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CYStech电子股份有限公司
30V N沟道增强型MOSFET
规格。编号: C427N3
发行日期: 2008.05.16
修订日期:
页页次: 1/7
MTN3K14N3
特点
V
DS
=30V
R
DS ( ON)
=39m
Ω
@V
GS
= 10V ,我
D
=2A
R
DS ( ON)
=57m
Ω
@V
GS
= 4.5V ,我
D
=2A
低导通电阻
高速:吨= 24ns , TOFF = 19ns (典型值) (典型值)。
无铅封装
等效电路
MTN3K14N3
概要
SOT-23
D
G:门
S:源
D:漏
S
G
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
热阻,结到环境
工作结温和存储温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
日,J -A
TJ , TSTG
范围
30
±20
4
(注1 )
8
(注2 & 3)
1.38
0.01
90
(注1 )
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
W
W / ℃,
° C / W
°C
注: 1.表面安装在1平方英寸FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候270 ° C / W 。铜垫
2.脉冲宽度有限的最高结温
3.脉冲width≤300μs ,值班cycle≤2 %
MTN3K14N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
规格。编号: C427N3
发行日期: 2008.05.16
修订日期:
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电气特性(环境温度为25 ℃,除非另有规定)
符号
STATIC
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
*R
DS ( ON)
*G
FS
动态
西塞
科斯
CRSS
*t
D(上)
*t
r
*t
D(关闭)
*t
f
* QG
源极 - 漏极二极管
*V
SD
分钟。
30
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
6.4
460
62
106
24
15
19
6
5.0
-
马克斯。
-
2.5
±100
1
10
39
57
67
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
单位
V
V
nA
μA
μA
S
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250μA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=±20V, V
DS
=0
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
= 0 , TJ = 55°C
I
D
= 2A ,V
GS
=10V
I
D
= 2A ,V
GS
=4.5V
I
D
= 2A ,V
GS
=4.0V
V
DS
= 5V ,我
D
=2A
pF
V
DS
=15V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
V
DS
= 15V ,我
D
=2A,
V
GS
= 4V ,R
G
=10
Ω
V
DS
= 24V ,我
D
= 4A ,V
GS
=4V
V
GS
= 0V时,我
S
=1.2A
*脉冲测试:脉冲宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 %
ns
nC
V
订购信息
设备
MTN3K14N3
SOT-23
(无铅)
航运
3000个/带卷&
记号
3K14
MTN3K14N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线
规格。编号: C427N3
发行日期: 2008.05.16
修订日期:
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MTN3K14N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线(续)
规格。编号: C427N3
发行日期: 2008.05.16
修订日期:
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MTN3K14N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
REEL DIMENSION
规格。编号: C427N3
发行日期: 2008.05.16
修订日期:
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载带尺寸
MTN3K14N3
CYStek产品规格
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