摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
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通过MTDF1C02HD / D
数据表
中功率表面贴装产品
TMOS互补
场效应晶体管
MTDF1C02HD
摩托罗拉的首选设备
Micro8 设备是一种先进的系列功率MOSFET
它利用摩托罗拉的高密度HDTMOS过程
实现尽可能低的导通电阻每硅片面积。他们是
能在雪崩和换向承受高能量的
作模式和漏极 - 源极二极管具有非常低的反向
恢复时间。 Micro8 器件是专为使用低电压，
高速开关应用中，功率效率是重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器，并在电源管理
便携式及电池供电的产品，如计算机，打印机，
7
8
蜂窝和无绳电话。它们也可以用于低电压
D
N沟道
在大容量存储产品，例如磁盘驱动器和磁带电机控制
驱动器。被指定的雪崩能量，消除猜测
在设计中感性负载的切换，并提供额外的
2
安全裕度对突发电压瞬变。
G
微型Micro8表面贴装封装 - 节省电路板空间
极薄型（ <1.1毫米）薄等应用
PCMCIA卡
1
S
超低的RDS（on ） ，从而提高效率并延长电池寿命
5
6
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
D
P- CHANNEL
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
IDSS指定高温
4
较高的雪崩能量
G
安装信息的Micro8包中提供
3
S
补充
双TMOS功率场效应晶体管
20伏
RDS （ ON）= 0.120 OHM
1.7安培
（ N沟道）
RDS （ ON）= 0.175 OHM
1.6安培
（ P沟道）
CASE 846A -02 ，风格2
Micro8
源1
门1
源2
门2
1
2
3
4
8
7
6
5
排水1
排水1
排水2
排水2
顶视图
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
负号为P沟道器件为清楚起见省略
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0M，
W
)
栅极 - 源极电压 - 连续
工作和存储温度范围
N沟道
P- CHANNEL
N沟道
P- CHANNEL
N沟道
P- CHANNEL
符号
VDSS
VDGR
VGS
TJ和TSTG
最大
20
20
20
20
±8.0
±8.0
- 55 150
单位
V
V
V
°C
器件标识
CA
订购信息
设备
MTDF1C02HD
带尺寸
13″
胶带宽度
12毫米压纹带
QUANTITY
4000台
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
HDTMOS是Motorola ，Inc.的商标TMOS是摩托罗拉公司的注册商标。 Micro8是国际整流器公司的注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
摩托罗拉1997年公司
1
MTDF1C02HD
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅极 - 源极电压 - 连续
1英寸SQ 。
FR-4或G- 10的PCB
图A以下
1模工作
稳定状态
最低
FR-4或G- 10的PCB
下面的图B
1模工作
稳定状态
1英寸SQ 。
FR-4或G- 10的PCB
图A以下
1模工作
稳定状态
最低
FR-4或G- 10的PCB
下面的图B
1模工作
稳定状态
最低
FR-4或G- 10的PCB
下面的图B
2模工作
稳定状态
热阻 - 结到环境
总功率耗散@ TA = 25℃
线性降额因子
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
连续@ TA = 70℃
漏电流脉冲（ 1 ）
热阻 - 结到环境
总功率耗散@ TA = 25℃
线性降额因子
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
连续@ TA = 70℃
漏电流脉冲（ 1 ）
热阻 - 结到环境
总功率耗散@ TA = 25℃
线性降额因子
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
连续@ TA = 70℃
漏电流脉冲（ 1 ）
热阻 - 结到环境
总功率耗散@ TA = 25℃
线性降额因子
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
连续@ TA = 70℃
漏电流脉冲（ 1 ）
热阻 - 结到环境
总功率耗散@ TA = 25℃
线性降额因子
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
连续@ TA = 70℃
漏电流脉冲（ 1 ）
极性
& P沟道
& P沟道
& P沟道
N沟道
符号
VDSS
VDGR
VGS
RthJA
PD
ID
ID
IDM
RthJA
PD
ID
ID
IDM
RthJA
PD
ID
ID
IDM
RthJA
PD
ID
ID
IDM
RthJA
PD
ID
ID
IDM
TJ ， TSTG
典型
—
—
—
80
—
—
—
—
—
160
—
—
—
—
—
80
—
—
—
—
—
160
—
—
—
—
—
240
—
—
—
—
—
—
最大
20
20
±
8.0
100
1.25
10
2.8
2.3
23
200
0.63
5.0
1.7
1.6
16
100
1.25
10
2.3
1.9
19
200
0.63
5.0
1.6
1.3
13
300
0.42
3.33
1.3
1.1
11
- 55 150
单位
V
V
V
° C / W
瓦
毫瓦/°C的
A
A
A
° C / W
瓦
毫瓦/°C的
A
A
A
° C / W
瓦
毫瓦/°C的
A
A
A
° C / W
瓦
毫瓦/°C的
A
A
A
° C / W
瓦
毫瓦/°C的
A
A
A
°C
N沟道
P- CHANNEL
P- CHANNEL
& P沟道
工作和存储温度范围
（ 1 ）重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
图A. 1.0平方英寸的FR- 4或G- 10 PCB
图B.最小的FR- 4或G- 10 PCB
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTDF1C02HD
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
特征
开关特性
漏源击穿电压激酶（CPK
≥
2.0)
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
分解温度系数
（正）
零栅极电压漏极电流
(1)(3)
V（ BR ） DSS
(N)
(P)
(N)
(P)
IDSS
IGSS
VGS （ TH）
(N)
(P)
—
(N)
(P)
(N)
(P)
RDS （ ON）
RDS （ ON）
(N)
(P)
政府飞行服务队
(N)
(P)
—
—
2.0
1.3
0.133
0.220
—
—
0.16
0.28
—
—
姆欧
(N)
(P)
20
20
—
—
—
—
—
0.7
0.7
—
—
—
—
—
—
5.0
14
—
—
—
0.90
0.95
2.5
2.2
0.100
0.146
—
—
—
—
1.0
1.0
100
1.1
1.4
—
—
0.120
0.175
欧姆
欧姆
μAdc
NADC
VDC
VDC
符号
极性
民
典型值
最大
单位
（ VGS = 0伏， VDS = 16 V直流）
（ VGS = 0伏， VDS = 20 V直流）
门体漏电流（ VGS =
±
8.0伏， VDS = 0 ）
基本特征（ 2 ）
栅极阈值电压
激酶（CPK
≥
2.0)
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数
（负向）
漏极 - 源极导通电阻
漏极 - 源极导通电阻
(1)(3)
（ VGS = 4.5伏， ID = 1.7 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 1.6 ADC ）
(1)(3)
激酶（CPK
≥
2.0)
（ VGS = 2.7伏， ID = 0.85 ADC ）
（ VGS = 2.7伏， ID = 0.8 ADC ）
（ VDS = 10位ADC ， ID = 0.85 ADC ）
（ VDS = 10位ADC ， ID = 0.6 ADC ）
正向跨导（ 1 ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
西塞
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0伏，
Vd
Vd
F = 1.0兆赫）
科斯
CRSS
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
—
—
—
—
—
—
145
225
90
150
38
60
—
—
—
—
—
—
pF
开关特性（ 3 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
（VDS = 16 Vd的ID = 1的7广告
VDC ，
1.7 ADC ，
VGS = 4.5伏）（1）
（ VDS = 16伏， ID = 1.2 ADC ，
(1)
VGS = 4.5伏）（）
(
（ VDS = 10 VDC ， ID = 0.85 ADC ，
,
,
VGS = 2.7伏，
RG = 6.0
)
(1)
（ VDS = 10 VDC ， ID = 0.6 ADC ，
VGS = 2.7伏，
( )
RG = 6.0
)
(1)
(
,
,
（ VDD = 10 VDC ， ID = 1.7 ADC ，
VGS = 4.5伏，
RG = 6.0
)
(1)
（ VDD = 10 VDC ， ID = 1.2 ADC ，
VGS = 4.5伏，
( )
RG = 6.0
)
(1)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
（ 1 ）省略清晰负面迹象P沟道器件。
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 3 ）开关特性是独立的工作结温。
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.0
15
27
27
23
60
34
72
16
20
79
94
24
49
31
76
3.9
5.3
0.4
0.7
1.7
2.6
1.5
1.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.5
7.5
—
—
—
—
—
—
（续）
nC
ns
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
3
MTDF1C02HD
电气特性 - 续
（ TA = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
特征
源极 - 漏极二极管的特性
（ TC = 25 ° C）
正向电压（ 2 ）
（IS = 1.7 ADC ，V GS = 0伏）（1）
（ IS = 1.2 ADC ， VGS = 0伏）
反向恢复时间
符号
极性
民
典型值
最大
单位
VSD
TRR
ta
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.84
0.89
29
86
14
27
15
59
0.018
0.115
1.0
1.1
—
—
—
—
—
—
—
—
VDC
ns
(
（IF = IS ，
DIS / DT = 100 A / μs）内（ 1 ）
反向恢复电荷存储
（ 1 ）省略清晰负面迹象P沟道器件。
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
tb
QRR
C
典型电气特性
N沟道
4.0
TJ = 25°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
3.0
I D ，漏极电流（ AMPS ）
VGS = 10 V
4.5 V
2.7 V
2.3 V
2.1 V
1.7 V
1.0
3.0
3.7 V
3.3 V
2.0
2.3 V
1.0
2.1 V
1.9 V
1.7 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
VDS ，漏极至源极电压（伏）
VDS ，漏极至源极电压（伏）
2.5 V
4.0
VGS = 8
4.5 V
3.1 V
2.9 V
2.7 V
1.9 V
TJ = 25°C
P- CHANNEL
2.0
1.5 V
0
图1.区域特征
图1.区域特征
4.0
I D ，漏极电流（ AMPS ）
VDS
≥
10 V
ID ，漏极电流（ AMPS ）
4.0
VDS
≥
10 V
3.0
3.0
2.0
100°C
1.0
25°C
TJ = -55°C
0
0.5
2.0
VGS ，栅极至源极电压（伏）
1.0
1.5
2.5
2.0
1.0
100°C
0
0
1.0
2.0
25°C
TJ = -55°C
3.0
4.0
VGS ，栅极至源极电压（伏）
图2.传输特性
图2.传输特性
4
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
QQ：2880707522 复制
