MTD20N06HD
首选设备
功率MOSFET
20安培， 60伏
N沟道DPAK
这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。这种高效节能的设计也
提供了漏极 - 源极二极管具有快速的恢复时间。设计
低电压，在电源高速开关应用，
变换器和PWM马达控制，这些设备是特别
非常适合桥式电路中的二极管速度和换向
安全工作领域是至关重要的，并提供了额外的安全边际
对意外的电压瞬变。
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散
快恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定高温
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 1.0 MΩ)
栅源电压
连续
不重复（T
p
≤
10毫秒）
漏电流
连续
漏电流
连续@ 100℃
漏电流
单脉冲（T
p
≤
10
μs)
总功耗
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25°C
（注2 ）
工作和存储温度
范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 10伏，峰值
I
L
= 20 APK ， L = 0.3 mH的，R
G
= 25
Ω)
热阻
结到外壳
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10
秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
价值
60
60
±
20
±
30
20
16
60
40
0.32
1.75
55
to
150
60
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
瓦
W / ℃，
瓦
°C
mJ
1
2
1 2
3
4
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V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
典型值
35毫瓦@ 10 V
I
D
最大
20 A
（注1 ）
N沟道
D
G
S
标记DIAGRAMS
4
漏
DPAK
CASE 369C
方式2
4
I
DM
P
D
2
1
3
漏
门
来源
4
漏
YWW
20N
06HD
1 2 3
门漏源
包
DPAK
DPAK
直引线
DPAK
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
出版订单号：
MTD20N06HD/D
T
J
, T
英镑
E
AS
3
DPAK
CASE 369D
方式2
20N06HD器件代码
Y
=年
WW
=工作周
R
θJC
R
θJA
R
θJA
T
L
3.13
100
71.4
260
° C / W
订购信息
°C
设备
MTD20N06HD
MTD20N06HD1
MTD20N06HDT4
1.当表面安装到FR-4板使用最小
推荐焊盘尺寸。
2.当表面安装到FR-4板用0.5平方英寸漏极焊盘尺寸。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年8月，
启5
1
YWW
20N
06HD
MTD20N06HD
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 10 ADC）
漏极 - 源极导通电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 20 ADC）
(I
D
= 10位ADC ，T
J
= 125°C)
正向跨导
(V
DS
= 4.0伏，我
D
= 10 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（参见图7 ）
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 20的ADC ，
V
GS
= 10 VDC ，
R
G
= 9.1
Ω)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 20的ADC ，
V
GS
= 10 VDC ）
Q
1
Q
2
Q
3
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(C
pk
≥
8.0 ）（注3）
反向恢复时间
（参见图14）
(I
S
= 20 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 20 ADC ，V
GS
= 0伏，
T
J
= 125°C)
V
SD
VDC
0.95
0.88
35.7
24
11.7
0.055
1.0
μC
nH
4.5
7.5
nH
ns
9.2
61.2
19
36
17
3.4
7.75
7.46
18
122
38
72
24
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
607
218
55
840
290
110
pF
(C
pk
≥
2.0） （注3）
V
GS （ TH）
VDC
2.0
5.0
7.0
0.035
6.0
4.0
0.045
VDC
1.2
1.1
姆欧
毫伏/°C的
欧姆
(C
pk
≥
2.0） （注3）
V
（ BR ） DSS
VDC
60
54
10
100
100
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
I
DSS
I
GSS
NADC
(C
pk
≥
2.0） （注3）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
t
rr
(I
S
= 20 ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / μs）内
t
a
t
b
Q
RR
L
D
L
S
反向恢复电荷存储
内部封装电感
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
μs,
占空比
≤
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
3.反映的典型值。
pk
=规格的绝对值（ SPEC- AVG / 3.516
μA).
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2
MTD20N06HD
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（ΔT）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
1600
V
DS
= 0 V
1400
C
国际空间站
C，电容（pF ）
1200
1000
800
600
400
200
0
10
5
V
GS
0
V
DS
5
10
C
OSS
C
RSS
15
20
25
C
RSS
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图8 ）示出如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图6.电容变化
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4
MTD20N06HD
VGS ，栅极至源极电压（伏）
12
QT
10
V
GS
8
6
4
2
0
I
D
= 20 A
T
J
= 25°C
40
Q1
Q2
30
20
10
Q3
V
DS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
0
18
50
60
VDS ，漏极至源极电压（伏）
1000
V
DD
= 30 V
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
T
J
= 25°C
100
T， TIME （ NS ）
t
f
t
D（关闭）
10
t
D（上）
t
r
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
图7.栅极 - 源极和漏极 - 源
电压与总充电
图8.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
的MOSFET的体二极管的开关特性
在系统中非常重要的使用它作为一个续流或
整流二极管。特别令人感兴趣的是在反向
其中在起主要作用的恢复特性
确定开关损耗，辐射噪声， EMI和RFI 。
系统的开关损耗主要是由于性质
体二极管本身。体二极管是少数载流子
设备，因此，它具有有限的反向恢复时间t
rr
由于
对少数载流子电荷Q的存储
RR
，如图
图10.典型的反向恢复波形正是这种
存储的电荷，从所述二极管被清除时，通过
通过一个电位，并限定了能量损失。显然，
多次强迫通过反向恢复二极管
进一步增加了开关损耗。因此，一会
像短T二极管
rr
和低Q
RR
规格
尽量减少这些损失。
二极管的反向恢复的突然影响
辐射噪声，尖峰电压和电流的量
响。在工作机制是有限的不可移动
电路的寄生电感和电容作用于其
20
18
I S ，源电流（安培）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.50
0.58
0.66
0.74
0.82
0.90
0.98
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
高di / DTS 。吨时二极管的负的di / dt
a
直接
由设备清除所存储的电荷来控制。
然而，叔在正面的di / dt
b
是一种不可控的
二极管特性，并且通常是诱导的罪魁祸首
电流振荡。因此，比较二极管时，该
吨的比例
b
/t
a
作为恢复的一个很好的指标
突然性，从而给出了一个估计的比较
可能产生的噪声。的1的比率被认为是理想的，并
值小于0.5被认为是活泼的。
相较于安森美半导体标准单元密度
低电压的MOSFET ，高细胞密度的MOSFET二极管
为更快（更短吨
rr
） ，有较少的存储电荷和柔软
的反向恢复特性。的柔软性优势
在高细胞密度二极管装置，它们可以通过被强制
反向恢复在较高的di / dt大于一个标准信元
在不增加电流振荡或MOSFET的二极管
产生的噪声。另外，功率耗散所产生
从开关二极管将不太由于较短
恢复时间和更低的开关损耗。
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.二极管的正向电压与电流
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