美光科技公司机密和专有
4GB ， 8GB ， 16GB ， 32GB ， 64GB ： ·E· MMC
特点
·E· MMC 记忆
MTFC4GMVEA -4M IT， MTFC8GLVEA -4M IT， MTFC16GJVEC -4M IT，
MTFC32GJVED -4M IT， MTFC64GJVDN -4M IT
特点
多媒体卡（ MMC）控制器和NAND闪存
153-或169 -球WFBGA / VFBGA / LFBGA （符合RoHS 6 / 6
兼容）
V
CC
: 2.7–3.6V
V
CCQ
（双电压） ： 1.65-1.95V ; 2.7-3.6V
温度范围
工业级温度范围：-40 ° C至+ 85°C
- 存储温度： -40℃ + 85℃
典型电流消耗
- 待机电流： 120μA为4GB- 16GB ;为140μA
32GB ; 160μA为64GB
- 有效电流（RMS ） ： 80毫安（ 4GB - 64GB ）
图1 ：美光
·E· MMC
设备
MMC
动力
MMC控制器
MMC
接口
NAND闪存
动力
NAND闪存
MMC特定的功能
JEDEC / MMC卡标准4.41版兼容
（ JEDEC标准84号- A441 ） - SPI模式不
支持（见
www.jedec.org/sites/default/files/
docs/JESD84-A441.pdf)
- 先进的11 -信号接口
- X1，X4 ， X8和I / O的，由主持人选择
- MMC模式操作
- Command类： 0类（基础） ; 2级（块
读） ; 4级（块写） ; 5类（删除） ;
6类（写保护） ;第7类（锁卡）
- MMCplus卡和MMCmobile存储协议
- 临时写保护
- 52 MHz的时钟速度（ MAX）
- 启动操作（高速启动）
休眠模式
- 重放保护的内存块（ RPMB ）
- 安全擦除和装饰
硬件复位信号
- 增强的属性的多个分区
- 永久和上电写保护
- 双数据速率（ DDR ）功能
- 高优先级中断（ HPI ）
MMC特定的功能（续）
- 增强可靠写入
- 可配置的可靠性设置
- 后台操作
- 全面增强的配置
- 与以前的MMC后向兼容
模式
ECC和块管理实施
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1
产品与这里讨论的规格如有美光更改，恕不另行通知。
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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特点
·E· MMC
性能
表1： MLC分区性能
产品型号
MTFC4GMVEA -4M IT
MTFC8GLVEA -4M IT
13.5
44
MTFC16GJVEC -4M IT
MTFC32GJVED -4M IT
MTFC64GJVDN -4M IT
20
44
条件
连续写
顺序读取
注意：
单位
Mb / s的
Mb / s的
订购信息
1MB块1.顺序访问。额外的性能数据，如功耗或定时昼夜温差
同的设备模式，将根据客户的要求单独的文件来提供。
表2 ：订购信息
基本零件编号
MTFC4GMVEA -4M IT
MTFC8GLVEA -4M IT
MTFC16GJVEC -4M IT
MTFC32GJVED -4M IT
MTFC64GJVDN -4M IT
密度
4GB
8GB
16GB
32GB
64GB
包
153球WFBGA
11.5毫米X 13.0毫米X 0.8毫米
153球WFBGA
11.5毫米X 13.0毫米X 0.8毫米
169球WFBGA
14.0毫米X 18.0毫米X 0.8毫米
169球VFBGA
14.0毫米X 18.0毫米X 1.0毫米
169球LFBGA
14.0毫米X 18.0毫米X 1.4毫米
NAND闪存类型
2× 16GB， MLC ， 25nm的
2× 32GB， MLC ， 25nm的
2× 64GB， MLC ， 25nm的
4× 64GB， MLC ， 25nm的
8× 64GB， MLC ， 25nm的
送货媒体
TRAY
磁带和卷轴
TRAY
磁带和卷轴
TRAY
磁带和卷轴
TRAY
磁带和卷轴
TRAY
磁带和卷轴
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特点
品名信息
美光
·E· MMC
存储设备是在不同的配置和密度提供。验证有效的部件号
通过使用美光的部分目录检索在
www.micron.com 。
要根据设备类型比较功能和规格，
访问
www.micron.com/products 。
联系工厂找不到设备。
图2：交易编号图
MT 4G FC
美光科技
产品系列
FC = NAND闪存+控制器
M
V
x
EA - 0
M
WT
生产现状
空白=生产
ES =工程样品
MS =机械采样
NAND闪存密度
2G = 2GB
4G = 4GB
8G = 8GB
16G = 16GB
32G = 32GB
64G = 64GB
工作温度范围
空白= 0 ° C至70℃
WT =标准（ -25 ° C至+ 85°C ）
IT =扩展级（-40 ° C至+ 85 ） ℃，
SLC增强区域
F = 40%
M = 100%
NAND闪存组件
马克设备
J
L
M
MLC 64GB， X8 ， 3.3V （ 25纳米）
MLC 32GB， X8 ， 3.3V （ 25纳米）
MLC 16GB， X8 ， 3.3V （ 25纳米）
启动最大规模
0 = 1MB
1 = 2MB
2 = 4MB
3 = 8MB
4 = 16MB
控制器版本
马克（修订版）控制器ID
T
V
增强
COMBO
包装代码（无铅）
DN = 169 LFBGA 14毫米X 18毫米X 1.4毫米
DQ = 100 LFBGA 14毫米X 18毫米X 1.4毫米
EA = 153 WFBGA 11.5毫米X 13毫米X 0.8毫米
EC = 169 WFBGA 14毫米X 18毫米X 0.8毫米
ED = 169 VFBGA 14毫米X 18毫米X 1.0毫米
留作将来使用
注意：
1.并非所有组合都必然可用。有关可用设备的列表，或进一步的信息
这些产品的任何方面，请联系距离您最近的美光科技公司的销售办事处。
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概述
概述
美光
·E· MMC
是包括多的通信和大容量数据存储设备
MediaCard （MMC）接口，一个NAND闪存组件，并在一个AD-控制器
vanced 11-信号总线，这是符合MMC卡系统规范。其成本
每比特，小封装尺寸和高可靠性，使其成为工业的理想选择
像的基础设施和网络设备，个人电脑和服务器，各种应用
其他工业产品。
非易失性
·E· MMC
不消耗功率以维持存储的数据，提供高perform-
ANCE在很宽的工作温度范围，并且抵抗冲击和振动的显示
ruption 。
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信号说明
信号说明
表3 ：信号说明
符号
CLK
RST_N
TYPE
输入
输入
描述
时钟：时钟的每个周期指示在命令行和数据线（S ）的转让。该
频率可在最小和最大时钟频率之间变化。
复位： RST_N信号用于复位装置，该装置移动到预先由主机使用
空闲状态。默认情况下， RST_N信号暂时在该装置被禁用。主机必须设置ECSD
注册162个字节，位[ 1 ： 0 ]为0x1启用此功能之后，主机才能使用它。
命令：该信号用来命令和响应的双向命令传输通道
FERS 。在CMD信号有两种总线模式：漏极开路模式和推挽模式（见工作
模式） 。命令是从MMC主机发送到设备，并且响应是从发送
设备到主机。
数据I / O ：这是双向的数据信号。中的DAT信号工作在推拉模式。 DE-由
故障，上电或RST_N信号的断言后，只有DAT0被用于数据传输。该
的MMC控制器可以配置用于数据传输的一个更宽的数据总线或者使用的DAT [3： 0]（ 4位模式）
或DAT [7： 0]（ 8位模式） 。
·E· MMC
包括内部上拉电阻，用于数据线的DAT [ 7:1 ] 。被立即
进入4位模式之后ately ，该装置断开的内部上拉电阻
DAT [ 3 ： 1 ]行。在进入8位模式下，器件断开的内部上拉
DAT [7 ： 1 ]行。
V
CC
： NAND接口（ I / F ）， I / O和NAND闪存的电源。
V
CCQ
:
·E· MMC
控制器核心，
·E· MMC
I / F I / O电源。
V
SS
：NAND I / F的I / O和NAND闪存的接地连接。
V
SSQ
:
·E· MMC
控制器核心，
·E· MMC
I / F接地连接。
内部电压节点：至少一个0.1μF的电容需要连接V
DDI
到地面。一个1μF的钙
pacitor建议。不打领带，以电源电压或接地。
–
–
无连接：无内部连接是否存在。
留作将来使用：无内部连接是否存在。让它漂浮在外部。
注意：
1. V
SS
和V
SSQ
内部相连。
CMD
I / O
DAT [7：0 ]
I / O
V
CC
V
CCQ
V
SS1
V
SSQ1
V
DDI
NC
俄罗斯足协
供应
供应
供应
供应
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