【MTMC8E2A0LBFMTMC8E2A0LBF双N沟道MOSFET对于锂离子二次电池保护电路单位：】,IC型号MTMC8E2A0LBF,MTMC8E2A0LBF PDF资料,MTMC8E2A0LBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

MTMC8E2A0LBF

双N沟道MOSFET

对于锂离子二次电池保护电路

单位：mm

特点

低漏源导通电阻： RDS （ ON）（典型值）。 = 15毫欧（ VGS = 4.5 V ）

内置栅极电阻

无卤/符合RoHS标准

（欧盟RoHS / UL - 94 V - 0 / MSL ： Level 1标准）

标记符号： 4B

包装

MTMC8E2A0LBF浮雕式（热压密封）：

3 000个/卷（标准）

1.源（ FET1 ）

2.门（ FET1 ）

3.源（ FET 2 ）

4.门（ FET 2 ）

松下

JEITA

CODE

5.达林（ FET1,2 ）

6.达林（ FET1,2 ）

7.达林（ FET1,2 ）

8.达林（ FET1,2 ）

WMini8-F1

SC-115

绝对最大额定值大= 25

°C

内部连接

参数

漏源电压

FET1的栅源电压

FET2漏电流

峰值漏极电流

总功耗

整体

符号

VDS

VGS

IDP

PD1

PD2

*1,*2

PD3

总胆固醇

TSTG

等级

±12

7.0

1.0

1.2

0.4

150

-55到+150

单位

°C

FET 1

FET 2

通道温度范围

储存温度

注意：

* 1玻璃环氧树脂板： 25.4毫米

25.4 mm

0.8毫米铜箔

排水部应具有300毫米或更大的面积

PD绝对最大额定值无散热片： 400毫瓦

* 2 T = 10秒

* 3非散热器

引脚名称

1.源（ FET1 ）

2.门（ FET1 ）

3.源（ FET 2 ）

4.门（ FET 2 ）

5.达林（ FET1,2 ）

6.达林（ FET1,2 ）

7.达林（ FET1,2 ）

8.达林（ FET1,2 ）

阻力

价值

kΩ

出版日期： 2012年10月

版本。 FED

MTMC8E2A0LBF

电气特性TA = 25

°C ±

°C

FET1,FET2

参数

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

注意：

* 1见测试电路。

符号

VDSS

IDSS

IGSS

VTH

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

| YFS |

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

条件

ID = 1.0毫安， VGS = 0 V

VDS = 20 V ， VGS = 0 V

VGS =

±8.0

V， VDS = 0V

ID = 1.0毫安， VDS = 10 V

ID = 2.0 A ， VGS = 4.5 V

ID = 2.0 A ， VGS = 3.7 V

ID = 2.0 A ， VGS = 2.5 V

ID = 1.0 A， VDS = -10 V

VDS = 10V ， VGS = 0 V ， F = 1兆赫

VDD = 10V ， VGS = 0 4 V，

ID = 1.0

VDD = 10V ， VGS = 4比0 V，

ID = 1.0

民

典型值

最大

1.0

±10

1.30

单位

μA

mΩ

0.40

0.85

1 450

100

0.33

0.70

4.0

2.0

3.0

μs

测量方法是根据日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。

版本。 FED

MTMC8E2A0LBF

* 1测试电路

VDD = 10 V

VIN

PW = 10

μs

特区

≤

1 %

ID = 1.0

RL = 10

VOUT

VIN

90 %

VIN

10 %

90 %

VOUT

10 %

TD （上）

TD （关闭）

版本。 FED

MTMC8E2A0LBF

漏极电流ID （ A）

1.5 V

2.0 V

3.7 V

2.5 V

VGS = 4.5 V

TA = 85

°C

-30

°C

0.1

0.2

0.3

漏源电压VDS （ V）

0.5

1.5

栅极 - 源极电压VGS （V）的

ID - VDS

0.3

漏源电压VDS （ V）

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

1.0A

2.0A

ID = 4.0A

ID - VGS

100

漏源导通电阻

RDS（ON）（M

)

2.5 V

3.7 V

VGS = 4.5 V

栅极 - 源极电压VGS （V）的

漏极电流ID （ A）

VDS - VGS

RDS （ ON） - ID

版本。 FED

MTMC8E2A0LBF

栅源阈值电压Vth （ V）

1.5

漏源导通电阻

RDS（ON）（M

)

VGS = 4.5 V

2.5V

3.7 V

0.5

-50

温度Ta （ ° C）

100

150

-50

100

150

温度Ta （ ° C）

VTH - TA

总功耗PD （W ）

RDS （ ON） - TA

1.5

测量在陶瓷基片上

25.4 mm

0.8 mm.

非散热器

0.5

100

150

温度Ta （ ° C）

钯 - TA

1000

热阻Rth （ ° C / W）

1000

IDP = 42一

100

漏极电流ID （ A）

100

1毫秒

在这一领域

通过RDS限制（上）

10毫秒

100毫秒

0.1

TA = 25

°C,

玻璃环氧树脂板

(25.4

25.4

½0.8

毫米）上涂布铜箔

其中有300毫米以上

0.01

0.1

100

1000

0.01

0.1

100

脉冲宽度TSW （S ）

漏源电压VDS （ V）

RTH -tsw

版本。 FED

安全工作区

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