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MTD6N20E

首选设备

功率MOSFET

6安培， 200伏

N沟道DPAK

这种先进的功率MOSFET的设计可承受高

能在雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计也提供了漏极 - 源极二极管具有快速

恢复时间。专为低电压，高速开关

应用在电源，转换器和PWM电机控制，

这些器件特别适用以及为桥电路中

二极管的速度和换向安全工作区域是关键，

提供对突发电压瞬变额外的安全裕度。

特点

http://onsemi.com

6安培， 200伏特

DS （ ON）

= 460毫瓦

N沟道

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

DSS

和V

DS （ ON）

指定高温

无铅包装是可用*

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

漏极至栅极电压（R

= 1.0毫瓦）

栅极 - 源极电压

- 连续

- 不重复（T

≤

10毫秒）

漏电流

- 连续

- 连续@ 100℃

- 单脉冲（T

≤

女士）

总功耗

减免上述25℃

总功率耗散@ T

= 25 ° C（注2 ）

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

= 25°C

= 80伏，V

= 10 VDC ，

= 6.0 APK ， L = 3.0 mH的，R

= 25

热电阻 - 结到外壳

- 结到环境（注1 ）

- 结到环境（注2 ）

符号

DSS

DGR

GSM

价值

200

6.0

3.8

0.4

1.75

-55

150

单位

VDC

VPK

ADC

APK

W / ℃，

°C

1 2 3

门漏源

器件代码

=年

=工作周

= Pb-Free包装

DPAK

CASE 369D

方式2

4漏

YWW

N20E

1 2

门

漏

来源

DPAK

CASE 369C

方式2

记号

图表

4漏

YWW

N20EG

, T

英镑

QJC

qJA

2.50

100

71.4

° C / W

最高温度焊接

260

°C

目的， 1/8“案件从10秒

订购信息

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

请参阅包装详细的订购和发货信息

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

尺寸部分本数据手册第7页。

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

1.当表面安装用最小的FR4板推荐

和最佳的整体价值。

焊盘尺寸。

2.当表面安装到FR4电路板用0.5平方英寸漏极焊盘尺寸。

*有关我们的无铅战略和焊接细节的其他信息，请下载安森美半导体焊接和安装

技术参考手册， SOLDERRM / D 。

6N20E

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年8月 - 第3版

出版订单号：

MTD6N20E/D

MTD6N20E

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏源击穿电压

= 0伏，我

= 0.25

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

= 200伏，V

= 0伏）

= 200伏，V

= 0伏，T

= 125°C)

门体漏电流（Ⅴ

20伏直流电，V

= 0)

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

= V

, I

= 250

MADC ）

温度系数（负）

静态漏源导通电阻（V

= 10 VDC ，我

= 3.0 ADC）

漏源电压（V

= 10 VDC ）

= 6.0 ADC）

= 3.0 ADC ，T

= 125°C)

正向跨导（V

= 15 VDC ，我

= 3.0 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

（参见图8）

= 160伏，我

= 6.0 ADC ，

= 10 VDC ）

= 100伏，我

= 6.0 ADC ，

= 10 VDC ，

= 9.1

D（上）

D（关闭）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（注3）

= 6.0 ADC ，V

= 0伏）

= 6.0 ADC ，V

= 0伏，

= 125°C)

= 6.0 ADC ，V

= 0伏，

/ DT = 100 A / MS）

反向恢复电荷存储

内部封装电感

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部源极电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

4.开关的特点是独立的工作结温。

4.5

7.5

0.99

0.9

138

0.74

1.2

VDC

8.8

13.7

2.7

7.1

5.9

17.6

40.8

= 25伏，V

= 0伏，

F = 1.0兆赫）

国际空间站

OSS

RSS

342

480

130

GS （ TH）

2.0

DS （ ON）

1.5

2.9

5.0

4.4

姆欧

3.0

7.1

0.46

4.0

0.700

VDC

毫伏/°C的

欧姆

VDC

（ BR ） DSS

200

DSS

GSS

100

NADC

689

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

（参见图14）

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MTD6N20E

典型电气特性

= 25°C

I D ，漏极电流（ AMPS ）

= 10 V

≥

10 V

= 55°C

25°C

100°C

，漏极至源极电压（伏）

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

RDS （ ON），漏极至源极电阻（欧姆）

图2.传输特性

1.2

= 10 V

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

= 100°C

0.70

= 25°C

0.65

0.60

0.55

0.50

0.45

0.40

15 V

25°C

°C

= 10 V

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

R DS （ ON），漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.5

2.0

= 10 V

= 3 A

我DSS ，漏电（ NA）

100

= 0 V

= 125°C

100°C

1.5

1.0

0.5

25°C

100

125

150

100

150

200

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏极 - 源极漏

电流与电压

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MTD6N20E

功率MOSFET开关

交换行为是最容易建模和预测

由认识到功率MOSFET是充电

控制。各种开关间隔的长度（申）

由如何快速FET输入电容可确定

从发电机通过电流进行充电。

已发布的电容数据是难以用于

计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容

变化很大随施加电压。因此，门

电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计

平均输入电流（I

G（ AV ）

）可以由一个作

驱动电路，使得基本的分析

T = Q / I

G（ AV ）

在上升和下降时间间隔切换时，

阻性负载，V

实际上保持恒定的水平

被誉为高原电压，V

SGP

。因此，上升和下降

时间可近似由下：

= Q

个R

/(V

普遍优惠制

)

= Q

个R

普遍优惠制

哪里

=栅极驱动电压，其中从0变到V

=栅极驱动电阻

和Q

和V

普遍优惠制

从栅极电荷曲线读取。

在导通和关断延迟时间，栅极电流是

不是恒定的。最简单的计算使用合适的

在一个标准方程用于从所述电容值曲线

电压的变化的RC网络。该方程为：

D（上）

= R

国际空间站

在[V

/(V

普遍优惠制

)]

D（关闭）

= R

国际空间站

在（V

普遍优惠制

)

900

750

C，电容（pF ）

600

450

300

OSS

150

RSS

国际空间站

= 0 V

的电容（C

国际空间站

）从电容曲线上读出在

对应于关断状态的条件时的电压

计算牛逼

D（上）

和读出在对应于一个电压

导通状态时，计算吨

D（关闭）

在高开关速度，寄生电路元件

复杂的分析。 MOSFET的电感

源引，内包装，在电路布线

这是通用的漏极和栅极的电流路径，

产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源

电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的

是漏极电流的函数，在数学溶液

复杂的。 MOSFET的输出电容也

复杂的数学。最后， MOSFET的

有限的内部栅极电阻，有效地增加了

所述驱动源的电阻，但内阻

难以测量，因此，没有被指定。

电阻开关时间变化与门

电阻（图9）显示了如何典型开关

性能由寄生电路元件的影响。如果

寄生效应不存在时，曲线的斜率将

保持统一的值，而不管开关速度。

用于获得所述数据的电路被构造以最小化

在漏极和栅极电路环路共同电感和

被认为是很容易达到的板装

组件。大多数电力电子负载是感性的;该

图中的数据是使用电阻性负载，其

近似的最佳冷落感性负载。动力

的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;

然而，不压井作业减少了开关损耗。

= 25°C

RSS

栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）

图7.电容变化

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MTD6N20E

VDS ，漏极至源极电压（伏）

T， TIME （ NS ）

VGS ，栅极至源极电压（伏）

，总费用（ NC）

1000

= 100 V

= 6 A

= 10 V

= 25°C

100

D（关闭）

D（上）

= 6 A

= 25°C

，栅极电阻（欧姆）

100

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

漏极至源极二极管特性

I S ，源电流（安培）

= 0 V

= 25°C

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

，源极到漏极电压（伏）

1.0

图10.二极管的正向电压与电流

安全工作区

正向偏置安全工作区曲线定义

同时最大漏极 - 源极电压和漏极

目前，一个晶体管可以处理安全时，它是向前

失之偏颇。曲线是基于最大峰值结

温度和壳体温度（T

） 25℃ 。高峰

重复脉冲功率极限通过使用所确定的

在与程序结合使用的热响应数据

在AN569 ， “瞬态热阻，一般讨论

数据和它的使用。 “

关断状态，导通状态可能会之间的切换

遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流

），也不额定电压（V

DSS

）的上限和

过渡时间（t

）不超过10

女士。

此外，该总

功率平均一个完整的开关周期不得

超过（T

J（下最大）

)/(R

QJC

指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用

与松开感性负载的开关电路。为

可靠的操作，所存储的能量从电路电感

耗散在晶体管，而在雪崩必须小于

超过额定界限和调节操作条件

从这些规定不同。虽然行业惯例是

以速度在能源方面，雪崩能量能力不

一个常数。能量等级降低非线性地与

峰值电流的增加，雪崩和峰值结

温度。

虽然许多E-场效应管能承受的压力

漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲

电流（I

），能量等级在额定指定

连续电流（I

），按照产业

自定义。能量等级必须降低温度

如显示在所附的图中（图12）。最大

能在低于额定连续电流我

可以安全地

假定为等于指定的值。

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