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CYStech电子股份有限公司
N沟道增强型功率MOSFET
规格。编号： C383Q8
发行日期： 2007年6月14日
修订日期：
页页次： 1/6
MTN6680Q8
描述
该MTN6680Q8是一个N沟道增强型MOSFET ，可提供设计具有最佳
结合快速开关，坚固耐用的设备设计，低导通电阻和成本效益。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用
和适合于低电压应用，如DC / DC转换器。
特点
单驱动要求
低导通电阻
快速开关特性
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
无铅封装
符号
MTN6680Q8
概要
SOP-8
G：门
D：漏
S：源
MTN6680Q8
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
规格。编号： C383Q8
发行日期： 2007年6月14日
修订日期：
页页次： 2/6
范围
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@V
GS
= 10V ，T
A
=25°C
连续漏电流@V
GS
= 10V ，T
A
=70°C
漏电流脉冲
总功耗
线性降额因子
热阻，结到环境，最大
工作结温和存储温度
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
R
次，J -一
TJ ， TSTG
30
±20
11.5 *1
9.5 *1
50 *2
2.5
0.02
50 *1
-55~+150
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
° C / W
°C
注： 1.表面安装在1平方英寸的铜垫FR- 4电路板，安装在最小的铜垫，当125 ° C / W 。
2.脉冲宽度有限的最高结温
特性（环境温度为25 ℃，除非另有规定）
符号
分钟。
典型值。
-
0.02
-
30
-
-
-
-
-
16.8
4.2
8
8.9
7.3
25.6
18.6
1450
285
180
-
-
马克斯。
-
-
3.0
-
±
100
1
25
11
18
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.3
1.92
单位
V
V /°C的
V
S
nA
μA
μA
m
Ω
m
Ω
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250μA
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
V
DS
= 15V ，我
D
=11.5A
V
GS
=
±
20
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
= 0 ， TJ = 70℃
V
GS
= 10V ，我
D
=11.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=9.5A
STATIC
BV
DSS
30
ΔBV
DSS
/ ΔTJ
-
V
GS （ TH）
1.0
G
FS
-
I
GSS
-
I
DSS
-
I
DSS
-
*R
DS （ ON）
-
*R
DS （ ON）
-
动态
* QG
-
* QGS
-
*的Qgd
-
*t
D（上）
-
* TR
-
*t
D（关闭）
-
*t
f
-
西塞
-
科斯
-
CRSS
-
源极 - 漏极二极管
*V
SD
-
*I
S
-
nC
I
D
= 11.5A ，V
DS
=15V, V
GS
=5V
V
DS
= 15V ，我
D
= 1A ，V
GS
=10V,
R
G
=5.5
Ω
, R
D
=10
Ω
ns
pF
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
A
I
S
= 3.5A ，V
GS
=0V
V
D
=V
G
=0, V
S
=1.3V
*脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 ％
MTN6680Q8
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线
规格。编号： C383Q8
发行日期： 2007年6月14日
修订日期：
页页次： 3/6
MTN6680Q8
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线（续）
规格。编号： C383Q8
发行日期： 2007年6月14日
修订日期：
页页次： 4/6
MTN6680Q8
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线（续）
规格。编号： C383Q8
发行日期： 2007年6月14日
修订日期：
页页次： 5/6
MTN6680Q8
CYStek产品规格
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厂家
批号
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封装
单价/备注
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