MTD9N10E
首选设备
功率MOSFET
9安培， 100伏
N沟道DPAK
这种先进的功率MOSFET的设计可承受高
能在雪崩和减刑模式。新能源
高效的设计也提供了漏极 - 源极二极管具有快速
恢复时间。专为低电压，高速开关
应用在电源，转换器和PWM电机控制，
这些器件特别适用以及为桥电路中
二极管的速度和换向安全工作区域是关键，
提供对突发电压瞬变额外的安全裕度。
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
IDSS和VDS （ ON）指定高温
替换MTD6N10
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅源电压
- 连续
- 不重复（ TP
≤
10毫秒）
漏电流 - 连续
漏电流
- 连续@ 100℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功耗
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25° C，当
安装在最小垫推荐
SIZE
工作和存储温度
范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = 25伏直流电， VGS = 10 VDC ，
IL = 9.0 APK， L = 1.0 mH的， RG = 25
)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
- 结到环境，安装时
以最小的推荐焊盘尺寸
最高温度焊接
目的， 1/8“案件从10
秒
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
ID
IDM
PD
价值
100
100
±
20
±
30
9.0
5.0
27
40
0.32
1.75
单位
VDC
VDC
4
VDC
VPK
ADC
APK
瓦
W / ℃，
瓦
1 2
3
Y
WW
T9
CASE 369A
DPAK
方式2
=年
=工作周
= MOSFET
YWW
T9
N10E
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9安培
100伏
RDS （ ON） = 250毫欧
N沟道
D
G
S
记号
图
引脚分配
4
漏
TJ ， TSTG
EAS
-55
150
40
°C
mJ
1
门
° C / W
2
漏
3
来源
R
θJC
R
θJA
R
θJA
TL
3.13
100
71.4
260
°C
订购信息
设备
MTD9N10E
MTD9N10E1
MTD9N10ET4
包
DPAK
DPAK
DPAK
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年2月 - 第4版
出版订单号：
MTD9N10E/D
MTD9N10E
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 100伏， VGS = 0伏）
（ VDS = 100伏， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0 ）
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
温度系数（负）
静态漏源导通电阻（ VGS = 10 VDC ， ID = 4.5 ADC ）
漏源电压（ VGS = 10 V直流）
（ID = 9.0 ADC ）
（ID = 4.5 ADC ， TJ = 125°C ）
正向跨导（ VDS = 8.0伏， ID = 4.5 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
g
（参见图8）
（S网络
（ VDS = 80伏直流电， ID = 9.0 ADC ，
VGS = 10 V直流）
（ VDD = 50伏直流电， ID = 9.0 ADC ，
VGS = 10 VDC ，
VDC
RG = 9.1
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压（注1 ）
（ IS = 9.0 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = 9.0 ADC ， VGS = 0伏，
TJ = 125°C ）
VSD
–
–
TRR
（ IS = 9.0 ADC ， VGS = 0伏，
9 0 ADC
VDC
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复存储
收费
内部封装电感
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
LD
LS
–
–
4.5
7.5
–
–
nH
nH
ta
tb
QRR
–
–
–
–
0.98
0.9
91
71
20
0.4
1.8
–
–
–
–
–
C
ns
VDC
–
–
–
–
–
–
–
–
8.8
28
16
4.8
14
5.2
3.2
6.6
20
60
30
10
21
–
–
–
nC
ns
（ VDS = 25 Vd的VGS = 0伏，
VDC ，
Vd
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
610
176
14
1200
400
30
pF
VGS （ TH）
2.0
–
RDS （ ON）
VDS （上）
–
–
政府飞行服务队
4.0
–
–
–
2.43
2.40
–
姆欧
–
–
6.0
0.17
4.0
–
0.25
VDC
毫伏/°C的
欧姆
VDC
V（ BR ） DSS
100
–
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
10
100
100
NADC
–
103
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
y
（参见图14）
（S网络
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2
MTD9N10E
典型电气特性
18
16
I D ，漏极电流（ AMPS ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
5V
4V
7
8
9
10
VDS ，漏极至源极电压（伏）
6V
18
16
I D ，漏极电流（ AMPS ）
14
12
10
8
6
4
2
0
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 8.5 9.0
VGS ，栅极至源极电压（伏）
100°C
VDS
≥
10 V
TJ = - 55°C
25°C
VGS = 10 V
8V
TJ = 25°C
7V
图1.区域特征
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
- 55°C
0
2
4
6
8
12
10
ID ，漏极电流（ AMPS ）
14
16
18
25°C
TJ = 100℃
VGS = 10 V
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
0.25
图2.传输特性
TJ = 25°C
0.23
0.21
0.19
0.17
15 V
0.15
0
2
4
8
10
6
12
ID ，漏极电流（ AMPS ）
14
16
18
VGS = 10 V
图3.导通电阻与漏电流
和温度
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
TJ ，结温（ ° C）
125
150
0.1
30
VGS = 10 V
ID = 4.5 A
我DSS ，漏电（ NA）
10
100
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
RDS （ ON） ，漏极 - 源极电阻
（归一化）
VGS = 0 V
TJ = 125°C
100°C
1.0
25°C
40
60
80
90
50
70
VDS ，漏极至源极电压（伏）
100
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
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3
MTD9N10E
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（ΔT）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
的平均输入电流（IG （AV） ）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / IG （ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V GS保持几乎恒定的水平
被誉为高原电压， VSGP 。因此，上升和下降
时间可近似由下：
TR = Q2 X RG / （ VGG - VGSP ）
TF = Q2 X RG / VGSP
哪里
VGG =栅极驱动电压，其变化从零到VGG
RG =栅极驱动电阻
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程从电容曲线值
在一个RC网络的电压变化。该方程为：
TD （ ON） = RG西塞在[ VGG / （ VGG - VGSP ）
TD （关闭） = RG西塞在（ VGG / VGSP ）
1200
1000
C，电容（pF ）
800
600
400
200
0
10
CRSS
5
VGS
0
VDS
5
10
15
20
25
CRSS
西塞
西塞
VDS = 0
电容（西塞）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算TD（上），并读出对应于所述的电压
导通状态时，计算TD（关闭）。
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
VGS = 0
TJ = 25°C
科斯
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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4
MTD9N10E
VGS ，栅极至源极电压（伏）
12
10
8
Q1
6
4
2
Q3
0
0
2
4
6
8
10
QG ，总栅极电荷（ NC）
VDS
12
ID = 9的
TJ = 25°C
60
40
20
0
14
Q2
VGS
QT
120
100
80
100
VDD = 50 V
ID = 9的
VGS = 10 V
TJ = 25°C
VDS ，漏极至源极电压（伏）
T， TIME （ NS ）
tr
TD （关闭）
TD （上）
tf
10
1
1
10
RG ，栅极电阻（欧姆）
100
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
9
8
I S ，源电流（安培）
7
6
5
4
3
2
1
0
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
1.0
VGS = 0 V
TJ = 25°C
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与电流
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时，它是
正向偏置。曲线是基于最大峰值
结温度为25 ℃的情况下，温度（T ） 。
重复峰值脉冲功率限制使用确定
在与程序一起使用时的热响应数据
讨论
in
AN569,
“瞬间
热
电阻一般数据和它的使用。 “
关断状态，导通状态可能会之间的切换
遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流
（ IDM ），也不额定电压（ VDSS ）超标和
过渡时间（ TR ， TF ）不超过10
s.
此外，该总
功率平均一个完整的开关周期不得
超过（ TJ（MAX） - TC） / （r
θJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。为
可靠的操作，所存储的能量从电路电感
耗散在晶体管，而在雪崩必须小于
超过额定界限和调节操作条件
从这些规定不同。虽然行业惯例是
以速度在能源方面，雪崩能量能力不
一个常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加，雪崩和峰值结
温度。
虽然许多E-场效应管能承受的压力
漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲
电流（ IDM ） ，能量等级在额定指定
连续电流（ID ） ，根据业
自定义。能量等级必须降低温度
如显示在所附的图中（图12） 。最大
能在低于额定连续电流ID可以安全地
假定为等于指定的值。
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5
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