文档编号
TT4-EA-12901
修订版。
3
产品标准
MOS FET
MTM232230LBF
MTM232230LBF
硅N沟道MOS FET
单位：mm
切换
特点
低漏源导通电阻： RDS （ ON） （典型值） = 20米
（ VGS = 4.0 V）
低驱动电压： 2.5 V驱动器
无卤/符合RoHS标准
（欧盟RoHS / UL - 94 V - 0 / MSL ： Level 1标准）
1
2.0
0.3
3
0.15
2
标记符号： BK
包装
浮雕式（热压密封） ： 3 000个/卷（标准）
1.
2.
3.
门
来源
漏
(0.65)
(0.65)
1.3
1.25
2.1
0.9
绝对最大额定值大= 25
C
項目
記号
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
*1
功耗
*2
通道温度
工作环境温度
存储温度范围
注）
定格
20
10
4.5
18
500
150
-40+ 85
-55到+150
単½
V
A
A
mW
C
C
C
VDS
VGS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TOPR
TSTG
松下
JEITA
CODE
SMini3-G1-B
SC-70
SOT-323
内部连接
(D)
3
* 1脉冲宽度
≦10
s,
占空比
≦1
%
* 2在40测量陶瓷板
38
0.1 mm
绝对最大额定值PD无散热片应进行150毫瓦。
1
(G)
2
(S)
引脚名称
1.
2.
3.
门
来源
漏
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成立时间： 2010-12-15
修订
: 2013-07-01
文档编号
TT4-EA-12901
修订版。
3
产品标准
MOS FET
MTM232230LBF
电气特性TA = 25
C
3
C
項目
記号
漏源电压投降
漏源电流切断
栅源截止电流
栅极阈值电压
VDSS
IDSS
IGSS
VTH
条件
最小 標準 最大
20
1.0
10
1.3
28
40
単½
V
A
A
V
m
S
ID = 1 mA时， VGS = 0 V
VDS = 20 V ， VGS = 0 V
VGS =
8
V， VDS = 0V
ID = 1.0毫安， VDS = 10.0 V
RDS(ON)1
ID = 1 A， VGS = 24 V
漏源导通电阻
*1
RDS(ON)2
ID = 0.6 A ， VGS = 2.5 V
*1
ID = 1 A， VDS = 10 V ， F = 1千赫
| YFS |
正向转移导纳
短路输入电容（共源）
西塞
短路输出电容（普通源）
VDS = 10V ， VGS = 0 ， F = 1兆赫
科斯
反向传输电容（共源）
CRSS
VDD = 10V ， VGS = 0 4 V
吨
开启时间
*2
ID = 1
VDD = 10V ， VGS = 4至0 V
花花公子
打开-O FF时间
*2
ID = 1
注）
0.4
0.85
20
26
1 200
85
80
16
220
3.5
pF
ns
ns
1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
2. * 1脉冲测试：脉冲宽度< 300
s ，职务
周期< 2 ％
* 2的导通和关断测试电路
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成立时间： 2010-12-15
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: 2013-07-01
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产品标准
MOS FET
MTM232230LBF
技术资料（参考）
ID - VDS
4.5
4
漏极电流ID （ A）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4
漏源电压VDS （ V）
1.0 V
2.0 V
VGS = 1.5 V
4.0 V
2.5 V
0.08
0.07
漏极电流ID （ A）
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0
0.5
1
1.5
栅极 - 源极电压VGS （V）的
-40
℃
ID - VGS
TA = 85
℃
25
℃
VDS - VGS
漏源导通电阻
RDS（ON） （M
)
漏源电压VDS （ V）
0.5
0.4
ID = 2将
0.3
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
栅极 - 源极电压VGS （V）的
0.5 A
1A
100
RDS （ ON） - ID
2.5 V
VGS = 4.0 V
10
0.01
0.1
1
10
漏极电流ID （ A）
电容 - VDS
10000
西塞
1000
科斯
100
CRSS
10
0.1
1
漏源电压VDS （ V）
10
栅极 - 源极电压VGS （V）的
10
8
6
4
2
0
动态输入/输出特性
电容C （PF ）
VDD = 10 V
0
5
10
15
20
25
30
总栅极电荷Qg （ NC）
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: 2013-07-01
文档编号
TT4-EA-12901
修订版。
3
产品标准
MOS FET
MTM232230LBF
技术资料（参考）
VTH - TA
1.5
栅源阈值电压（ V）
漏源导通电阻
RDS （ ON） （ MΩ ）
RDS （ ON） - TA
50
40
30
VGS = 2.5 V
1
4.0 V
20
10
0
0.5
0
-50
0
50
100
150
温度Ta （ ℃ ）
-50
0
50
温度（ ℃ ）
100
150
钯 - TA
总功耗PD （W ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
50
100
150
温度Ta （ ° C）
安装在陶瓷板上
（ 40× 38× t0.1毫米）
RTH - TSW
热阻Rth （ ° C / W）
1000
安全工作区
100
IDP = 18一
漏极电流ID （ A）
10
1
0.1
0.01
在这一领域
通过RDS限制（上）
TA = 25℃ ，
玻璃环氧树脂板（ 25.4 × 25.4 × t0.8毫米）
涂有铜箔，
它具有大于300mm 。
2
100
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
DC
10
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度TSW （S ）
漏源电压VDS （ V）
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: 2013-07-01
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