CYStech电子股份有限公司
N沟道MOSFET
规格。编号： C325N3
发行日期： 2002.12.18
修订日期： 2005年1月7日
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MTN7002N3
描述
该MTN7002N3是一个N沟道增强型MOSFET 。
无铅封装
符号
MTN7002N3
概要
SOT-23
D
G：门
S：源
D：漏
G
S
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=1M)
栅源电压
连续漏电流（T
a
=25°C)
连续漏电流（T
a
=100°C)
漏电流脉冲（T
a
=25°C)
总功率耗散（T
a
=25°C)
总功率耗散（T
c
=25°C)
工作结温
储存温度
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
焊接温度， 10秒焊接
* 2 。脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤2%
MTN7002N3
CYStek产品规格
符号
BV
DSS
BV
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
Tj
TSTG
RTH ， JA
RTH ， JC
T
L
范围
60
60
±40
200
115
800
200
500
-55~+150
-55~+150
625
250
240
*1
*1
*2
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
注： * 1 。封装的功耗，可能会导致在连续的漏极电流
CYStech电子股份有限公司
电气特性
(Ta=25°C)
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS /女
I
GSS / R
I
DSS
I
D（上）
V
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
60
1
-
-
-
500
-
-
-
-
80
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
2.5
100
-100
1
-
0.375
3.75
7.5
7.5
-
50
25
5
单位
V
V
nA
nA
A
mA
V
V
mS
pF
规格。编号： C325N3
发行日期： 2002.12.18
修订日期： 2005年1月7日
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测试条件
V
GS
=0, I
D
=10A
V
DS
= 2.5V ，我
D
=0.25mA
V
GS
=+20V, V
DS
=0
V
GS
=-20V, V
DS
=0
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
>2V
DS （ ON）
, V
GS
=10V
I
D
= 50mA时V
GS
=5V
I
D
= 500毫安，V
GS
=10V
I
D
= 50mA时V
GS
=5V
I
D
= 500毫安，V
GS
=10V
V
DS
>2V
DS （ ON）
, I
D
=200mA
V
DS
=25V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380s,
值班Cycle≤2 ％
特性曲线
典型的输出及特征
1.4
1.2
漏极电流ID --- （A ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
漏源--- VDS （ V）
VGS=4V
VGS=8V
漏极电流ID --- （A ）
TYTICAL传输特性
1.4
1.2
VGS=5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
GAT E- SOURCE VOLT AGE --- VGS （ V）
MTN7002N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
ST AT IC漏源 - ST达E
RESIST ANCE VS漏极电流
4.0
静态漏源导通状态
---电阻RDS （ ON） （欧姆）
规格。编号： C325N3
发行日期： 2002.12.18
修订日期： 2005年1月7日
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静态漏源导通电阻
VS栅源VOLTSAGE
10
静态漏源导通状态
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
漏极电流ID --- （A ）
VGS=10V
VGS=5V
9
---电阻RDS （ ON） （欧姆）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
GAT E- SOURCE VOLT AGE --- VGS （ V）
ID=57.5m
A
ID=115mA
正向传递ADM ITTANCE
VS漏电流
1000
正向转移导纳---
GFS （毫秒）
反向漏电流VS源 -
漏极电压
1.00
VGS=10V
100
反向漏电流---印尼盾（ A）
脉冲
0.10
VGS=10V
VGS=0V
10
1
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00
0.50
1.00
1.50
漏极电流ID --- （A ）
SWIT CHING
1000
CHARACT ERIST ICS
源极 - 漏极VOLT AGE --- VSD （ V）
功率降额曲线
0.25
功耗--- PD （ W）
0.1
1
Tf
开关时间--- （ NS ）
0.2
0.15
0.1
0.05
0
100
吨D（关闭）
吨D（上）
10
Tr
1
0.001
0.01
0
50
100
150
200
漏极电流ID --- （A ）
环境温度--- TA （ ℃ ）
MTN7002N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
SOT- 23外形尺寸
规格。编号： C325N3
发行日期： 2002.12.18
修订日期： 2005年1月7日
页页次： 4/4
A
L
3
B
1
2
S
标记：
TE
702
V
G
3引脚SOT- 23塑料
表面贴装封装
CYStek包装代码： N3
类型：Pin 1.Gate 2.Source 3.Drain
C
D
K
H
J
* ：典型
暗淡
A
B
C
D
G
H
英寸
分钟。
马克斯。
0.1102 0.1204
0.0472 0.0630
0.0335 0.0512
0.0118 0.0197
0.0669 0.0910
0.0005 0.0040
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
2.80
3.04
1.20
1.60
0.89
1.30
0.30
0.50
1.70
2.30
0.013
0.10
暗淡
J
K
L
S
V
英寸
分钟。
马克斯。
0.0034 0.0070
0.0128 0.0266
0.0335 0.0453
0.0830 0.1083
0.0098 0.0256
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.085
0.177
0.32
0.67
0.85
1.15
2.10
2.75
0.25
0.65
注意事项：
1.Controlling尺寸：毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问，请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质：
导语： 42合金;镀锡
模塑料：环氧树脂系列，可燃性固体燃烧等级： UL94V- 0
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品，恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
MTN7002N3
CYStek产品规格
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