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CYStech电子股份有限公司
N沟道MOSFET
（双晶体管）
规格。编号： C320S6R
发行日期： 2007年12月23日
修订日期： 2008.01.25
页页次： 1月7日
MTDN3018S6R
特点
低导通电阻
高ESD能力
高开关速度
低电压驱动（ 4V ）
易于设计的驱动电路
易于并联使用
= Pb-Free包装
等效电路
MTDN3018S6R
概要
SOT-363R
Tr1
Tr2
以下特征同时适用于Tr1和Tr2
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
范围
单位
漏源电压
栅源电压
漏电流
反向漏电流
功耗
连续
脉冲
连续
脉冲
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
DR
I
DRP
Pd
Tj
TSTG
60
±20
115
700
115
700
1250
150
-55~+150
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
300(total)
（注2 ）
ESD敏感性
结温
储存温度
注： 1.脉冲测试，脉冲width≤300μs ， duty≤2 ％
2
。每个元素为200mW不得超过
.
V
°C
°C
3.人体模型， 1.5kΩ的串联100pF电容
MTDN3018S6R
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
电气特性
(Ta=25°C)
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
BV
DSS *
60
-
-
V
GS （ TH）
1
-
2.5
I
GSS
-
-
±10
I
DSS
-
-
1
-
7.4
13
-
7.8
15
R
DS （ ON） *
-
4.4
12
-
4.9
6
-
3.3
4.5
G
FS
100
-
-
C
国际空间站
-
7.32
-
C
OSS
-
3.42
-
C
RSS
-
7.63
-
规格。编号： C320S6R
发行日期： 2007年12月23日
修订日期： 2008.01.25
页页次： 2月7日
单位
V
V
μA
μA
Ω
mS
pF
测试条件
V
GS
=0, I
D
=10μA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=±20V, V
DS
=0
V
DS
=60V, V
GS
=0
I
D
= 1mA时， V
GS
=2.5V
I
D
= 10毫安，V
GS
=2.5V
I
D
= 10毫安，V
GS
=4V
I
D
=的200mA， V
GS
=4V
I
D
=的200mA， V
GS
=10V
V
DS
= 10V ，我
D
=100mA
V
DS
=10V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 ％
订购信息
设备
MTDN3018S6R
包
SOT-363
（无铅）
航运
3000个/带卷&
记号
72
MTDN3018S6R
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线
典型的输出特性
0.3
4V
0.25
漏电流 - ID （ A）
0.2
0.15
0.1
0.05
VGS=2.2V
0
0
1
2
3
漏源电压-VDS （ V）
静态漏源通态电阻与漏电流
4
3V
6V
3.5V
规格。编号： C320S6R
发行日期： 2007年12月23日
修订日期： 2008.01.25
页页次： 3/7
典型的传输特性
0.3
0.25
漏电流-ID （ A）
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0
1
2
3
栅极 - 源极电压VGS （V ）
静态漏源通态电阻与漏电流
VDS=10V
4
1000
静态漏源通态电阻 -
的RDS（on ） （ Ω ）
10
静态漏源导通状态
电阻RDS （ ON） （ Ω ）
100
VGS=2.5V
VGS=4V
VGS=5V
VGS=10V
10
1
0.001
0.01
0.1
漏电流ID （ A）
1
1
0.001
0.01
0.1
1
漏电流ID （ A）
静态漏源通态电阻与栅源
电压
反向漏电流与源极 - 漏极电压
10
源极 - 漏极电压VSD （V ）
7
静态漏源导通状态
电阻RDS （ ON） （ Ω ）
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
栅极 - 源极电压VGS （V ）
25
ID=50mA
ID=100mA
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
反向漏电流-idr （ A）
1
MTDN3018S6R
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线（续）
电容VS漏 - 源极电压
100
350
功耗--- P
D
（ mW）的
300
250
200
150
100
50
0
0
50
100
规格。编号： C320S6R
发行日期： 2007年12月23日
修订日期： 2008.01.25
页页次： 4/7
功率降额曲线
双
---电容（PF ）
单身
10
CRSS
西塞
C
OSS
1
0.1
1
10
漏源电压-VDS （ V）
100
150
200
环境温度--- TA（ ℃ ）
MTDN3018S6R
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
REEL DIMENSION
规格。编号： C320S6R
发行日期： 2007年12月23日
修订日期： 2008.01.25
页页次： 5/7
载带尺寸
MTDN3018S6R
CYStek产品规格
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MC100EPT23MNR4G
MAX9111EKA
MTA50ZEV
MAX3280
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    MTDN3018S6R
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