电流，达到器件的评价，
它们是线性系统的设计者特别有用。该
曲线是基于在25℃和一个最强的情况下
为150℃的妈妈结温。对于重复性的限制
在不同情况下的温度脉冲可由下式确定
使用的热响应曲线。摩托罗拉应用
请注意， AN569 ， “瞬态热阻 - 通用数据
及其应用“提供了详细的说明。
开关安全工作区
图8中的开关的安全操作区（SOA ）是
边界，该负载线可以穿过，而不会产生
损坏到MOSFET 。最根本的限制是
峰值电流， IDM和击穿电压V （ BR ） DSS 。该
开关，如图8所示的SOA是适用于两个开启
通和关断的器件，用于切换小于倍
一微秒。
电源平均一个完整的开关周期必须
小于：
TJ（MAX） - TC
R
θJC
1
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05
0.03
0.02
单脉冲
0.01
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
0.01
0.02
t2
占空比D = T1 / T2
2
5
吨，时间（ ms）的
10
20
t1
P（ PK）
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.67 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
50
100
200
500
1000
D = 0.5
0.2
图9.热响应
4
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTP12P10
1600
VGS ，门源极电压（伏）
TC = 25°C
VGS = 0
F = 1 MHz的
西塞
800
科斯
CRSS
0
0
30
20
VDS ，源极到漏极电压（伏）
10
40
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–14
–16
80 V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
QG ，总栅极电荷（ NC）
VDS = 30 V
50 V
TJ = 25°C
ID = 12一
C，电容（pF ）
1200
400
图10.电容变化
图11.栅极电荷与
栅极 - 源极电压
电阻开关
VDD
吨
RL
VOUT
VIN
脉冲发生器
RGEN
50
z = 50
50
输入，输入电压
50%
10%
脉冲宽度
DUT
输出时，VOUT
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
花花公子
tf
90%
10%
90%
50%
倒
图12.开关测试电路
图13.开关波形
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
5
摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
订购此文件
通过MTP12P10 / D
功率场效应晶体管
这TMOS功率场效应管是专为中等电压，高
高速功率开关应用，如开关稳压器，
器，电磁阀和继电器驱动器。
硅栅的快速开关速度 - 开关时间
规定在100℃下
设计师的数据 - 智能决策支持系统， VDS （ ON） ， VGS （ TH）和SOA指定
高温
坚固耐用 - SOA是功耗有限公司
源极到漏极二极管的特点是用感性负载
数据表
MTP12P10
TMOS功率场效应晶体管
12安培
100伏
RDS （ ON）= 0.3 OHM
P沟道增强型硅栅
D
G
S
CASE 221A -06型5
TO–220AB
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅源电压 - 连续
栅源电压
- 不重复（ TP
≤
50
s)
漏电流 - 连续
漏电流
- 脉冲
总功耗
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
价值
100
100
±
20
±
40
12
28
75
0.6
- 65 150
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
瓦
W / ℃，
°C
热特性
热阻 - 结到管壳
热阻
- 结到环境°
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
R
θJC
R
θJA
TL
1.67
62.5
260
° C / W
°C
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
设计师的是Motorola，Inc.的商标。
REV 1
摩托罗拉TMOS
摩托罗拉公司1996年
功率MOSFET晶体管器件数据
1
MTP12P10
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
（VGS = 0时， ID = 0.25 mA）的
零栅极电压漏极电流
（ VDS =额定VDSS ， VGS = 0 ）
（ VDS =额定VDSS ， VGS = 0 ， TJ = 125°C ）
门体漏电流，正向（ VGSF = 20伏直流电， VDS = 0 ）
门体漏电流，反向（ VGSR = 20伏直流电， VDS = 0 ）
基本特征*
栅极阈值电压（ VDS = VGS ， ID = 1.0 mA）的
TJ = 100℃
静态漏源导通电阻（ VGS = 10 VDC ， ID = 6.0 ADC ）
漏源电压（ VGS = 10V）
（ID = 12 ADC）
（ID = 6.0 ADC ， TJ = 100 ° C）
正向跨导（ VDS = 15V， ID = 6.0 A）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性*
（ TJ = 100 ° C）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
（ VDS = 0.8额定VDSS ，
ID =额定ID ， VGS = 10V）
见图11
（ VDD = 25 V ， ID = 0.5额定ID ，
RG = 50
)
请参阅图12和13
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
—
—
—
—
33 （典型值）
16 （典型值）
17 （典型值）
50
150
150
150
50
—
—
nC
ns
（ VDS = 25 V ， VGS = 0 ，
F = 1.0兆赫）
见图10
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
920
575
200
pF
VGS （ TH）
RDS （ ON）
VDS （上）
—
—
政府飞行服务队
2.0
4.2
3.8
—
姆欧
2.0
1.5
—
4.5
4.0
0.3
VDC
欧姆
VDC
V（ BR ） DSS
IDSS
—
—
IGSSF
IGSSR
—
—
10
100
100
100
NADC
NADC
100
—
VDC
μAdc
符号
民
最大
单位
源极 - 漏极二极管的特性*
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
内部封装电感（ TO- 204 ）
内部排水电感
（从接触螺钉上测量头更靠近
到源极引脚和模具中心）
内部源极电感
（从源极引脚测得0.25 “从包
到源极焊盘）
内部封装电感（ TO- 220 ）
内部排水电感
（从接触测量螺丝上标签，模具中心）
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
Ld
3.5 （典型值）
4.5 （典型值）
Ls
7.5 （典型值）
—
—
—
nH
Ld
5.0 （典型值）
—
nH
（ IS =额定ID ，
VGS = 0）
VSD
吨
TRR
4.0 （典型值）
5.5
VDC
由杂散电感限制
300 （典型值）
—
ns
Ls
12.5 （典型值）
—
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTP12P10
典型电气特性
VGS （ th）时，栅极阈值电压（标准化）
20
18
-I D，漏极电流（ AMPS ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
VGS = -20 V
TJ = 25°C
1.2
VDS = VGS
ID = 1毫安
10 V
1.1
8V
7V
1
0.9
6V
5V
0.8
3
4
5
6
7
8
9
-VDS ，漏极至源极电压（伏）
2
10
–50
–25
0
25
50
75
100
TJ ，结温（ ° C）
125
150
图1.区域特征
VBR （ DSS ） ，漏极至源极击穿电压
（归一化）
图2.栅极阈值电压变化
随温度
20
25°C
TJ = -55°C
2
VGS = 0
ID = 0.25毫安
I D ，漏极电流（ AMPS ）
16
1.6
100°C
12
1.2
8
VDS = 20 V
0.8
4
0.4
0
0
8
12
16
VGS ，栅极至源极电压（伏）
4
20
0
–50
–75
0
25
50
75
100
125
150
TJ ，结温（ ° C）
图3.传输特性
图4.归一化击穿电压
与温度的关系
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
VGS = 15 V
0.4
RDS （ ON） ，漏极 - 源极电阻
（归一化）
0.5
TJ = 100℃
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
VGS = 10 V
ID = 6的
0.3
25°C
0.2
–55°C
0.1
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
ID ，漏极电流（ AMPS ）
TJ ，结温（ ° C）
图5.导通电阻与漏电流
图6.导通电阻变化
随温度
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
3
MTP12P10
安全工作区信息
50
10
s
I D ，漏极电流（ AMPS ）
I D ，漏极电流（ AMPS ）
1毫秒
10毫秒
VGS = 20 V
单脉冲
TC = 25°C
1
dc
0.1毫秒
40
10
30
20
MTM/MTP12P06
MTM/MTP12P06
RDS （ ON）限制
套餐限制
热极限MTM / MTP12P10
10
1
100
VDS ，漏极至源极电压（伏）
10
0
0
10
MTM/MTP12P10
30
50
70
20
40
60
80
VDS ，漏极至源极电压（伏）
90
100
图7.最大额定正向偏置
安全工作区
图8.最大额定开关
安全工作区
正向偏置安全工作区
该FBSOA曲线定义最大漏 - 源
电压和漏电流的设备可以安全地处理
当正向偏置时，或当它开启时，或者被接通。
由于这些曲线包括同时限制
高电压和高电流，达到器件的评价，
它们是线性系统的设计者特别有用。该
曲线是基于在25℃和一个最强的情况下
为150℃的妈妈结温。对于重复性的限制
在不同情况下的温度脉冲可由下式确定
使用的热响应曲线。摩托罗拉应用
请注意， AN569 ， “瞬态热阻 - 通用数据
及其应用“提供了详细的说明。
开关安全工作区
图8中的开关的安全操作区（SOA ）是
边界，该负载线可以穿过，而不会产生
损坏到MOSFET 。最根本的限制是
峰值电流， IDM和击穿电压V （ BR ） DSS 。该
开关，如图8所示的SOA是适用于两个开启
通和关断的器件，用于切换小于倍
一微秒。
电源平均一个完整的开关周期必须
小于：
TJ（MAX） - TC
R
θJC
1
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05
0.03
0.02
单脉冲
0.01
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
0.01
0.02
t2
占空比D = T1 / T2
2
5
吨，时间（ ms）的
10
20
t1
P（ PK）
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.67 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
50
100
200
500
1000
D = 0.5
0.2
图9.热响应
4
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTP12P10
1600
VGS ，门源极电压（伏）
TC = 25°C
VGS = 0
F = 1 MHz的
西塞
800
科斯
CRSS
0
0
30
20
VDS ，源极到漏极电压（伏）
10
40
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–14
–16
80 V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
QG ，总栅极电荷（ NC）
VDS = 30 V
50 V
TJ = 25°C
ID = 12一
C，电容（pF ）
1200
400
图10.电容变化
图11.栅极电荷与
栅极 - 源极电压
电阻开关
VDD
吨
RL
VOUT
VIN
脉冲发生器
RGEN
50
z = 50
50
输入，输入电压
50%
10%
脉冲宽度
DUT
输出时，VOUT
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
花花公子
tf
90%
10%
90%
50%
倒
图12.开关测试电路
图13.开关波形
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
5
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MC12U064HACA-0QC00
M38035F1L-XXXSP
MAX6480BL20AD3-T
MH4S64CBMD-15
M38226EBHGP
MS2B
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