摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MTDF1P02HD / D
设计师
数据表
中功率表面贴装产品
MTDF1P02HD
摩托罗拉的首选设备
TMOS的双P通道
场效应晶体管
Micro8 设备是一种先进的系列功率MOSFET
它利用摩托罗拉的高密度HDTMOS过程
实现尽可能低的导通电阻每硅片面积。他们是
能在雪崩和换向承受高能量的
作模式和漏极 - 源极二极管具有非常低的反向
恢复时间。 Micro8 器件是专为使用低电压，
高速开关应用中，功率效率是重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器，并在电源管理
便携式及电池供电的产品，如计算机，打印机，
蜂窝和无绳电话。它们也可以用于低电压
在大容量存储产品，例如磁盘驱动器和磁带电机控制
驱动器。被指定的雪崩能量，消除猜测
在设计中感性负载的切换，并提供额外的
安全裕度对突发电压瞬变。
微型Micro8表面贴装封装 - 节省电路板
空间
极薄型（ <1.1毫米）薄等应用
PCMCIA卡
超低的RDS（on ）提供更高的效率和延长BAT-
tery生活
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
IDSS指定高温
较高的雪崩能量
安装信息的Micro8包中提供
双TMOS
功率MOSFET
1.6安培
20伏
RDS （ ON）= 175毫欧
D
CASE 846A -02 ，风格2
Micro8
G
Source1
S
Gate1
Source2
Gate2
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain1
Drain1
Drain2
Drain2
顶视图
器件标识
BC
设备
MTDF1P02HD
订购信息
带尺寸
13″
胶带宽度
12毫米压纹带
QUANTITY
4000台
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
首选设备
是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
HDTMOS是Motorola公司的商标TMOS是摩托罗拉公司的注册商标。 Micro8是国际公司的注册商标。
整流器。热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
REV 3
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
摩托罗拉1997年公司
1
MTDF1P02HD
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅极 - 源极电压 - 连续
1英寸SQ 。
FR-4或G- 10的PCB
下面的图1
1模工作
稳定状态
最低
FR-4或G- 10的PCB
下面的图2
1模工作
稳定状态
最低
FR-4或G- 10的PCB
下面的图2
2模工作
稳定状态
热阻 - 结到环境
总功率耗散@ TA = 25℃
线性降额因子
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
连续@ TA = 70℃
漏电流脉冲（ 1 ）
热阻 - 结到环境
总功率耗散@ TA = 25℃
线性降额因子
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
连续@ TA = 70℃
漏电流脉冲（ 1 ）
热阻 - 结到环境
总功率耗散@ TA = 25℃
线性降额因子
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
连续@ TA = 70℃
漏电流脉冲（ 1 ）
符号
VDSS
VDGR
VGS
RthJA
PD
ID
ID
IDM
RthJA
PD
ID
ID
IDM
RthJA
PD
ID
ID
IDM
TJ ， TSTG
EAS
160
最大
20
20
±
8.0
100
1.25
10
2.3
1.9
19
200
0.63
5.0
1.6
1.3
13
300
0.42
3.33
1.3
1.1
11
- 55 150
单位
V
V
V
° C / W
瓦
毫瓦/°C的
A
A
A
° C / W
瓦
毫瓦/°C的
A
A
A
° C / W
瓦
毫瓦/°C的
A
A
A
°C
mJ
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 20伏直流电， VGS = 4.5伏，峰值IL = 3.6 APK， L = 25毫亨， RG = 25
W
)
（ 1 ）重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
图1. 1.0英寸正方形的FR-4或G- 10的PCB
图2.最小的FR-4或G- 10的PCB
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTDF1P02HD
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 0.25 MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏）
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±
8.0伏， VDS = 0伏）
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 0.25 MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 4.5伏， ID = 1.6 ADC ）
（ VGS = 2.7伏， ID = 0.8 ADC ）
激酶（CPK
≥
2.0)
(1) (3)
VGS （ TH）
0.7
—
激酶（CPK
≥
2.0)
(1) (3)
RDS （ ON）
—
—
(1)
政府飞行服务队
1.3
146
220
2.0
175
280
—
姆欧
0.95
2.2
1.4
—
VDC
毫伏/°C的
m
激酶（CPK
≥
2.0)
(1) (3)
V（ BR ） DSS
20
—
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
1.0
10
100
NADC
—
14
—
—
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
正向跨导（ VDS = 10 VDC ， ID = 0.6 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
西塞
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0伏，
VDC
VDC
F = 1.0兆赫）
科斯
CRSS
—
—
—
225
150
60
—
—
—
pF
TD （上）
(
（VDS = 10 Vd的， ID = 1的2的广告，
VDC ，
1.2 ADC ，
VGS = 4.5伏， RG = 6
)
(1)
tr
TD （关闭）
tf
TD （上）
(
（VDD = 10 Vd的ID = 0 6广告，
VDC ，
0.6 ADC ，
VGS = 2.7伏， RG = 6
)
(1)
tr
TD （关闭）
tf
QT
(
（VDS = 16 Vd的， ID = 1的2的广告，
VDC ，
1.2 ADC ，
VGS = 4.5伏）（1）
Q1
Q2
Q3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
27
60
72
20
94
49
76
5.3
0.7
2.6
1.9
—
—
—
—
—
—
—
—
7.5
—
—
—
ns
ns
nC
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
（IS = 1.2 ADC ，V GS = 0伏）（1）
（ IS = 1.2 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
VSD
—
—
TRR
（ IS = 1 2 ADC VGS = 0伏，
1.2 ADC ，
VDC
DIS / DT = 100 A / μs）内（ 1 ）
反向恢复电荷存储
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3 ）反映的典型值。
最大极限 - 典型值
CPK =
3× SIGMA
ta
tb
QRR
—
—
—
—
0.89
0.72
86
27
59
0.115
1.1
—
—
—
—
—
C
ns
VDC
反向恢复时间
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
3
MTDF1P02HD
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是负责控制的。
各种开关间隔的长度（ΔT）是阻止 -
由如何快速FET输入电容可充电开采
由来自发电机的电流。
已发布的电容数据是难以用于calculat-
荷兰国际集团的兴衰，因为漏 - 栅电容变化
大大随施加电压。因此，栅极电荷数据
使用。在大多数情况下，令人满意的平均输入的估计
电流（IG （AV） ）可以从一个基本的分析来作出
的驱动电路，使得
T = Q / IG （ AV ）
在上升和下降时间间隔，当切换电阻
略去负载，V GS保持几乎恒定在已知为平
高原电压， VSGP 。因此，上升和下降时间可
来近似由下面的：
TR = Q2 X RG / （ VGG - VGSP ）
TF = Q2 X RG / VGSP
哪里
VGG =栅极驱动电压，其变化从零到VGG
RG =栅极驱动电阻
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用适当val-
在一个标准方程用于从所述电容曲线的UE
电压的变化的RC网络。该方程为：
TD （ ON） = RG西塞在[ VGG / （ VGG - VGSP ）
TD （关闭） = RG西塞在（ VGG / VGSP ）
电容（西塞）从电容曲线上读出在
校准 - 当相应于关断状态的条件的电压
culating TD（上），并读出对应于所述的电压
导通状态时，计算TD（关闭）。
在高开关速度，寄生电路元件的COM
折扇的分析。 MOSFET的源极电感
铅，内包和在所述电路布线是
共用的漏极和栅极的电流路径，产生一个
电压在这减小了栅极驱动器的电流源。
该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的是一个函数
漏极电流的灰，其数学解决方案是复杂的。
MOSFET的输出电容也复杂化了
数学。最后， MOSFET的有限的内部栅极
电阻，这有效地增加了的电阻
驱动源，但内部电阻是困难来测量
确定，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与栅电阻
tance （图9）展示了如何切换的典型表现
受寄生电路元件。如果寄生
不存在时，曲线的斜率将保持
团结的价值，无论开关速度。该电路
用于获得数据被构造为最小化共
电感在漏极和门电路的循环，并且被认为
容易实现与电路板安装的组件。最
电力电子负载是感性的;在该图中的数据是
使用电阻性负载，它近似于一个最佳取
冷落感性负载。功率MOSFET可以安全OP-
erated成一个感性负载;然而，不压井作业减少
开关损耗。
800
西塞
600
CRSS
400
西塞
科斯
CRSS
0
–10
VGS VDS 0
10
20
TJ = 25°C
VGS = 0 V
C，电容（pF ）
200
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图9.电容变化
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
5
QQ：2880707522 复制
